Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.phys.msu.ru/upload/iblock/38c/Izv.doc Дата изменения: Wed Aug 27 23:34:46 2008 Дата индексирования: Mon Oct 1 20:17:15 2012 Кодировка: koi8-r

Первое информационное сообщение
Девятая конференция
«Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V

(GaAs-2006) »

3 - 5 октября 2006 г., Томск, Россия

Конференция «GaAs-2006» продолжает традиции, заложенные на предыдущих
конференциях, проведенных в г. Томске в 1965, 1968, 1974, 1978, 1982, 1987,
1999 и 2002 гг.
Настоящая, Девятая конференция носит статус международной и посвящена
актуальным проблемам физики, технологии, применения арсенида галлия и
других полупроводниковых соединений группы III-V.
Цель конференции - обмен информацией о современных направлениях и
состоянии исследований, развитие научных и научно-технических контактов
между исследователями, разработчиками, производителями и потребителями
материалов и приборов на основе полупроводников группы III-V как из России,
так и зарубежных стран.

Тематика конференции:

. объемные кристаллы и пленки: рост, свойства, примеси, дефекты;
. многослойные структуры, гетероструктуры, сверхрешетки, кластеры;
. низкоразмерные структуры: энергетический спектр, электронный транспорт,
оптические свойства, спиновые явления;
. трансмутационное и ионное легирование, радиационные эффекты;
. детекторы ионизирующих излучений;
. полупроводниковые сенсоры (температуры, давления, состава газа,
магнитного поля);
. оптоэлектронные приборы: солнечные элементы, светодиоды, фотоприемники;
. твердотельные электронные устройства и компоненты.

Организатор конференции ( Томский государственный университет


при содействии:

. Института физики полупроводников СО РАН (Новосибирск),
. Сибирского физико-технического института (Томск),
. Института физики высоких энергий (Протвино),
. Института неорганической химии СО РАН (Новосибирск),
. НПФ «МИКРАН» (Томск),
. ОАО «НИИПП» (Томск),
. ФГНЦ РФ Научно-исследовательский физико-химический институт (Обнинск),
. ФГУП «Гиредмет» (Москва),
. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (С.-Петербург).


и поддержке:


Международного научно-технического центра,

. Российского фонда фундаментальных исследований,
. Федерального агентства по науке и инновациям РФ,
. Научного совета РАН "Радиационная физика твердого тела",
. Научного совета РАН "Физико-химические основы материаловедения
полупроводников",
. Азиатско-тихоокеанской академии материалов.


Международный оргкомитет



Председатель:

Асеев А.Л. Россия

Сопредседатели:


Кузнецов Ф.А. Россия

Майер Г.В. Россия

Сифферт П. Франция

Ученый секретарь:

Брудный В.Н. Россия

Члены оргкомитета:
Воробьев А.П. Россия
Гюнтер В.Я. Россия
Зинченко В.И. Россия
Ивонин И.В. Россия
Колин Н.Г. Россия
Лапидус О.В. Россия
Марков А.В. Россия
Ненонен С. Финляндия
Нишизава Дж.И. Япония
Пиртон К.Дж. США
Поспишил С. Чехия
Пчеляков О.П. Россия
Толбанов О.П. Россия
Яук Э.Ф. Россия

Программный комитет

Гермогенов В.П. председатель, ТГУ, Томск,
Божков В.Г. ОАО НИИПП, Томск,
Вилисов А.А. ОАО НИИПП, Томск,
Вилисова М.Д. СФТИ, Томск,
Караваев Г.Ф. ТГУ, Томск,
Косинова М.Л. ИНХ СО РАН, Новосибирск,
Лаврентьева Л.Г. ТГУ, Томск,
Преображенский В.В. ИФП СО РАН, Новосибирск,
Хлудков С.С. СФТИ, Томск.

Локальный оргкомитет

Брудный В.Н. председатель, ТГУ, Томск,
Торопов С.Е. секретарь, ТГУ, Томск,
Ардышев М.В. СФТИ, Томск,
Ведерникова Т.В. ТГУ, Томск,
Корецкая О.Б. СФТИ, Томск,
Мокеев Д.Ю. СФТИ, Томск,
Новиков В.А. СФТИ, Томск,
Романова И.Д. ОАО НИИПП, Томск,
Филимонов С.Н. ТГУ, Томск.

Контактные адреса:

Ученому секретарю Оргкомитета конференции «GaAs-2006» профессору В.Н.
Брудному,
физический факультет, Томский госуниверситет,
Россия, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 36.
Телефон: +7(3822) 423493,
факс: +7(3822) 413599,
e-mail: brudnyi@mail.tsu.ru

Для электронной регистрации и отправки тезисов (
e-mail: gaas@elefot.tsu.ru
http://rff.tsu.ru/rus/gaas2006

Рабочие языки конференции - русский и английский.
Информацию о конференции можно получить по адресу:
http://rff.tsu.ru/rus/gaas2006
Основные даты

|20 марта 2006 |рассылка первого извещения |
|30 мая 2006 |прием регистрационных карточек |
|30 июня 2006 |представление тезисов докладов |
|15 июля 2006 |сообщение авторам о принятии тезисов |


Регистрация участников

Карточка предварительной регистрации участника конференции должна быть
направлена в адрес Оргкомитета до 30.05.2006 по обычной или электронной
почте
e-mail: gaas@elefot.tsu.ru,
по факсу: +7(3822) 413599,
либо заполнена непосредственно на сайте конференции по адресу:
http://rff.tsu.ru/rus/gaas2006

Организационный взнос

Организационный взнос включает расходы на публикацию сборника материалов
и социальные мероприятия конференции. Для участников конференции из России
и стран СНГ оргвзнос составляет 500 рублей.
Оргвзнос должен быть направлен по адресу:
Томский государственный университет
ИНН 7018012970
КПП 701701001
л/сч 06073139560
в УФК Томской области
р/сч 40503810900001000258
в ГРКЦ ГУ ЦБ РФ по Томской обл.
БИК: 046902001

( с пометкой: «Оргвзносы конференции
«GaAs-2006» ( от Иванова И.И.»,

либо оплачен по прибытии.

Представление тезисов докладов

Тезисы докладов должны быть набраны в редакторе Microsoft Word и
подготовлены к печати в соответствии с правилами оформления. Тезисы следует
до 30.06.2006 направить в адрес Оргкомитета по электронной почте, факсу
либо разместить на сайте конференции.

Правила оформления тезисов

Тезисы докладов на русском или английском языках, 3-4 полных страницы А4,
включая рисунки, должны быть представлены готовыми к публикации. Шрифт
Times New Roman - 12pt, межстрочный интервал - полуторный, все поля - 25
мм. Заголовок - прописными буквами, шрифт жирный. Ниже (через 3 интервала)
инициалы и фамилии авторов. Ниже (через 1,5 интервала) организация, город,
страна. Ниже (через 3 интервала) основной текст. Рекомендуется выравнивание
границ слева и справа. Рисунки и графики должны быть выполнены на
компьютере и встроены в текст. Ссылки на литературу в тексте обозначаются
цифрами в прямых скобках. Список литературы отделяется от текста пустой
строкой, слово "Литература" не печатать.


ОБРАЗЕЦ


ЗАКРЕПЛЕНИЕ УРОВНЯ ФЕРМИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

В.Н. Брудный(a), С.Н. Гриняев(a), Н.Г. Колин(b)
a) СФТИ им. В.Д. Кузнецова, Томск, Россия, e-mail: brudnyi@mail.tsu.ru
b) Филиал ФГНЦ РФ «НИФХИ им. Л.Я. Карпова», Обнинск, Россия

В предлагаемой работе формулируются некоторые выводы относительно
общего характера наблюдаемых явлений на границах раздела и в облученных
объемных полупроводниках. Все существующие в настоящее время модели
закрепления уровня Ферми можно условно разделить на "дефектные" и
"идеальные". В "дефектных" моделях (модель атомного разупорядочения [1],
модель единого дефекта [2]) предполагается, что дефект является
неотъемлемым элементом границы раздела. Поэтому основное внимание уделяется
микроскопической природе дефектов, ответственных за закрепление уровня
Ферми. Поскольку природа и свойства большинства дефектов в полупроводниках
мало известны, что затрудняет изучение границ раздела, то большое внимание
при таких исследованиях привлекают "идеальные" модели границ, которые
базируются на концепции наведенных квантово-механических состояний в
запрещенной зоне кристалла [3].
...............................
...............................
Это дает возможность объяснить корреляцию результатов разных подходов
при описании эффектов закрепления уровня Ферми в полупроводнике, а также
отражает единство эмпирических закономерностей, наблюдающихся как для
границ раздела, так и для глубоких уровней в полупроводниках, вводимых
облучением, пластической деформацией и т.д.

1.H. Hasegawa, T. Sawada. Thin Solid Films, 103 (1/2), 119 (1983).
2. W.E. Spicer, P.W. Chye, P.R. Skeatch et. al. J. Vac. Sci. Technol.,
16, 1422 (1979).
3. V. Heine. Phys. Rev., A138 (6), 1689 (1965).
4. J. Tersoff. Phys.Rev., B30 (8), 4874 (1984).
5. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica, B212, 429
(1995).