Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.phys.msu.ru/upload/iblock/fa8/semicond2013.doc Дата изменения: Wed Jan 16 12:35:07 2013 Дата индексирования: Sun Feb 3 02:41:11 2013 Кодировка: koi8-r

Первое извещение
XI Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2013»
состоится с 16 по 20 сентября 2013 года в Санкт-Петербурге. Эта конференция
продолжит традицию предыдущих конференций, которые были проведены в Нижнем
Новгороде (1993, 2001, 2011), Санкт-Петербурге (1996, 2003), Москве (1997,
2005), Новосибирске (1999), Екатеринбурге (2007), в Новосибирске и
Томске (2009).

Сайт конференции

http://www.ioffe.ru/semicond2013/

Организаторы конференции

. Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (ФТИ им. Иоффе)
. Научный совет РАН по физике полупроводников
. Отделение физических наук РАН

Конференцию поддерживают

. Министерство образования и науки РФ
. Российская академия наук
. Российский фонд фундаментальных исследований
. Фонд некоммерческих программ «Династия»

Тематика конференции

Конференция посвящена фундаментальным проблемам физики полупроводников.
Основные разделы программы:
1. Объемные полупроводники: электрические и оптические свойства,
релаксация носителей, сверхбыстрые явления, экситоны, фононы, фазовые
переходы, упорядочение.
2. Поверхность, пленки, слои: эпитаксия, атомная и электронная структура
поверхности, адсорбция и поверхностные реакции, процессы формирования
(самоорганизации) нанокластеров, СТМ и АСМ, оптическая микроскопия
ближнего поля.
3. Гетероструктуры и сверхрешетки: структурные и оптические свойства,
электронный транспорт, микрорезонаторы.
4. Двумерные системы: структурные, электронные, магнитные свойства,
туннелирование, локализация, фононы, плазмоны, квантовый эффект Холла,
корреляционные эффекты.
5. Одномерные и нульмерные системы: энергетический спектр, электронный
транспорт, оптические свойства, локализация.
6. Спиновые явления, спинтроника, наномагнетизм.
7. Примеси и дефекты (объемные полупроводники и квантово-размерные
структуры): примеси с мелкими и глубокими уровнями, магнитные примеси,
структурные дефекты, неупорядоченные полупроводники.
8. Высокочастотные явления в полупроводниках (СВЧ и терагерцовый
диапазон).
9. Органические полупроводники, молекулярные системы.
10. Углеродные наноматериалы.
11. Метаматериалы и фотонные кристаллы.
12. Полупроводниковые приборы и устройства: технология, методы
исследования, наноприборы.
13. Наномеханика.
14. Топологический изолятор.

Программный комитет

И.В. Кукушкин, председатель ИФТТ РАН, Черноголовка
И.П. Акимченко, ученый секретарь ОФН РАН, Москва
Ж.И. Алферов, СПб АУ НОЦНТ РАН, СПб
А.А. Андронов, ИФМ РАН, Нижний Новгород
А.Л. Асеев, ИФП СО РАН, Новосибирск
В.А. Волков, ИРЭ РАН, Москва
С.В. Гапонов, ИФМ РАН, Нижний Новгород
А.А. Гиппиус, ФИАН им. П.Н. Лебедева, Москва
А.В. Двуреченский, ИФП СО РАН, Новосибирск
В.С. Днепровский, МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
А.Г. Забродский, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, СПб
С.В. Зайцев-Зотов, ИРЭ РАН, Москва
Е.Л. Ивченко, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, СПб
А.А. Каплянский, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, СПб
В.В. Кведер, ИФТТ РАН, Черноголовка
Л.В. Келдыш, ФИАН им. П.Н. Лебедева, Москва
Ю.В. Копаев, ФИАН им. П.Н. Лебедева, Москва
П.С. Копьев, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, СПб
З.Ф. Красильник, ИФМ РАН, Нижний Новгород
В.Д. Кулаковский, ИФТТ РАН, Черноголовка
Ю.Г. Кусраев, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, СПб
И.Г. Неизвестный, ИФП СО РАН, Новосибирск
В.И. Окулов, ИФМ УрО РАН, Екатеринбург
Я.Е. Покровский, ИРЭ РАН, Москва
А.А. Саранин, ИАПУ ДВО РАН, Владивосток
Н.Н. Сибельдин, ФИАН им. П.Н. Лебедева, Москва
Р.А. Сурис, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, СПб
А.С. Терехов, ИФП СО РАН, Новосибирск
В.Б. Тимофеев, ИФТТ РАН, Черноголовка
В.М. Устинов, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, СПб
Д.Р. Хохлов, МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
А.В. Чаплик, ИФП СО РАН, Новосибирск
В.И. Шашкин, ИФМ РАН, Нижний Новгород

Контакты

Москва, 119991, Ленинский проспект, 53,
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН,
Акимченко Ирена Петровна - ученый секретарь программного комитета
Электронная почта: iakimchenko@mail.ru

Организационный комитет

А.Г. Забродский, председатель ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
П.С. Копьев, заместитель председателя ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
А.Ю. Маслов, секретарь ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
И.П. Акимченко, ОФН РАН, Москва
В.Г. Григорьянц, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
А.В. Двуреченский, ИФП СО РАН, Новосибирск
Е.А. Ефремова, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
В.А. Заяц, ОФН РАН, Москва
Е.Л. Ивченко, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
П.С. Копьев, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
З.Ф. Красильник, ИФМ РАН, Нижний Новгород
Е.В. Куницына, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
Ю.Г. Кусраев, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
В.И. Окулов, ИФМ УрО РАН, Екатеринбург
А.В. Новиков, ИФМ РАН, Нижний Новгород
Р.В. Парфеньев, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
Н.Н. Сибельдин, ФИАН им. П.Н. Лебедева, Москва
Р.А. Сурис, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
М.В. Разуваева, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
Т.В. Тиснек, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
В.М. Устинов, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
В.Л. Шубин, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
Д.Р. Хохлов, МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва

Контакты

Адрес: ФТИ им. Иоффе, ул. Политехническая, д. 26,

194021, Санкт-Петербург
тел. (812) 297-22-45
факс (812) 297-10-17
электронная почта: semicond2013@mail.ioffe.ru
Сайт конференции: http://www.ioffe.ru/semicond2013/

Место проведения

Конференция состоится в отеле «Санкт-Петербург» (Пироговская наб. 5/2).

Регистрация участников

Регистрация участников будет осуществляться только в электронном виде на
сайте конференции http://www.ioffe.ru/semicond2013/

Представление тезисов докладов

Тезисы докладов, подготовленные в соответствии с инструкцией, должны быть
представлены не позднее 22 марта 2013 года на сайте конференции
http://www.ioffe.ru/semicond2013/.
Инструкция по подготовке и представлению тезисов будет представлена на
сайте конференции.

Важные даты

11 января 2013 г. Первое извещение;
20 января 2013 г. Начало регистрации и подачи тезисов докладов;
22 марта 2013 г. Окончание подачи тезисов докладов;
29 апреля 2013 г. Извещение о включении доклада в программу
конференции;
14 мая 2013 г. Второе извещение;
16 сентября 2013 г. Начало конференции.