Работа опубликована в Соросовском образовательном журнале, т. 6, в. 8, с. 88-92 (2000). В.С. Днепровский . Увеличение энергии связи и силы осциллятора экситонов в наноструктурах и усиление кулоновского взаимодействия между электроном и дыркой, образующими экситон, в наноструктурах полупроводник-диэлектрик позволяют создавать работающие при комнатной температуре приборы, действие которых основано на физических процессах, определяемых экситонными состояниями. Текст статьи в формате PDF . ...