Поиск по:scon155.phys.msu.su -
Поискать по всем серверам
На этой странице приведены все страницы сервера scon155.phys.msu.su ,которые мы индексируем. Показаны документы 181 - 200 из 287.
Упорядочить по:
URL
|
дате изменения
181. X-ray diffraction investigations of phase transitions in narrow-gap IV-VI
... Phys. Solid State 30 , N 2, 303 (1988). ... An X-ray diffraction investigation was made of the distortions of the fcc lattice in a series of solid solutions of IV-VI semiconductors in which low-temperature phase transitions were expected. ... Keywords: semiconductor solid solutions, lead tin telluride, lead telluride sulfide, lead germanium telluride, lead germanium telluride selenide, indium, sulfur, Curie temperature . ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/pbgetese_e.html -- 2.9 Кб -- 23.12.2006
Похожие документы
Похожие документы
182. Структура и электрические свойства твердых растворов InTeSe и InGaTe
... Методом EXAFS-спектроскопии исследовано локальное окружение атомов Ga, Tl и Se в твердых растворах на основе InTe. ... Измерениями электрических свойств установлено, что твердые растворы In 1-x Ga x Te и InTe 1-x Se x становятся полупроводниками при x>0.24 и x>0.15, соответственно. Ключевые слова: рентгеновская EXAFS спектроскопия, локальное окружение, полупроводники, теллурид селенид индия, теллурид индия галлия, теллурид индия таллия . ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/inte_r.html -- 2.5 Кб -- 23.12.2006
Похожие документы
Похожие документы
183. Off-centering of Pb and Sn impurities in GeTe
... X-ray absorption fine structure studies of the local structure of large Pb and Sn substitutional impurities in GeTe were carried out. ... The off-centering of Pb and Sn impurities is explained by participation of their deeply lying 6s 2 and 5s 2 lone electron pairs in chemical bonding in the condition of strong local stress created by these impurities in the lattice. ... Other works on off-center impurities ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/prb.html -- 2.9 Кб -- 23.12.2006
Похожие документы
Похожие документы
184. Determination of Tm charge state in PbTe(Tm) by XANES method
... The local environment and the charge state of Tm atoms in PbTe were studied by EXAFS and XANES techniques at the L III absorption edge of Tm (8.648 keV). It was revealed that Tm atoms predominantly substitute for Pb atoms in PbTe and are surrounded by Te atoms at a distance of 2.99 0.02 A. Tm atoms were found to be in Tm 3+ charge state independently of the section of the phase diagram used for Tm doping. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/pbtmte.html -- 2.7 Кб -- 23.12.2006
Похожие документы
Похожие документы
185. Новый метод определения параметров потенциальной ямы нецентральных атомов с
... Предложен новый метод, позволяющий из данных EXAFS определить параметры трехмерного многоямного потенциала нецентральных атомов. ... В рамках этого подхода в классическом приближении найдены зависимости параметров многоямного потенциала атома Ge от температуры и состава в ряде образцов твердого раствора Sn 1-x Ge x Te (77<T<300 K, x>0.4). ... Другие работы по исследованию с помощью XAFS ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/rsne2003.html -- 2.6 Кб -- 23.12.2006
Похожие документы
Похожие документы
186. Generalized pair approximation in the description of ate AC conductivity of a
... The frequency dependence of the hopping conductivity of dense arrays of semiconductor quantum dots of size a substantially exceeding the edge-to-edge separation w between neighboring quantum dots is considered. It is shown that at low frequencies in a wide frequency range the conductivity obeys a fractional power law and its magnitude depends on the structural characteristics of the material. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/zv2006-2.html -- 2.1 Кб -- 14.10.2006
Похожие документы
Похожие документы
187. Variable range hopping in hydrogenated amorphous silicon
... We study the effect of high-temperature annealing on the conductivity temperature dependence of a-Si:H films. Two types of films were studied: uniform and nanolayered prepared by cyclic repetition of CVD and hydrogen plasma treatment. It is shown that for annealing temperatures above 450C, the low-temperature conductivity obeys the law ln(sigma) = const - (T 0 /T) n , where the exponent is n = 1/2 for uniform and n = 1/3 for layered films. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/zv2004-3.html -- 2.1 Кб -- 14.10.2006
Похожие документы
Похожие документы
188. Влияние обменного взаимодействия на энергетический спектр электронов в
... Вычислено распределение электронной плотности в легированных сверхрешетках с контролируемым вертикальным беспорядком, обусловленным флуктуациями толщин слоев в направлении роста структуры, при учете обменного взаимодействия. Показано, что при низких температурах обменное взаимодействие приводит к возрастанию разброса уровней размерного квантования и к образованию мягкой щели в распределении концентраций по ямам сверхрешетки. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/zv2003.html -- 2.1 Кб -- 11.10.2006
Похожие документы
Похожие документы
189. Научные публикации кафедры физики полупроводников за 2003 год
... ЖЭТФ, т. 124, в. 6(12), с. 1-8 (2003). ... Кудряшов В.Е., Юнович А.Э. Туннельная излучательная рекомбинация в p-n-гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединений типа AIIIBV. ... Юнович А.Э. Светодиоды как основа освещения будущего. ... Научная конференция "Ломоносовские чтения". Секция физики. 18 - 25 апреля 2003 г. Сб. расширенных тезисов докладов. ... VI Российская конференция по физике полупроводников. ... Публикации за другие годы . Кафедра физики полупроводников ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/list03.html -- 13.5 Кб -- 28.06.2006
Похожие документы
Похожие документы
190. http://scon155.phys.msu.su/publ/ISFP5.pdf
EXAFS Study of the Local Environment of Pb Impurity in CaTiO3, SrTiO3 and BaTiO3 A.A. Veligzhanin2, A.I. Lebedev1, V.V. Mischenko1, I.A. Sluchinskaya1 and A.A. Chernyshov2 1 Moscow State University, Moscow, 119992, Russia 2 RRC Kurchatov Institute, Moscow, 123182, Russia e-mail: swan@scon155.phys.msu.su Ferroelectric properties of perovskite solid solutions are studied extensively for many years. ... The EXAFS spectra were analyzed in the conventional way [3]. ... Ferroelectric crystals. ...
[
Текст
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/ISFP5.pdf -- 13.8 Кб -- 27.06.2006
Похожие документы
Похожие документы
191. Valentina A. Morozova
... V.A. Morozova, D.I. Pishchikov, S.M. Loseva, O.G. Koshelev and S.F. Marenkin. Optical and photoelectric properties of ZnAs 2 single crystals. ... V.A. Morozova, S.F. Marenkin, T.V. Semenenya, A.M. Raukhman, S.M. Loseva and O.G. Koshelev. Optical and photoelectric properties of CdAs 2 single crystals. ... V.A. Morozova, T.V. Semenenya, S.M. Loseva, O.G. Koshelev, S.F. Marenkin, A.M. Raukhman. ... V.A. Morozova, T.V. Semenenya, S.F. Marenkin, O.G. Koshelev, A.M. Raukhman, S.M. Loseva. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/eng/mo.html -- 2.7 Кб -- 11.03.2006
Похожие документы
Похожие документы
192. Mikhail V. Chukichev
... Ph.D. in Physics (1964) . Cathodoluminescence of semiconductors, physics of defects and of radiation effects in semiconductors. V.S. Vavilov, R.R. Rezvanov and M.V. Chukichev. ... Semiconductors 28 , 522 (1994). M.V. Chukichev, G.D. Jakovlev, S.L. Mokrousov, A.S. Sigov and V.S. Vavilov. ... B.R. Vardanyan, R.R. Rezvanov, M.V. Chukichev and A.E. Yunovich. ... Semiconductors 28 , 155 (1994). S.V. Titkov, A.I. Ivanov, A.S. Marfunin, L.V. Bershov, V.M. Kulakov and M.V. Chukichev. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/eng/ch.html -- 2.7 Кб -- 11.03.2006
Похожие документы
Похожие документы
193. Victor S. Vavilov
Professor of Physics (1921-1999) . ... P.N. Lebedev Gold Medal for outstanding work in Physics (1987) Physics of semiconductors, especially radiation damage, ion implantation methods, luminescence of semiconductors. V.S. Vavilov, V.F. Kiselev and B.N. Mukashev. ... V.S. Vavilov. The peculiarities of the physics of wide band-gap semiconductors and their applications. Uspekhi Fizicheskikh Nauk 164 , 287 (1994). ... Uspekhi Fizicheskikh Nauk 164 , 429 (1994). ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/eng/va.html -- 2.3 Кб -- 11.03.2006
Похожие документы
Похожие документы
194. Нецентральность примесных атомов Pb и Sn, индуцированная сильным локальным
... С помощью исследований EXAFS в образцах Ge 0.9 Pb 0.1 Te и Ge 0.85 Sn 0.15 Te обнаружена нецентральность примесных атомов большого размера - атомов Pb и Sn, замещающих атомы Ge в решетке GeTe. Переход примесных атомов в нецентральное положение в условиях сильного локального напряжения объясняется участием неподеленной электронной пары примесных атомов в образовании химической связи. ... Это означает, что локальное окружение атомов Pb в Ge 0.9 Pb 0.1 Te и PbTe качественно различны. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/jetpl_r.html -- 11.5 Кб -- 17.02.2006
Похожие документы
Похожие документы
195. Исследование методом EXAFS-спектроскопии влияния примесей на фазовый переход в
... Методом EXAFS-спектроскопии изучено локальное окружение примесных атомов Se, Pb и Mn в GeTe. Показано, что слабое влияние примеси Se на температуру фазового перехода T c связано с ее "нецентральностью" по отношению к смещениям перпендикулярно полярной оси, а сильное понижение T c при легировании Pb и Mn определяется характером химической связи в случае атомов Mn и сильными локальными напряжениями в случае атомов Pb. ... Выше мы показали, что атомы Pb выступают в решетке как центры дилатации. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/ferr14_r.html -- 18.8 Кб -- 17.02.2006
Похожие документы
Похожие документы
196. EXAFS studies of the interaction of Ge off-center atoms and impurities in GeTe
... The influence of impurities on the ferroelectric phase transitions was the subject of intensive studies in recent years. ... The purpose of this work was to study the environment of different impurities and the Ge atoms in GeTe in order to elucidate the mechanisms of the interaction between off-center Ge atoms and impurities. ... EXAFS experiments were done at Daresbury Laboratory on GeTe 1-x Se x (x=0.1-0.3), Ge 0.9 Pb 0.1 Te and Ge 1-x Mn x Te (x=0.1, 0.2) samples at 77 K in transmission mode. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/emf8.html -- 4.1 Кб -- 17.02.2006
Похожие документы
Похожие документы
197. Off-centering of Pb and Sn impurities in GeTe induced by strong local stress
... All known experimental data about off-center impurities were related so far to small atoms which substitute for larger atoms in crystals. In this work we shall present the first direct observation of the off-centering of large Pb and Sn substitutional impurities in GeTe. ... The data were explained by the activation of unshared s 2 electron pair of Sn and Pb impurities in chemical bonding under the condition of high local stress induced by these impurities in GeTe lattice. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/xafs9.html -- 2.8 Кб -- 17.02.2006
Похожие документы
Похожие документы
198. Influence of Se, Pb and Mn impurities on the ferroelectric phase transition in
The paper is published in Phase Transitions , 60 , p. 67-77 (1997). ... EXAFS was used to study the local environment of Se, Pb and Mn impurity atoms in germanium telluride. ... Keywords: Ferroelectric phase transition; impurities; Curie temperature; off-center ions; EXAFS spectroscopy. It is well known that impurities and defects exert strong influence on the ferroelectric phase transitions in crystals. ... Influence of dopants on ferroelectric phase transitions in PbTeS and PbGeTe. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/phtr.html -- 23.3 Кб -- 17.02.2006
Похожие документы
Похожие документы
199. Учет квантовых эффектов при обработке спектров EXAFS в системах с высокой
... Эти объекты характеризуются высоким ангармонизмом колебаний поверхностных атомов, и поэтому необходимо развитие адекватных методов обработки экспериментальных данных. В работе [1] нами был предложен метод обработки спектров EXAFS систем с высокой степенью ангармонизма в классическом приближении. Однако при низких температурах в таких системах может оказаться принципиальным учет квантовых эффектов в движении атомов. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/rsne2005.html -- 3.6 Кб -- 25.11.2005
Похожие документы
Похожие документы
200. Экранирование вертикального беспорядка в легированных полупроводниковых
... Проведен расчет энергетического спектра электронов в легированных сверхрешетках с контролируемым беспорядком при учете кулоновских полей, возникающих за счет перераспределения электронов между квантовыми ямами. С помощью подхода, основанного на теории функционала плотности, и с использованием численных методов изучено влияние экранирования на вертикальный беспорядок, в частности, на распределение уровней размерного квантования в таких структурах. ... Текст статьи в формате PDF (100 K) . ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/zv1999-1.html -- 2.4 Кб -- 12.11.2005
Похожие документы
Похожие документы