... Уравнения Максвелла в среде с поглощением и основные оптические параметры. ... Межзонное поглощение в прямозонных полупроводниках. ... Особенности поглощения света в вырожденных полупроводниках. Эффект Бурштейна-Мосса, Поглощение света в сильнолегированных и неупорядоченных полупроводниках. ... Экситонное поглощение в полупроводниках. ... Поглощение света свободными носителями заряда в полупроводниках. ... Поглощение света колебаниями решетки в полупроводниках. ... Оптика полупроводников. ...
... Примеры мезоскопических систем, эксперименты по их исследованию. ... Методы исследования мезоскопических структур (сканирующая зондовая микроскопия, оптические методы). ... Энергетический спектр мезоскопических структур (квантовые ямы, сверхрешетки, квантовые проволоки и квантовые точки). ... Свободные и связанные экситоны в мезоскопических системах, экситоны в двумерных, одномерных и нульмерных системах (квантовых ямах, квантовых проволоках и квантовых точках). ... Оптические свойства квантовых ям....
Основы полупроводниковой нанотехнологии] (9-й семестр, 36 часов, экзамен) . ... Перспективные наноматериалы и направления нанотехнологии. ... Эпитаксия. ... Эпитаксиальные методы роста пленок. Методы жидкостной эпитаксии. Эпитаксия из газообразной фазы: метод химических реакций, газотранспортная эпитаксия. ... Квантовый размерный эффект и низкоразмерные структуры. ... Низкоразмерные структуры. ... V. Методы получения квантово-размерных структур. ... Зондовые методы создания структур. ...
... Электронные состояния примесей и дефектов . Зонная структура электронного энергетического спектра идеального полупроводника. ... Модель потенциала нулевого радиуса. ... Модель Хаббарда. ... Плотность электронных состояний в сильно легированных полупроводниках. Андерсоновская локализация электронных состояний. ... Влияние размерности системы на локализацию электронных состояний. ... Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. ... Физика и геометрия беспорядка. ...
... Наноразмерные полевые и зарядовые сенсоры. Одноэлектронные [1-2] и полевые транзисторы [3] (чувствительность, рабочая температура, устройства на их основе). Наномеханические структуры [4]. ... Биосенсоры на основе наноразмерных структур. Полупроводниковый нанопровод - основа сенсорных структур для детектирования белков, ДНК и вирусов [5-6]. ... Детекторы и сенсоры на основе наноэлектромеханических систем (НЭМС). ... Foundations of nanomechanics" (Springer, Berlin, 2003). ... Другие курсы ...
... Диэлектрическая спектроскопия как метод анализа особенностей механизмов переноса носителей заряда в материале. Модель неупорядоченной среды. ... Теория бесфононной прыжковой проводимости неупорядоченных полупроводников. Особенности частотной зависимости бесфононной проводимости. ... Особенности частотной зависимости бесфононной проводимости неупорядоченных гранулированных систем. Теория высокочастотной релаксационной прыжковой проводимости неупорядоченных полупроводников. ...
... Биполярные транзисторы . Принцип действия. ... Дрейфовые транзисторы. ... Эффект "сжатия" эмиттерного тока. ... Шумы в полупроводниках и полупроводниковых приборах (тепловой, дробовой, избыточный, поверхностный). ... Полевые транзисторы . ... Полевые транзисторы с изолированным затвором, их устройство и принцип работы. ... Быстродействие полевых транзисторов и пути его дальнейшего повышения (эффект всплеска скорости, баллистический перенос, HEMT-транзисторы). ... Физика полупроводниковых приборов. ...
Спектроскопия рентгеновского поглощения (XAFS), включающая в себя изучение как дальней (EXAFS), так и околокраевой структуры (XANES) в спектрах поглощения, является мощным методом структурных исследований. ... A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, V.N. Demin and I.H. Munro. ... А.И. Лебедев, И.А. Случинская, В.Н. Демин, И. Манро. ... А.И. Лебедев, А.В. Мичурин, И.А. Случинская, В.Н. Демин, И. Манро. ... Новый метод определения параметров потенциальной ямы нецентральных атомов с помощью EXAFS-спектроскопии. ...
... Защитил кандидатскую диссертацию на тему "Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком" в 2000 году. ... I.P. Zvyagin, M.A. Ormont. ... И.П. Звягин, М.А. Ормонт. ... I.P. Zvyagin, M.A. Ormont, K.E. Borisov. ... I.P. Zvyagin, M.A. Ormont, S.D. Baranovskii, P. Thomas. ... И.П. Звягин, А.Г. Миронов, М.А. Ормонт. ... Ormont M.A., Zvyagin I.P. Hopping Conductivity of Disordered Semiconductors in the Intermediate Frequency Range. ...
... И.А. Курова, Э.В. Ларина, Н.Н. Ормонт. ... Курова И.А., Ормонт Н.Н. Влияние спектрального состава света на температурную зависимость и величину фотопроводимости слоистых пленок a-Si:H. Известия высших учебных заведений. ... Курова И.А., Ормонт Н.Н. Об особенностях процессов рекомбинации в слоистых пленках a-Si:H. Физ. и техн. полупроводн., т. 46, в. 3, с. 330-333 (2012). Курова И.А., Ормонт Н.Н. О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках a-Si:H. ФТП, т. 47, в. 6, с.757-760 (2013). ...
... И.А. Курова, Э.В. Ларина, Н.Н. Ормонт. ... Курова И.А., Ормонт Н.Н. Влияние спектрального состава света на температурную зависимость и величину фотопроводимости слоистых пленок a-Si:H. Известия высших учебных заведений. ... Курова И.А., Ормонт Н.Н. Об особенностях процессов рекомбинации в слоистых пленках a-Si:H. Физ. и техн. полупроводн., т. 46, в. 3, с. 330-333 (2012). Курова И.А., Ормонт Н.Н. О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках a-Si:H. ФТП, т. 47, в. 6, с.757-760 (2013). ...
... И.П. Звягин. ... P. Thomas, I.P. Zvyagin. ... Phys. Stat. ... I.P. Zvyagin, M.A. Ormont, K.E. Borisov. Hopping transport equation for electrons in superlattices with vertical disorder. ... Phys. Status Solidi B 230 (1), 193 (2002). ... Percolation approach to hopping transport in organic disordered solids. ... I.P. Zvyagin. ... AC hopping transport in disordered materials. ... Ormont M.A., Zvyagin I.P. Hopping Conductivity of Disordered Semiconductors in the Intermediate Frequency Range. ...
... Canadian Journal of Physics, v. 92, No. 7/8, p. 883-887 (2014). ... Физика и техника полупроводников, т. 48, в. 2, с. 203-206 (2014). ... 825 (2014). ... Book of Abstracts of Sixth International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Application (Leeds, 2014), p. 236. ... Труды 57-й научной конференции МФТИ с международным участием, посвященной 120-летию со дня рождения П.Л. Капицы (Москва, 2014), с. 59-61. ... Публикации за другие годы . Кафедра полупроводников МГУ ...
Земсков В.С., Лебедев А.И., Стрельникова И.А. Полупроводниковый материал и способ его получения. ... Патент 2019890, приоритет от 28 июня 1991г., зарегистрир. 15 сентября 1994г. Кошелев О.Г., Козлов Р.И. Способ определения скорости рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах. ... Патент 2536775, приоритет от 14 ноября 2012г., опубл. 27 декабря 2014г. Научные публикации сотрудников кафедры ...
... Электричество. 1-е изд.: Гостехиздат, 1956, 664 с., 2-е изд.: М., Наука, 1964, 666 с, 3-е изд: М., Наука, 1970, 666 с., 4-е изд.: М., Наука, 1977, 592 с., 5-е изд.: М., Наука, 1985, 576 с., 6-е изд.: ... Действие излучений на полупроводники. ... Сборник задач по физике полупроводников. 1-е изд.: 1968, 2-е изд.: ... Спецпрактикум по физике полупроводников. ... М., Изд. ... Физика полупроводников. 1-е изд.: ... М., Физматлит, 2008, 488 с. Научные публикации сотрудников кафедры ...