... Влияние температуры и легирования на проводимость. 6. ... модель Роуза, рекомбинация на глубоких состояниях, влияние легирования и температуры ... 1. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1, 2. ...
... Казанский А.Г., Хабарова К.Ю. Фотоиндуцированные изменения плотности электронных состояний в щели подвижности компенсированного a-Si:H. Материалы электронной техники, в. 1, с. 63-65 (2006). ...
... Влияние температуры на спектральные зависимости коэффициента поглощения. ... Влияние температуры и концентрации примесей на спектральные зависимости. ... Учет поляризации электронных оболочек ионов. Соотношение Лиддана, Закса и Теллера. ...
... Материалы электронной техники, N 1, c. 56-60 (1999). Г.А. Александрова, О.Н. Ермаков, М.В. Чукичев. ... Повышение температуры светодиодов на основе нитрида галлия при больших токах и проблемы их деградации. ...
... что слабое влияние примеси Se на температуру фазового перехода T c связано с ее ... корреляции между структурным положением примеси и температурой ФП в этих кристаллах ...
... О релаксационных характеристиках и стабильности пленок a-Si:H, выращенных при высоких температурах. ... Фотоиндуцированные эффекты в пленках a-Si:H при повышенных температурах. Вестник МГУ Серия 3 Физика, т. 38, 28-30 (1997). ...
... Материалы электронной техники. Известия вузов, в. 3, с. 45-48 (2010). ... светодиодов белого свечения на основе гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN, покрытых различными люминофорами, от температуры ...
... Применение методов импедансной спектроскопии к анализу особенностей механизмов электронного переноса в неупорядоченных средах ... пленок a-Si:H после их освещения при температурах выше 140 С. Сборник трудов IX Международной конференции "Аморфные и ...