... Успехи физических наук, т. 166, с. 432-434 (1996). ... Proc. 3d Int. Symp. on Quantum confinement: Physics and Application (Electrochemical Society Proc. 95-17), p. 166-177 (1996). ... В.А. Морозова, Т.В. Семененя, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев, С.Ф. Раухман, С.М. Лосева. ... 11 (1996). ... Нелинейные оптические свойства полупроводниковых квантовых проводов и точек. 2-я Росс. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996), с. 65. ... Публикации за другие годы . Кафедра полупроводников МГУ ...
... ФТП, т. 31, в. 10, с. 1174-1179 (1997). ... Вестник МГУ Серия 3 Физика, т. 38, 28-30 (1997). ... 11 (1997). ... Вертикальная проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком. 3-я Всеросс. конф. по физике полупроводников "Полупроводники-97" (Москва, ФИАН). Тез. докл., с. 86. ... Прыжковая термоэдс в режиме баллистического транспорта фононов. 3-я Всеросс. конф. по физике полупроводников "Полупроводники-97" (Москва, ФИАН). ... Публикации за другие годы . Кафедра физики полупроводников ...
... Энергетическая щель в сверхпроводнике. ... Сравнение идеального проводника и сверхпроводника. Эксперимент Мейснера. Модель газа бозонов. ... Эффект Мейснера и глубина проникновения. ... Образование электронных пар. Модель куперовской пары. ... Гамильтониан сверхпроводящего основного состояния. Сверхпроводящее основное состояние. ... Возбуждения из основного состояния. Статистика заполнения для пар и возбуждений при Т=0. ... Другие курсы профиля ...
... Туннельный ток и вольт-амперная характеристики (ВАХ) N-I-N, N-I-S и S-I-S структур. ... Энергия джозефсоновского тока. Температурная зависимость критического тока. Джозефсоновская глубина проникновения магнитного поля в переход и критическое магнитное поле перехода, геометрия джозефсоновского вихря. ... СВЧ-воздействие на джозефсоновский переход. ... Зависимость критического тока перехода от магнитного поля. ... Компоненты тока в джозефсоновском переходе. ... Другие курсы профиля ...
... Равновесная статистика электронов и дырок в полупроводниках. ... Вычисление положения уровня Ферми в собственном полупроводнике. ... Положение уровня Ферми в собственном полупроводнике и в полупроводнике с примесями. ... Статистика электронов и дырок в компенсированных полупроводниках. ... Контакт металл-полупроводник. ... Физика полупроводников. ... Основы физики полупроводников. ... Введение в физику полупроводников. ... Сборник задач по физике полупроводников. ... Другие курсы, читаемые на...
... Эквивалентная схема, основные характеристики. ... Усилитель с общим эмиттером. Двухтактный усилитель. ... Дифференциальный усилитель. ... Основные характеристики, применения. ... Операционный усилитель (ОУ). ... Фильтры, их типы и основные характеристики. ... Фильтры низкой и высокой частоты, полосовой фильтр. ... Фильтр Салена и Ки, фильтры Баттерворта, Чебышева, Бесселя. ... Мягкий и жесткий режимы возбуждения колебаний. ... Введение в теорию колебаний. Другие курсы профиля ...
... Физика основных процессов изготовления систем КМОП-технологии, физические и технологические пределы КМОП-технологии. ... Требования к поверхности твердотельных подложек для нужд наноэлектроники/молекулярной электроники. ... Транспорт заряда в молекулярных системах: способы теоретического описания, методы экспериментального исследования, основные результаты. ... Способы создания молекулярных наноструктур: "разрывные контакты", электрохимический способ, сочетание нанолитографии с встраиванием молекул....
... Предмет рассмотрения: современная микро/нано-электроника, проблемы ее развития и возможные пути их решения. Основные понятия. ... Ортодоксальная" теория одноэлектроники: основные положения. одиночный переход; . ... Возможные применения: . ... Тонкопленочные металлические структуры; . ... Заключительные замечания: полученные к настоящему времени основные результаты в теории и эксперименте; основные нерешенные проблемы; возможные пути и перспективы их решения. Другие курсы профиля ...
... Принцип работы сканирующих зондовых микроскопов (СЗМ). Типы зондов СЗМ, типы датчиков СЗМ, типы систем позиционирования. Что измеряет СЗМ, микроскопия/спектроскопия? ... Методы СЗМ: . сканирующая туннельная микроскопия . атомно-силовая микроскопия . метод камертона . магнитная/емкостная/токовая микроскопия . метод Кельвина и электросиловой методы . ... методы литографии и манипулирования в СЗМ . ... Другие курсы профиля ...
... Отличие сверхпроводников от идеальных проводников. ... Уравнения Лондонов. ... магнитного поля в сверхпроводник. ... Нелокальная электродинамика сверхпроводников. ... Квантовое обобщение уравнения Лондонов. ... Распределение тока и поля в простейших конфигурациях сверхпроводников - пластина в параллельном поле, пластина с током, пластина с током в однородном поперечном магнитном поле, пленка над экраном, принцип замыкания. ... Критические ток и поле тонкой пленки . Другие курсы профиля ...
... Кинетика рекомбинации электронов и дырок. Уравнения кинетики рекомбинации. ... Времена жизни неравновесных носителей. Релаксация концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике в пространственно однородном случае. ... Диффузия, дрейф и рекомбинация в случае пространственно неоднородных неравновесных распределений носителей заряда. ... Межзонная рекомбинация и рекомбинация через локальные уровни. ... Излучательная рекомбинация в прямозонных и непрямозонных полупроводниках. ...
... Металлы, диэлектрики и полупроводники. ... Топологически упорядоченная, топологически неупорядоченная и микрокристаллитная структуры. ... Энергия связи. ... Ионная связь. ... Атомная орбиталь, слой, оболочка. ... Химическая связь и структура молекул. ... Тетраэдрическая структура связей молекул метана. ... Электронная структура и химическая связь в двойных соединениях. ... Структура связей на поверхности. ... Трансляционная симметрия кристалла. ... Группы симметрии. ... Высшая школа, Москва, 1974. ...
... Основные свойства и основные группы полупроводниковых материалов. ... Типы химической связи в твердых телах (ковалентная, ионная, металлическая, молекулярная, водородная) и их связь с электронной структурой составляющих кристалл атомов. ... Эмпирические закономерности образования полупроводниковых фаз. ... Дефекты в полупроводниковых материалах. ... Основные методы наблюдения дислокаций. ... Примеси: замещения и внедрения; электрически активные и электрически неактивные. ... Физика полупроводников. ...
... Конденсированная среда как система сильно взаимодействующих частиц. Структурная единица вещества; структурная единица движения твердого тела. Квазичастицы как элементарные возбуждения в системе взаимодействующих частиц. ... Зонная теория твердого тела. Структура энергетического спектра и волновых функций зонного электрона в кристалле. ... Плазменные колебания плотности электронного газа; элементарная оценка частоты плазменных колебаний. ... Другие курсы, читаемые на кафедре ...
... Окончил физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова в 1953 г. с отличием. Кандидат физ.-мат. наук (1953); доктор физ.-мат. наук (1989). Мл. научный сотрудник, ассистент (1959), доцент (1963) кафедры физики полупроводников физфака МГУ. Профессор (по совместительству, 1990-1993) физ.-техн. факультета Ульяновского филиала МГУ им. М.В. Ломоносова. Доцент (1964), профессор (1993). ... физика полупроводников (для вечернего отделения физфака, 1989-1994; в Ульяновском филиале МГУ 1990-1992) . ...
... Классификация полупроводниковых приборов. ... Вольт-амперная характеристика тонкого p-n-перехода при низком уровне инжекции (модель Шокли). ... Вольт-амперная характеристика p-n-перехода в случае генерации и рекомбинации носителей в области пространственного заряда (модель Са-Нойса-Шокли) при прямом и обратном смещении. ... Вольт-амперная характеристика p-i-n-диода. ... Обратная ветвь вольт-амперной характеристики при туннельном пробое p-n-перехода. ... Физика полупроводниковых приборов. ...
... Место ЭВМ в современном физическом эксперименте. Критерии целесообразности применения вычислительной техники. ... Представление данных в ЭВМ. ... Устройство и принципы работы ЭВМ. Место микропроцессоров в развитии вычислительной техники. ... Принципы последовательной передачи данных. ... Система прерывания: принцип работы, целесообразность применения. ... Прямой доступ к памяти: общие принципы. ... Майоров В.Г., Гаврилов А.И. Практический курс программирования микропроцессорных систем. ...
Часть 1. Введение. ... Особенности изложения данного курса. ... Особенности конденсированного состояния вещества. ... Топологически упорядоченная, топологически неупорядоченная и микрокристаллитная структуры. ... Ионная связь. ... Локальная структура вещества с ненаправленным взаимодействием. ... Химическая связь и структура молекул. ... Трансляционная симметрия кристалла. ... Введение в физику твердого тела. ... Разработка к курсу "Введение в физику конденсированного состояния вещества". ...