Поиск по:semiconductors.phys.msu.ru -
Поискать по всем серверам
На этой странице приведены все страницы сервера semiconductors.phys.msu.ru ,которые мы индексируем. Показаны документы 81 - 100 из 276.
Упорядочить по:
URL
|
дате изменения
81. http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/PhysStatSolidiB_249_789.pdf
status Phys. Status Solidi B 249, No. 4, 789-795 (2012) / DOI 10.1002/pssb.201147350 physica pss solidi www.pss-b.com b Ground-state structure of KNbO3 / KTaO3 superlattices : Array of nearly independent ferroelectrically ordered planes Alexander I. Lebedev * basic solid state physics Physics Department ... 119991, Russia Received 13 July 2011, revised 6 November 2011, accepted 7 November 2011 Published online 7 December 2011 Keywords ferroelectric ... 0 corresponds to the KNbO3 layer. ...
[
Текст
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/PhysStatSolidiB_249_789.pdf -- 249.3 Кб -- 14.03.2013
Похожие документы
Похожие документы
82. http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/article_28493.pdf
... Pz Еy sx #w vh kg h i 5u 9q sl o dl #n ql 7j h ki vh g -0.10 -0.05 0.05 0.10 -0.4 -0.2 0.2 0.4 0 kc (k) 0 2 4 6 8 -1 k (A ) 6 8 ?f X q h Rq 1c %u T }h a` UT V yf u i X ?u 1c )u &c Ru ?I t ws YT v Fi 43 Q i X ?f V YI %Q ?c 1c ?f Q Yi $#" Y h T Чh 1X pi ?I Ut p w q RQ i t % U 1 Rh T Y I gV f R p` )I t T ) xf p` YT V i gf Uv X ?s )I 1f t ?i RX UX ?i h } p` V c g ?T Uv ?T w X ?i I pV ah I Ut i Ф` UV I Rv ?f 'X q RQ i pc I s hc i Uh UI g 1t I Uh ?I Yb PQ H X25 e Yv )Q pt I f a i pX h Rt 1T њ Rq ? ...
[
Текст
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/article_28493.pdf -- 305.8 Кб -- 16.12.2012
Похожие документы
Похожие документы
83. http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/PhysSolidState_54_975.pdf
... 15, Berlin, 12489 Germany Abstract--Solid solutions of (Sr1 xPrx)TiO3 have been studied using X ray methods. It has been shown that, with an increase in the praseodymium concentration, the temperature of the structural phase transition to the phase with space group I4/mcm increases and, at x 0.15, the structure at 300 K is tetragonal. X ray absorp tion fine structure (XAFS) spectroscopy studies have revealed that Pr ions are predominantly in the charge state 3+ and occupy the Sr sites. ...
[
Текст
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/PhysSolidState_54_975.pdf -- 166.3 Кб -- 11.11.2012
Похожие документы
Похожие документы
84. Oleg G. Koshelev
... Development of new photoelectric methods of investigation. O.G. Koshelev and I.V. Mikhailov. A phase method for defining the life time of minority charge carriers in the base of photoconverter. ... O.G. Koshelev, V.A. Morozova, E.Ju. ... O.G. Koshelev and V.A. Morozova. A method of determination of photoelectrical properties of minority charge carriers in substrates of diode structures. ... Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 466 , 119 (2001). ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/eng/ko.html -- 3.2 Кб -- 03.11.2012
Похожие документы
Похожие документы
85. Igor P. Zvyagin
... Phone: (495) 939-3731 Solid state theory , transport properties of semiconductors, hot electrons and domain electrical instability, transport in heavily doped crystalline and amorphous semiconductors, hopping conductivity, thermoelectric properties, disordered low-dimensional systems, theory of recombination in amorphous silicon . I.P. Zvyagin. ... Vertical hopping conduction via virtual states in intentionally disordered superlattices. ... Phys. Status Solidi B 218 (2), 449-453 (2000). ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/eng/zv.html -- 7.3 Кб -- 03.11.2012
Похожие документы
Похожие документы
86. Andrei G. Kazanskii
... Physics of amorphous hydrogenated semiconductors with emphasis on nonequilibrium photoelectronic processes, light-induced metastable states. ... A.G. Kazanskii. Staebler-Wronski effect in amorphous hydrogenated p-type silicon films. ... Influence of the dopant concentration and temperature on the Staebler-Wronski effect in phosphorus-doped a-Si:H films. ... Kazanskii A.G., Mell H., Weiser G., Terukov E.I. Donor formation in plasma-deposited amorphous silicon (a-Si:H) by erbium incorporation. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/eng/kazanskii.html -- 4.5 Кб -- 03.11.2012
Похожие документы
Похожие документы
87. Программа курса "Двумерные структуры и сверхрешетки в полупроводниках"
... Структуры малой размерности в полупроводниках; длина волны Де-Бройля и размеры структур. Квантовые ямы, нити и точки. Множественные квантовые ямы и сверхрешетки (СР). ... Энергетический спектр структур малой размерности. ... Двумерная плотность состояний и двумерная концентрация носителей заряда. ... Оптические явления в двумерных структурах. ... Экситоны в двумерных структурах. ... Подвижность в двумерных структурах; модулированное легирование и повышение подвижности в квантовых ямах. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/rus/2Dstruc.html -- 5.1 Кб -- 03.10.2012
Похожие документы
Похожие документы
88. Виктор Сергеевич Вавилов (1921-1999)
Виктор Сергеевич Вавилов родился 8 июля 1921 года в Москве в семье выдающегося физика и президента АН СССР Сергея Ивановича Вавилова. ... В 1949 году В.С. Вавилов окончил физический факультет Ленинградского Университета. ... С 1959 года В.С. Вавилов читал лекции по вопросам действия излучений на полупроводники, проблемам радиационной технологии и диагностики материалов на физическом факультете МГУ и в других ВУЗах. ... История кафедры физики полупроводников ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/rus/vavilov.html -- 4.7 Кб -- 03.10.2012
Похожие документы
Похожие документы
89. Программа курса "Кинетические явления в полупроводниках"
... Предмет и содержание курса, взаимосвязь с другими курсами. ... Процессы рассеяния, типы неидеальностей. Функция распределения и кинетические коэффициенты. ... Решение кинетического уравнения для малых отклонений от равновесия в постоянных и однородных полях. ... Поведение полупроводников в переменных полях. ... М., Наука, 1990. ... Гантмахер В.Ф., Левинсон И.Б. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках. ... Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/rus/transport.html -- 3.0 Кб -- 03.10.2012
Похожие документы
Похожие документы
90. Программа курса "Действие излучений на полупроводники и радиационные методы в
Введение, природа и источники излучений. Основные процессы взаимодействия фотонов с электронами в кристаллах полупроводников. ... Ударные и неударные механизмы образования радиационных дефектов. Образование радиационных дефектов под действием быстрых нейтронов и гамма-квантов. ... Радиационные методы модификации свойств полупроводников и создания полупроводниковых структур. Радиационные методы исследования свойств полупроводников и структур твердотельной электроники. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/rus/radiation.html -- 2.2 Кб -- 03.10.2012
Похожие документы
Похожие документы
91. Программа курса "Квантовая теория твердых тел"
... Электроны в металлах и полупроводниках. ... Электроны в периодическом поле. ... Энергетические спектры узкощелевых полупроводников и материалов типа A III B V . ... Квантовая теория гармонического кристалла. ... Полупроводник в квантующем магнитном поле и циклотронный резонанс. ... Горячие электроны. ... Механизмы рекомбинации в полупроводниках. ... М., Наука, 1990. ... Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. ... Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. ... Другие курсы, читаемые на...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/rus/quantum.html -- 3.6 Кб -- 03.10.2012
Похожие документы
Похожие документы
92. Программа курса "Физика полупроводников"
... Статистика рекомбинации электронов и дырок. ... Межзонная рекомбинация и рекомбинация через локальные уровни. ... Излучательная рекомбинация. ... Законы сохранения при излучательной рекомбинации. Излучательная рекомбинация в прямозонных и непрямозонных полупроводниках. Излучательная рекомбинация через примеси и экситонная рекомбинация. ... Коэффициент межзонной рекомбинации. Связь коэффициента межзонной рекомбинации и коэффициента тепловой генерации. ... Введение в физику полупроводников. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/rus/phys_semicond2.html -- 4.3 Кб -- 03.10.2012
Похожие документы
Похожие документы
93. Программа курса "Физика полупроводников"
... Равновесная статистика электронов и дырок в полупроводниках. ... Вычисление положения уровня Ферми в собственном полупроводнике. ... Уровень Ферми в полупроводнике с примесями одного типа. Статистика электронов и дырок в компенсированных полупроводниках. ... Возникновение неравновесных носителей заряда в полупроводниках. ... Основные представления физики неупорядоченных полупроводников . ... Введение в физику полупроводников. ... Физика полупроводников. ... Сборник задач по физике полупроводников. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/rus/phys_semicond1.html -- 4.7 Кб -- 03.10.2012
Похожие документы
Похожие документы
94. Программа курса "Фотоэлектрические явления в полупроводниках"
... Фотоэлектрические явления; физические процессы, определяющие их; практическое применение. Фотопроводимость полупроводников, ее классификация: примесная, собственная, прыжковая и фототермическая фотопроводимости. ... Примесная фотопроводимость при наличии одного, двух и более примесных уровней в запрещенной зоне: стационарные величины фотопроводимости, стационарные времена жизни носителей и времена релаксации фотопроводимости. ... Спектральная зависимость примесной фотопроводимости. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/rus/photoelec.html -- 5.3 Кб -- 03.10.2012
Похожие документы
Похожие документы
95. Программа курса "Оптические явления в полупроводниках"
... Поглощение, отражение, преломление, излучение, рассеяние света в полупроводниках. ... Комплексный показатель преломления и коэффициент отражения; коэффициент поглощения; связь между оптическими параметрами. ... Разрешенные и запрещенные переходы. ... Экситонное поглощение для прямых переходов в случае экситонов Ванье-Мотта; поглощение для непрямых переходов; анализ экспериментов. ... Оптическое поглощение с участием примесей, близкое к межзонному поглощению; условия для прямых и непрямых переходов. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/rus/optics.html -- 8.4 Кб -- 03.10.2012
Похожие документы
Похожие документы
96. Нецентральные примеси в кристаллах
Известные нецентральные примеси в различных классах кристаллов: . Литий в хлориде калия, KCl(Li) . Фтор в бромиде натрия, NaBr(F) . Фтор в иодиде калия, KI(F) . ... Литий в танталате калия, KTaO 3 (Li) . ... Германий в теллуриде свинца, PbTe(Ge) . ... Селен в теллуриде германия, GeTe(Se) . Свинец в теллуриде германия, GeTe(Pb) -- новый тип нецентральной примеси большого радиуса . Олово в теллуриде германия, GeTe(Sn) -- новый тип нецентральной примеси большого радиуса . ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/rus/oci_r.html -- 3.0 Кб -- 03.10.2012
Похожие документы
Похожие документы
97. Программа курса "Нелинейная оптика полупроводников и полупроводниковых структур
Природа оптической нелинейности. ... Нелинейные восприимчивости полупроводников. ... Полупроводниковый параметрический генератор. ... Сильные нелинейности в полупроводниках пониженной размерности - двумерных (квантовых ямах, множественных квантовых ямах, сверхрешетках), одномерных (квантовых нитях) и нульмерных (квантовых точках). ... Эффект Штарка экситонов в квазидвумерной полупроводниковой структуре. ... Лазерная спектроскопия полупроводников и полупроводниковых структур пониженной размерности. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/rus/nonlinear.html -- 3.8 Кб -- 03.10.2012
Похожие документы
Похожие документы
98. Сергей Григорьевич Калашников (1906-1984)
Сергей Григорьевич Калашников родился 9 февраля 1906 года в г. Николаеве Херсонской области в семье адвоката. ... С.Г. Калашников был выдающимся ученым, внесшим крупный вклад в различные области физики. ... В 50-е годы он участвовал в работах по ядерной физике. ... В 1961 г. С.Г. Калашников перешел на работу в Институт радиотехники и электроники АН СССР, где создал и возглавил отдел физики полупроводников и руководил им до последних дней жизни. ... История кафедры физики полупроводников ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/rus/kalashnikov.html -- 4.8 Кб -- 03.10.2012
Похожие документы
Похожие документы
99. Программа курса "Введение в физику полупроводников"
... I. Отличительные свойства и основные характеристики полупроводников . ... Подвижность носителей заряда и методы ее экспериментального определения. ... Температурная зависимость концентрации носителей заряда в полупроводниках. ... Качественная картина явлений переноса в полупроводниках. ... Концентрации электронов и дырок в полупроводниках в состоянии термодинамического равновесия. ... Введение в физику полупроводников. ... Физика полупроводников. ... Сборник задач по физике полупроводников. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/rus/introduction.html -- 4.7 Кб -- 03.10.2012
Похожие документы
Похожие документы
100. Программа курса "Физика аморфных гидрированных полупроводников"
... Аморфные гидрированные полупроводники - перспективные тонкопленочные материалы для создания приборов преобразования энергии и регистрации информации. ... Экспериментальные методы исследования ближнего порядка. Структурные модели (модель Полка, микрокристаллические модели). ... Модели плотности состояний. ... Экспериментальные данные для аморфного гидрированного кремния. ... Физика гидрогенизированного аморфного кремния. ... Аморфные полупроводники. ... Другие курсы, читаемые на кафедре ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/rus/disordered2.html -- 3.9 Кб -- 03.10.2012
Похожие документы
Похожие документы