Поиск по:semiconductors.phys.msu.ru -
Поискать по всем серверам
На этой странице приведены все страницы сервера semiconductors.phys.msu.ru ,которые мы индексируем. Показаны документы 261 - 276 из 276.
Упорядочить по:
URL
|
дате изменения
261. Figure
Figure 4. The dependence of T c (in K) on composition for Pb 1-x Sn x Te 1-y S y solid solution. The dotted line shows the stability limits for a solid solution according our data.
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f12.html -- 1.3 Кб -- 09.08.1996
Похожие документы
Похожие документы
262. Figure
Figure 3. The dependence of T c (in K) upon composition for Pb 1-x Sn x Te 1-y Se y solid solution. The dotted lines show the stability limits for a solid solution.
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f11.html -- 1.3 Кб -- 09.08.1996
Похожие документы
Похожие документы
263. Figure
Figure 2. The dependence of T c (in K) upon composition for PbS x Se y Te 1-x-y solid solution.
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f10.html -- 1.2 Кб -- 09.08.1996
Похожие документы
Похожие документы
264. Figure
... Typical R(T) plots for PbS x Se y Te 1-x-y and Pb 1-x Sn x Te 1-y Se y solid solutions. Curves 1-5 correspond to the samples of PbS x Se y Te 1-x-y with constant x=0.08 and y=0.21, 0.27, 0.34, 0.40, and 0.46, respectively. Curves 6-12 correspond to the samples of Pb 1-x Sn x Te 1-y Se y with constant x=0.2 and y=0, 0.05, 0.25, 0.33, 0.5, 0.67, and 0.83, respectively. The curves are shifted arbitrary along vertical axis. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f9.html -- 1.8 Кб -- 09.08.1996
Похожие документы
Похожие документы
265. Figure
Figure 8. Dependence of T c upon the concentration N i of different impurities for PbTe 0.92 S 0.08 . 1, Cd; 2, Ga; 3, In; 4, Tl; 5, Sb; 6, Bi; 7, Mn /20/. Dashed line corresponds to the isoelectronic impurity Se.
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f8.html -- 1.4 Кб -- 09.08.1996
Похожие документы
Похожие документы
266. Figure
Figure 7. Temperature dependence of resistivity for PbTe 0.92 S 0.08 crystals doped with different amounts of In (on the left) and Se (on the right). The concentration of indium (in at.%): 1, 0.15; 2, 0.31; 3, 0.49; 4, 0.71. The concentration of Se in the samples of Pb(Te 1-y Se y ) 0.92 S 0.08 (in mol.%): 5, 21; 6, 27; 7, 34; 8, 40; 9, 46 /20/.
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f7.html -- 1.5 Кб -- 09.08.1996
Похожие документы
Похожие документы
267. Figure
Figure 6. Temperature dependence of resistivity for Pb 1-x Sn x Te 1-y Se y crystals with fixed Sn concentration (x=0.2) and variable y /15/. 1, y=0; 2, y=0.05; 3, y=0.25; 4, y=0.33; 5, y=0.5; 6, y=0.67; 7, y=0.83. The insert shows the dependence of T c on y.
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f6.html -- 1.4 Кб -- 09.08.1996
Похожие документы
Похожие документы
268. Figire
Figure 5. a - Local environment of off-center atom in ternary and quaternary solid solutions. Full and dotted circles show different positions of off-center atom. Figure b and c show the potential wells of off-center atom for ternary (solid line) and quaternary (dashed line) solid solutions for the case of high and low barrier height, respectively.
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f5.html -- 1.5 Кб -- 09.08.1996
Похожие документы
Похожие документы
269. Figure
Figure 3. Hysteretic behavior of resistivity near T c for typical sample of Pb 1-x Ge x Te 1-y S y with x=0.009, y=0.068 /13/.
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f3.html -- 1.3 Кб -- 09.08.1996
Похожие документы
Похожие документы
270. Figure
Figure 2. Dependence of T c on z for three quaternary solid solutions (Pb 1-x Ge x Te) 1-z (Pb 1-y Ge y Se) z : 1, x=0.025, y=0.04; 2, x=y=0.06; 3, x=y=0.08.
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f2.html -- 1.3 Кб -- 09.08.1996
Похожие документы
Похожие документы
271. Figure
Figure 1. Temperature dependence of resistivity for (Pb 0.975 Ge 0.025 Te) 1-z (Pb 0.96 Ge 0.04 Se) z samples. 1, z=0; 2, z=0.42; 3, z=0.57; 4, z=0.67; 5, z=0.77; 6, z=0.86; 7, z=0.94; 8, z=1 /12/. The curves were arbitrary shifted along vertical axis. The arrows show the direction of temperature change during recording the curves.
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f1.html -- 1.5 Кб -- 09.08.1996
Похожие документы
Похожие документы
272. http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f17.html
Fig. 5. R(T) curves for Pb 1-x Sn x Te 0.95 S 0.05 samples. 1 - x=0.023, 2 - x=0.046, 3 - x=0.118, 4 - x=0.248, 5 - x=0.358, 6 - x=0.629. Curves 2, 3, 4, 5 are shifted up by 10, 20, 25 and 20 units, respectively. Samples 1-3 are of n-type, 4-6 - of p-type. Arrows indicate the direction of temperature change during recording the curves. The insert shows the dependence of T c on tin concentration.
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f17.html -- 1.5 Кб -- 02.07.1996
Похожие документы
Похожие документы
273. http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f16.html
Fig. 4. R(T) curves for Pb 0.8 Sn 0.2 Te 0.5 Se 0.5 sample, illustrating "quenching" effect. Curves were obtained during slow heating after quenching from 77 to 4.2 K (1) and during subsequent slow cooling (2) and slow heating (3).
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f16.html -- 1.3 Кб -- 02.07.1996
Похожие документы
Похожие документы
274. http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f15.html
Fig. 3. Compositional dependence of T c in Pb 1-x Sn x Te 1-y Se y solid solution.
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f15.html -- 1.2 Кб -- 02.07.1996
Похожие документы
Похожие документы
275. http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f14.html
Fig. 2. R(T) curves for Pb 1-x Sn x Te 0.75 Se 0.25 samples. 1 - x=0.075, 2 - x=0.2, 3 - x=0.3, 4 - x=0.5, 5 - x=0.625, 6 - x=0.85. Curves 2,3,6 are shifted up by 30, 50, and 80 units, respectively, and curve 4 is shifted down by 30 units. Samples 1,2 are of n-type, 3-6 - of p-type. Arrows indicate the direction of temperature change during recording the curves.
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f14.html -- 1.5 Кб -- 02.07.1996
Похожие документы
Похожие документы
276. http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f13.html
Fig. 1. Temperature dependence of resistivity R(T) for Pb 0.8 Sn 0.2 Te 1-y Se y samples. 1 - y=0, 2 - y=0.05, 3 - y=0.25, 4 - y=0.33, 5 - y=0.5, 6 - y=0.67, 7 - y=0.83. Curves 3-7 are shifted up by 35, 55, 75, 130, and 165 units, respectively. All samples are of n-type. Arrows indicate the direction of temperature change during recording the curves. The insert shows the dependence of T c on y.
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f13.html -- 1.5 Кб -- 02.07.1996
Похожие документы
Похожие документы