... В рамках этого подхода в классическом приближении найдены зависимости параметров многоямного потенциала атома Ge от температуры и состава в ряде образцов твердого раствора Sn 1-x Ge x Te (77<T<300 K, x>0.4). ...
... Настоящий метод был применен к задаче о движении атома Ge в сильно ангармоническом анизотропном потенциале в кристаллах GeTe и твердого раствора Ge0.7Sn0.3Te. ...
... примеси азота в GaP и твердых растворах продолжался на кафедре много лет как в связи ... отражения узкозонных полупроводников типа твердых растворов теллурида кадмия-ртути ...
... В начале 90-х гг. японский инженер Ш. Накамура изобрел способы и устройства, которые позволили создать светодиоды на основе полупроводников типа нитрида галлия - GaN и его твердых растворов. ...
... время в лаборатории проводятся исследования катодолюминесценции таких перспективных для микро- и оптоэлектроники широкозонных полупроводников как нитрид галлия (GaN), алмаз, оксид цинка (ZnO), а также твердых растворов и гетероструктур на их основе ...
... Один И.Н., Чукичев М.В., Гапанович М.В., Новиков Г.Ф. Люминесцентные свойства твердых растворов на основе теллурида кадмия в системах CdTe-Ga2Te3, CdTe-GaTe. ...