... Определение понятия, классификация неупорядоченных сред. ... Роль радиуса действия случайных сил. ... Роль условий приготовления. ... Сильно легированные полупроводники. Физические особенности сильно легированных полупроводников. ... М., Наука, 1981. ... Изд. 2-е, в 2-х тт. ... Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. Изд. 2-е. М., Наука, 1990. ... Теоретическая физика однородно неупорядоченных систем. М., Мир, 1984. ... Другие курсы, читаемые на кафедре ...
Виктор Леопольдович Бонч-Бруевич родился 8 января 1923 г. в Москве в семье служащих, умер 9 апреля 1987 г. в Москве. ... В.Л. Бонч-Бруевич поступил на физический факультет МГУ в 1941 г., 13 октября 1941 г. ушел добровольцем в Красную Армию и участвовал в боевых действиях под Москвой в составе Коммунистического батальона 3-го полка московских рабочих Западного фронта. ... В 1959 г. В.Л. Бонч-Бруевич защитил докторскую диссертацию по теме "Исследования по многоэлектронной теории полупроводников". ...
... Ph.D. in Physics (1975) Photoelectric phenomena and metastability in amorphous semiconductors. I.P. Zvyagin, I.A. Kurova and N.N. Ormont. On the nature of photo-induced defects and recombination mechanisms in light-soaked a-Si:H films. ... I.A. Kurova, A.N. Lupacheva, N.V. Meleshko, N.N. Ormont and L.P. Avakyants. Electrical properties of a-Si:H(B) films subjected to intense light pulses. ... I.A. Kurova, O.N. Miroshnik and N.N. Ormont. ... I.P. Zvyagin, I.A. Kurova, N.N. Ormont. ...
... The local environment of Ga, Se and Tl atoms in InTe-based solid solutions was studied by EXAFS technique. ... The electrical measurements revealed the In 1-x Ga x Te and InTe 1-x Se x solid solutions become semiconductors at x>0.24 and >0.15, respectively. Keywords: X-ray absorption spectroscopy, synchrotron radiation, local environment, semiconductor solid solutions, indium gallium telluride, indium telluride selenide, indium thallium telluride, structure . ... Other works on XAFS studies ...
... EXAFS technique was used to study the local environment of Se, Pb, Sn, Mn and In impurity atoms in germanium telluride. These data were used to clarify the mechanisms by which the impurity influence the phase transition temperature T c . ... Keywords: ferroelectric phase transition, impurity effects, Curie temperature, off-center atoms, local structure, EXAFS spectroscopy, selenium, lead, tin, manganese, indium . ... Other works on XAFS studies ...
Основные работы лаборатории "Полупроводниковая оптоэлектроника" (проф. В.С. Днепровский ) связаны с изучением физических процессов в полупроводниковых наноструктурах с характерными размерами менее 10 нм. ... Меняя размеры наноструктур (толщину слоя двумерной структуры, поперечные размеры квантовой нити, диаметр квантовой точки), можно изменять спектр их энергетических состояний и физические свойства, т.е. создавать материал с заранее заданными свойствами. ...
Vladimir S. Dneprovskii . Nonlinear optical properties of semiconductors and semiconductor nanostructures. Strong optical nonlinearities in semiconductor quantum wires and dots. Gain and laser emission of semiconductor quantum wires and dots. ... Discrete optical transitions between the energy levels of size quantization in quantum dots and wires have been observed in the samples with great dispersion of the size of nanostructures using picosecond laser saturation spectroscopy method. ...
... World Scienti?c Publishing Company DOI: 10.1142/S2010135X12500038 DIELECTRIC, PIEZOELECTRIC, AND ELASTIC PROPERTIES OF BaTiO3/SrTiO3 FERROELECTRIC SUPERLATTICES FROM FIRST PRINCIPLES ALEXANDER I. LEBEDEV* Physics Department, Moscow State University 119991 Moscow, Russia swan@scon155. phys .msu.ru Received 7 November 2011 Published 27 February 2012 The e?ect of epitaxial strain on the phonon spectra, crystal structure ... The ground state of BTO/STO superlattice was searched as follows. ...
[
Текст
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/S2010135X12500038.pdf -- 490.2 Кб -- 19.03.2012 Похожие документы
... A study was made of the influence of nonisoelectronic impurities, Cd, Ga, In, Tl, Sb, Bi, and Mn on the temperature of a ferroelectric phase transition induced in PbTe 1-x S x and Pb 1-x Ge x Te crystals by off-center impurities S and Ge. It was found that, like the influence of substitutional disorder, introduction of nonisoelectronic impurities lowered the phase transition temperature T c and the influence of charged impurities was stronger than that of electrically inactive impurities. ...
Развитие электронной техники в значительной мере определяется созданием новых полупроводниковых материалов, обладающих уникальными оптическими и электрофизическими свойствами. ... Кошелев О.Г., Морозова В.А. Патент России No. ... Морозова В.А., Маренкин С.Ф., Семененя Т.В., Раухман М., Кошелев О.Г. Оптические и фотоэлектрические свойства диарсенида кадмия. ... Морозова В.А., Вавилов В.С., Маренкин С.Ф., Кошелев О.Г. Чукичев М.В. Серия линий свободного экситона в диарсениде цинка. ...
O.G. Koshelev . In the last years we have developed new methods of measurement of the photoelectric parameters of silicon wafers used for solar cell fabrication. ... One of the methods permits to determine the photoelectric parameters of wafer without conductive electrodes. ... The method can be easily automatized. The methods were tested on silicon solar cells irradiated by fast particles. ... A nondestructive method for measuring the photoelectric parameters of wafers with p-n-junctions. ...
O.G. Koshelev Spectra of optical absorption, photoconductivity and short-circuit photocurrent are known to be very informative for investigations of the peculiarities of the band structure. However the studies on these spectra for CdAs 2 and ZnAs 2 anisotropic crystals are very limited. ... Optical and photoelectric properties of ZnAs 2 single crystals. ... Optical and photoelectric properties of CdAs 2 single crystals. ... Semiconductors 29, 199 (1995). ... Physics of Semiconductors division ...
Работа опубликована в журнале "Физика твердого тела", т. 53 , в. 12, с. 2340-2344 (2011). ... Установлено, что в исследованных сверхрешетках в слоях ниобата калия толщиной в одну элементарную ячейку возникает квазидвумерное сегнетоэлектричество с поляризацией, ориентированной в плоскости слоя, которая слабо взаимодействует с поляризацией в соседних слоях. Показана возможность использования таких сегнетоэлектрических сверхрешеток в качестве среды для трехмерной записи информации. ...
ISSN 1063 7834, Physics of the Solid State, 2011, Vol. ... FERROELECTRICITY Quasi Two Dimensional Ferroelectricity in KNbO3 / KTaO3 Superlattices A. I. Lebedev Moscow State University, Moscow, 119991 Russia e mail: swan@scon155. phys .msu.ru Received December 6, 2010; in final form, April 20, 2011 Abstract--First principles density functional theory is used to calculate the phonon spectrum in the paraelectric phase , the ground state structure and polarization distribution in the polar ...
[
Текст
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/PhysSolidState_53_2463.pdf -- 148.8 Кб -- 21.11.2011 Похожие документы
... Теллурид свинца и твердые растворы на его основе, легированные примесью In, обладают целым рядом необычных, до конца не объясненных свойств [1]. В настоящей работе методом функционала плотности рассчитаны электронная структура и фононный спектр в точке Г зоны Бриллюэна сверхъячейки 2x2x2 теллурида свинца с двумя атомами In, расположенными на максимальном удалении друг от друга (вторая координационная сфера атомов металла). ... Другие работы по первопринципным расчетам ...
... Изучено влияние неизоэлектронных примесей Cd, Ga, In, Tl, Sb, Bi и Mn на температуру сегнетоэлектрического фазового перехода (ФП), индуцированного в кристаллах PbTe 1-x S x и Pb 1-x Ge x Te нецентральными примесями (НП) S и Ge. Показано, что подобно влиянию беспорядка замещения введение в образцы неизоэлектронных примесей понижает температуру ФП T c , причем влияние заряженных примесей оказывается более сильным по сравнению с неэлектроактивными примесями. ...
... В теоретическом разделе описаны основы теории формирования тонкой структуры в спектрах рентгеновского поглощения, рассмотрено влияние многоэлектронных эффектов и тепловых колебаний решетки на спектры EXAFS. ... В отдельном разделе обзора рассмотрена новая бурно развивающаяся область XAFS-спектроскопии, связанная с изучением магнитной структуры материалов путем исследования кругового магнитного дихроизма в спектрах рентгеновского поглощения (XMCD). ... Другие работы по исследованию с помощью XAFS ...
Zhukov E.A., Yakovlev D.R., Bayer M., Karczewski G., Wojtowicz T., Kossut J. Spin coherence of two-dimensional electron gas induced via trion formation in CdTe/CdMgTe quantum wells. ... 2006). ... Физика. ... Научная конференция "Ломоносовские чтения. ... 2006, Abstr. ... Тезисы докладов VIII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2006), с. 101. ... Публикации за другие годы . Кафедра физики полупроводников ...
... Физика. ... Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников (Москва, 2005 г.), с. 265. ... Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников (Москва, 2005 г.), с. 259. ... Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников (Москва, 2005), с. 306. ... Тезисы Докладов VII Российской конференции по физике полупроводников (Москва, 2005), с. 139. ... Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников (Москва, 2005), с. 144. ...