Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.nature.web.ru/db/msg.html?mid=1172003
Дата изменения: Unknown
Дата индексирования: Sun Apr 10 13:09:34 2016
Кодировка: Windows-1251
Научная Сеть >> Валентная зона
Rambler's Top100 Service
Поиск   
 
Обратите внимание!   Посетите Сервер по Физике Обратите внимание!
 
  Наука >> Физика >> Общие вопросы >> Справочники >> Физическая энциклопедия | Словарные статьи
 Написать комментарий  Добавить новое сообщение
 См. также

КнигиЗонная структура электронного энергетического спектра в твердых телах. Модели свободных и сильно связанных электронов.: 4.3 Полупроводники с "собственной" проводимостью.

КнигиЗонная структура электронного энергетического спектра в твердых телах. Модели свободных и сильно связанных электронов.: 4.5. Влияние внешних воздействий на зонную структуру энергетического спектра электронов

Словарные статьиЭкситон Ванье-Мотта

НовостиНеисчерпаемые возможности фотоэлементов

Популярные статьиКвантовые ямы, нити, точки. Что это такое?: picture6

Словарные статьиАкцепторная примесь

Популярные статьиКвантовые ямы, нити, точки. Что это такое?: Как создаются квантовые структуры

Популярные заметкиНобелевская премия по физике 2000 г.

Популярные статьиСканирующая туннельная микроскопия - новый метод изучения поверхности твердых тел: СТМ-изображения при различных напряжениях смещения; исследование адсорбции

Словарные статьиОже-эффект

ТезисыЭлектрофизические свойства гетероструктур a-SiGe:H/c-Si полученных в плазме тлеющего разряда на частоте 55 кГц

НовостиКремниевый излучатель белого света

ТезисыОптические и электрофизические Характеристики сплавов a-SiGe:H для солнечных батарей, осажденных в низкочастотной плазме (55кГц) тлеющего разряда

НовостиУченые заставили кремний излучать

Валентная зона
12.10.2001 16:13 | Phys.Web.Ru
    

Валентная зона - энергетическая область разрешенных электронных состояний в твердом теле, заполненная валентными электронами. В полупроводниках при T=0 (T - абсолютная температура) валентная зона заполнена целиком и не дает вклада в электропроводность и другие кинетические эффекты, вызываемые внешними полями. При T$\neq$0 К происходит тепловая генерация носителей заряда, в результате которой часть электронов переходит в расположенную выше зону проводимости или на примесные уровни в запрещенной зоне. При этом в валентной зоне образуются дырки, участвующие наряду с электронами проводимости в переносе электрического тока. Дырки в валентной зоне могут также возникать при нетепловом возбуждении полупроводника - освещении, облучении потоком частиц, воздействии сильного электрического поля, вызывающего пробой полупроводника, и тому подобных.


Написать комментарий
 Copyright © 2000-2015, РОО "Мир Науки и Культуры". ISSN 1684-9876 Rambler's Top100 Яндекс цитирования