Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.phys.msu.ru/upload/iblock/adf/2012_buklet.doc Дата изменения: Mon Sep 10 15:31:18 2012 Дата индексирования: Mon Oct 1 23:00:39 2012 Кодировка: koi8-r

[pic]

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
(национальный
исследовательский университет)




Санкт-Петербургский академический


университет - научно-образовательный центр нанотехнологий РАН


Физико-технический институт

им. А.Ф. Иоффе РАН





Санкт-Петербургский государственный университет


[pic]

Министерство образования и науки РФ

Российский фонд фундаментальных
исследований

Фонд некоммерческих программ «Династия»

ЗАО «Полупроводниковые приборы»

[pic]

Председатель:

Сурис Р.А., ФТИ РАН, С.-Петербург

Члены комитета:

Агекян В.Ф., СПбГУ, С.-Петербург
Алешкин В.Я., ИФМ РАН, Н.Новгород
Вербин С.Ю., СПбГУ, С.-Петербург
Воробьёв Л.Е., СПбГПУ, С.-Петербург
Глинский Г.Ф., СПбГЭТУ, С.-Петербург
Двуреченский А.В., ИФП СО РАН, Новосибирск
Жуков А.Е., Академический университет,
С.-Петербург
Каган М.С., ИРЭ РАН, Москва
Коренев В.Л., ФТИ РАН, С.-Петербург
Кочерешко В.П., ФТИ РАН, С.-Петербург
Сибельдин Н.Н., ФИАН РАН, Москва
Сресели О.М., ФТИ РАН, С.-Петербург
Хохлов Д.Р., МГУ, Москва

[pic]

Председатель оргкомитета:

Воробьев Л.Е., СПбГПУ, С.-Петербург

Ученый секретарь:

Гаврикова Т.А., СПбГПУ, С.-Петербург

Члены оргкомитета:

Алешкин В.Я., ИФМ РАН, Н.Новгород
Васильева М.А., СПбГПУ, С.-Петербург
Жуков А.Е., Академический университет,
С.-Петербург
Ильин В.И., СПбГПУ, С.-Петербург
Каган М.С., ИРЭ РАН, Москва
Кочерешко В.П., ФТИ РАН, С.-Петербург
Паневин В.Ю., СПбГПУ, С.-Петербург
Сибельдин Н.Н., ФИАН РАН, Москва
Сресели О.М., ФТИ РАН, С.-Петербург
Фирсов Д.А., СПбГПУ, С.-Петербург
Хохлов Д.Р., МГУ, Москва
Шалыгин В.А., СПбГПУ, С.-Петербург

[pic]

Четырнадцатая конференция для молодых ученых посвящена таким активно
развивающимся направлениям физики твердого тела и электроники, как физика
полупроводников и наноструктур, полупроводниковые нанотехнологии, опто- и
наноэлектроника. На конференции будут заслушаны доклады по результатам как
экспериментальных, так и теоретических исследований, сгруппированные по
следующим основным разделам:

. Объемные свойства полупроводников

. Процессы роста, поверхность, границы раздела

. Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы

. Квантовые точки, квантовые нити и другие низкоразмерные системы

. Приборы опто- и наноэлектроники

. Новые материалы


[pic]





Конференция состоится в С.-Петербурге, в здании Санкт-Петербургского
академического университета - научно-образовательного центра нанотехнологий
РАН (ул. Хлопина, д.8, корп.3) в период с 26 по 30 ноября 2012 г.


Информация о времени открытия конференции будет сообщена дополнительно.


К участию в конференции приглашаются студенты всех российских ВУЗов, а
также аспиранты институтов РАН, ВУЗов и других организаций. Будут
представлены устные и стендовые доклады. Тезисы докладов будут
опубликованы. Лучшие доклады будут отмечены дипломами и премиями. Кроме
того за лучшую работу в области оптики полупроводников учреждена премия
имени Е.Ф. Гросса. Лучшие работы прикладного характера (имеющие
инновационный потенциал) будут рекомендованы для участия в конкурсе с
номинацией "За научные результаты, обладающие существенной новизной и
перспективой их коммерциализации" с последующим их финансированием Фондом
содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере.

Организационный взнос не предусмотрен.

[pic]

Тезисы докладов оформляются в формате WinWord 2003, объем тезисов не должен
превышать 1 стр. Текст должен иметь следующие параметры: шрифт - Times New
Roman, размер шрифта - 12, межстрочный интервал - 1.3 (множитель), формат
бумаги А4 с полями: верхнее - 20 мм, нижнее - 25 мм, левое - 20 мм, правое
- 20 мм, формулы набирать, пользуясь Microsoft Equation 2.0-3.0. Если для
текста необходим рисунок, он выполняется в пределах поля для текста в
основном файле (по возможности, желательно без рисунков).

Текст располагается в текстовом поле следующим образом:

. на первой строчке (в левом верхнем углу): УДК (вместе с цифрами печатать
прописными буквами);
. на следующей строчке (выровнять вправо): инициалы, фамилия студента или
аспиранта строчными буквами, в скобках университет, курс, название
кафедры (можно использовать принятые сокращения); инициалы, фамилия,
ученая степень, должность и место работы руководителя (можно использовать
принятые сокращения), можно в две строки; фамилию докладчика подчеркнуть;
. через пробельную строку (выровнять по центру): НАЗВАНИЕ ТЕЗИСОВ ДОКЛАДА
(прописными буквами);
. через пробельную строку (с красной строки): текст тезисов.

К тезисам докладов необходимо приложить справку об авторах, которая должна
содержать полные названия университета (института), факультета, кафедры;
фамилию, имя, отчество студента или аспиранта, а также руководителя;
телефоны, факсы и адреса электронной почты (e-mail) для связи.

Файлы с тезисами докладов и справкой об авторах следует направить в
Оргкомитет по E-mail: conference@semicond.spbstu.ru
в срок до 15 октября 2012 г.

О решении Программного комитета авторы тезисов будут извещены по e-mail.


[pic]

195251, С.-Петербург, Политехническая ул., 29
С.-Петербургский государственный
политехнический университет,
кафедра физики полупроводников
и наноэлектроники
II учебный корпус, комната 210


Тел. (812) 552-96-71


e-mail: conference@semicond.spbstu.ru


www.semicond.spbstu.ru
Четырнадцатая
всероссийская молодёжная конференция

по физике полупроводников
и наноструктур,
полупроводниковой

опто- и наноэлектронике


[pic]





Санкт-Петербург

26-30 ноября 2012 г.



www.semicond.spbstu.ru
[pic]