Поиск по:semiconductors.phys.msu.ru -
Поискать по всем серверам
На этой странице приведены все страницы сервера semiconductors.phys.msu.ru ,которые мы индексируем. Показаны документы 181 - 200 из 276.
Упорядочить по:
URL
|
дате изменения
181. Variable range hopping in hydrogenated amorphous silicon
... We study the effect of high-temperature annealing on the conductivity temperature dependence of a-Si:H films. Two types of films were studied: uniform and nanolayered prepared by cyclic repetition of CVD and hydrogen plasma treatment. It is shown that for annealing temperatures above 450C, the low-temperature conductivity obeys the law ln(sigma) = const - (T 0 /T) n , where the exponent is n = 1/2 for uniform and n = 1/3 for layered films. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/zv2004-3.html -- 2.1 Кб -- 14.10.2006
Похожие документы
Похожие документы
182. Влияние обменного взаимодействия на энергетический спектр электронов в
... Вычислено распределение электронной плотности в легированных сверхрешетках с контролируемым вертикальным беспорядком, обусловленным флуктуациями толщин слоев в направлении роста структуры, при учете обменного взаимодействия. Показано, что при низких температурах обменное взаимодействие приводит к возрастанию разброса уровней размерного квантования и к образованию мягкой щели в распределении концентраций по ямам сверхрешетки. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/zv2003.html -- 2.1 Кб -- 11.10.2006
Похожие документы
Похожие документы
183. Научные публикации кафедры физики полупроводников за 2003 год
... ЖЭТФ, т. 124, в. 6(12), с. 1-8 (2003). ... Кудряшов В.Е., Юнович А.Э. Туннельная излучательная рекомбинация в p-n-гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединений типа AIIIBV. ... Юнович А.Э. Светодиоды как основа освещения будущего. ... Научная конференция "Ломоносовские чтения". Секция физики. 18 - 25 апреля 2003 г. Сб. расширенных тезисов докладов. ... VI Российская конференция по физике полупроводников. ... Публикации за другие годы . Кафедра физики полупроводников ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/list03.html -- 13.5 Кб -- 28.06.2006
Похожие документы
Похожие документы
184. http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/ISFP5.pdf
EXAFS Study of the Local Environment of Pb Impurity in CaTiO3, SrTiO3 and BaTiO3 A.A. Veligzhanin2, A.I. Lebedev1, V.V. Mischenko1, I.A. Sluchinskaya1 and A.A. Chernyshov2 1 Moscow State University, Moscow, 119992, Russia 2 RRC Kurchatov Institute, Moscow, 123182, Russia e-mail: swan@scon155.phys.msu.su Ferroelectric properties of perovskite solid solutions are studied extensively for many years. ... The EXAFS spectra were analyzed in the conventional way [3]. ... Ferroelectric crystals. ...
[
Текст
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/ISFP5.pdf -- 13.8 Кб -- 27.06.2006
Похожие документы
Похожие документы
185. Valentina A. Morozova
... V.A. Morozova, D.I. Pishchikov, S.M. Loseva, O.G. Koshelev and S.F. Marenkin. Optical and photoelectric properties of ZnAs 2 single crystals. ... V.A. Morozova, S.F. Marenkin, T.V. Semenenya, A.M. Raukhman, S.M. Loseva and O.G. Koshelev. Optical and photoelectric properties of CdAs 2 single crystals. ... V.A. Morozova, T.V. Semenenya, S.M. Loseva, O.G. Koshelev, S.F. Marenkin, A.M. Raukhman. ... V.A. Morozova, T.V. Semenenya, S.F. Marenkin, O.G. Koshelev, A.M. Raukhman, S.M. Loseva. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/eng/mo.html -- 2.7 Кб -- 11.03.2006
Похожие документы
Похожие документы
186. Mikhail V. Chukichev
... Ph.D. in Physics (1964) . Cathodoluminescence of semiconductors, physics of defects and of radiation effects in semiconductors. V.S. Vavilov, R.R. Rezvanov and M.V. Chukichev. ... Semiconductors 28 , 522 (1994). M.V. Chukichev, G.D. Jakovlev, S.L. Mokrousov, A.S. Sigov and V.S. Vavilov. ... B.R. Vardanyan, R.R. Rezvanov, M.V. Chukichev and A.E. Yunovich. ... Semiconductors 28 , 155 (1994). S.V. Titkov, A.I. Ivanov, A.S. Marfunin, L.V. Bershov, V.M. Kulakov and M.V. Chukichev. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/eng/ch.html -- 2.7 Кб -- 11.03.2006
Похожие документы
Похожие документы
187. Victor S. Vavilov
Professor of Physics (1921-1999) . ... P.N. Lebedev Gold Medal for outstanding work in Physics (1987) Physics of semiconductors, especially radiation damage, ion implantation methods, luminescence of semiconductors. V.S. Vavilov, V.F. Kiselev and B.N. Mukashev. ... V.S. Vavilov. The peculiarities of the physics of wide band-gap semiconductors and their applications. Uspekhi Fizicheskikh Nauk 164 , 287 (1994). ... Uspekhi Fizicheskikh Nauk 164 , 429 (1994). ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/eng/va.html -- 2.3 Кб -- 11.03.2006
Похожие документы
Похожие документы
188. Нецентральность примесных атомов Pb и Sn, индуцированная сильным локальным
... С помощью исследований EXAFS в образцах Ge 0.9 Pb 0.1 Te и Ge 0.85 Sn 0.15 Te обнаружена нецентральность примесных атомов большого размера - атомов Pb и Sn, замещающих атомы Ge в решетке GeTe. Переход примесных атомов в нецентральное положение в условиях сильного локального напряжения объясняется участием неподеленной электронной пары примесных атомов в образовании химической связи. ... Это означает, что локальное окружение атомов Pb в Ge 0.9 Pb 0.1 Te и PbTe качественно различны. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/jetpl_r.html -- 11.5 Кб -- 17.02.2006
Похожие документы
Похожие документы
189. Исследование методом EXAFS-спектроскопии влияния примесей на фазовый переход в
... Методом EXAFS-спектроскопии изучено локальное окружение примесных атомов Se, Pb и Mn в GeTe. Показано, что слабое влияние примеси Se на температуру фазового перехода T c связано с ее "нецентральностью" по отношению к смещениям перпендикулярно полярной оси, а сильное понижение T c при легировании Pb и Mn определяется характером химической связи в случае атомов Mn и сильными локальными напряжениями в случае атомов Pb. ... Выше мы показали, что атомы Pb выступают в решетке как центры дилатации. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/ferr14_r.html -- 18.8 Кб -- 17.02.2006
Похожие документы
Похожие документы
190. EXAFS studies of the interaction of Ge off-center atoms and impurities in GeTe
... The influence of impurities on the ferroelectric phase transitions was the subject of intensive studies in recent years. ... The purpose of this work was to study the environment of different impurities and the Ge atoms in GeTe in order to elucidate the mechanisms of the interaction between off-center Ge atoms and impurities. ... EXAFS experiments were done at Daresbury Laboratory on GeTe 1-x Se x (x=0.1-0.3), Ge 0.9 Pb 0.1 Te and Ge 1-x Mn x Te (x=0.1, 0.2) samples at 77 K in transmission mode. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/emf8.html -- 4.1 Кб -- 17.02.2006
Похожие документы
Похожие документы
191. Off-centering of Pb and Sn impurities in GeTe induced by strong local stress
... All known experimental data about off-center impurities were related so far to small atoms which substitute for larger atoms in crystals. In this work we shall present the first direct observation of the off-centering of large Pb and Sn substitutional impurities in GeTe. ... The data were explained by the activation of unshared s 2 electron pair of Sn and Pb impurities in chemical bonding under the condition of high local stress induced by these impurities in GeTe lattice. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/xafs9.html -- 2.8 Кб -- 17.02.2006
Похожие документы
Похожие документы
192. Influence of Se, Pb and Mn impurities on the ferroelectric phase transition in
The paper is published in Phase Transitions , 60 , p. 67-77 (1997). ... EXAFS was used to study the local environment of Se, Pb and Mn impurity atoms in germanium telluride. ... Keywords: Ferroelectric phase transition; impurities; Curie temperature; off-center ions; EXAFS spectroscopy. It is well known that impurities and defects exert strong influence on the ferroelectric phase transitions in crystals. ... Influence of dopants on ferroelectric phase transitions in PbTeS and PbGeTe. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/phtr.html -- 23.3 Кб -- 17.02.2006
Похожие документы
Похожие документы
193. Учет квантовых эффектов при обработке спектров EXAFS в системах с высокой
... Эти объекты характеризуются высоким ангармонизмом колебаний поверхностных атомов, и поэтому необходимо развитие адекватных методов обработки экспериментальных данных. В работе [1] нами был предложен метод обработки спектров EXAFS систем с высокой степенью ангармонизма в классическом приближении. Однако при низких температурах в таких системах может оказаться принципиальным учет квантовых эффектов в движении атомов. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/rsne2005.html -- 3.6 Кб -- 25.11.2005
Похожие документы
Похожие документы
194. Экранирование вертикального беспорядка в легированных полупроводниковых
... Проведен расчет энергетического спектра электронов в легированных сверхрешетках с контролируемым беспорядком при учете кулоновских полей, возникающих за счет перераспределения электронов между квантовыми ямами. С помощью подхода, основанного на теории функционала плотности, и с использованием численных методов изучено влияние экранирования на вертикальный беспорядок, в частности, на распределение уровней размерного квантования в таких структурах. ... Текст статьи в формате PDF (100 K) . ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/zv1999-1.html -- 2.4 Кб -- 12.11.2005
Похожие документы
Похожие документы
195. http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/PhysicaScripta_115_365.pdf
... T115, 365368, 2005 Determination of Tm Charge State in PbTe (Tm) by XANES Method A. I. Lebedev1 , I. A. Sluchinskaya1* , S. G. Nikitenko2 and S. G. Dorofeev 1 2 3 3 Physics Department, Moscow State University, Leninskie gory, 119899 Moscow, Russia Institute of Catalysis, 630090 Novosibirsk, Russia Chemistry Department, Moscow State University, Leninskie gory, 119899 Moscow, Russia Received June 26, 2003; accepted November 4, 2003 pacs numbers: 61.10.Ht, 72.80 ...
[
Текст
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/PhysicaScripta_115_365.pdf -- 77.8 Кб -- 22.04.2005
Похожие документы
Похожие документы
196. A new method for determining parameters of the potential well of off-center
... A new method is proposed that makes it possible to determine the parameters of the three-dimensional (3D) multiwell potential of off-center atoms from extended X-ray absorption fine-structure (EXAFS) data. ... The parameters of the multiwell potential for Ge atoms in the Sn 1-x Ge x Te solid solution as functions of temperature and composition (77<T<300 K, x>0.4) were obtained in the classical approximation. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/CRRS94.html -- 2.7 Кб -- 15.01.2005
Похожие документы
Похожие документы
197. http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/PhysRevB_55_p14770.pdf
... The local environment of these atoms in Ge0.9Pb0.1Te and Ge0.85Sn0.15Te solid solutions was shown to be strongly distorted in comparison with that in binary PbTe and SnTe compounds. ... EXAFS function k ( k ) obtained at the Pb L III edge for Ge0.9Pb0.1Te and PbTe samples at 80 K. Points indicate filtered data ( R 1.4 4.3 е ; solid line is the best theoretical approximation within the model with two Pb-Te distances in the first shell and equal Pb-Ge and Pb-Pb distances in the second shell. ...
[
Текст
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/PhysRevB_55_p14770.pdf -- 66.3 Кб -- 08.01.2005
Похожие документы
Похожие документы
198. http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/CRRS94.pdf
... The main features of this approach are the expansion of the 3D potential of a cluster in a power series of an atomic displacement taking into account the restrictions imposed by the lattice-site symmetry and exact 3D integration of the distribution function in calculations of EXAFS spectra. The parameters of the multiwell potential for Ge atoms in the Sn1 н xGexTe solid solution as functions of temperature and composition (77 T 300 K, x 0.4) were obtained in the classical approximation. ...
[
Текст
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/CRRS94.pdf -- 56.5 Кб -- 16.12.2004
Похожие документы
Похожие документы
199. Оптические свойства экситонов в квантовых нитях полупроводник (InP) --
... В.С. Днепровский , Е.А. Жуков, Н.Ю. Маркова, Е.А. Муляров, К.А. Черноуцан, О.А. Шалыгина . ... Особенности спектров поглощения, люминесценции, эффективности люминесценции при возбуждении образцов излучением лазера различной поляризации, нелинейная зависимость интенсивности люминесценции от уровня возбуждения объяснены экситонными переходами в квантовых нитях полупроводник (InP)--диэлектрик (хризотил асбест). ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/dn2000-1.html -- 2.6 Кб -- 08.12.2003
Похожие документы
Похожие документы
200. http://semiconductors.phys.msu.ru/header.html
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://semiconductors.phys.msu.ru/header.html -- 1.2 Кб -- 07.12.2003
Похожие документы
Похожие документы