Когда же наконец
кремний станет материалом для
оптоэлектроники?
Этот вопрос не сходит со страниц научной
прессы. А он то светит слабо, то не в том
диапазоне, то быстро деградирует, то
технология его получения невоспроизводима.
На недавней конференции по
физике полупроводников (Нижний Новгород,
10-15 сентября с.г.) был представлен доклад
сотрудника ИФФТ РАН (Черноголовка) Э.А.Штейнмана,
посвященный излучательной рекомбинации на
дислокациях в кремнии. Дислокации
вводились в образцы либо методом
пластической деформации, либо в результате
релаксации упругих напряжений в
гетероструктуре SiGe/Si.
Образцы светят достаточно сильно, а одна из
линий свечения (D1)
соответствует энергии фотона 0.807 эВ. Такие
фотоны как раз попадают в окно прозрачности
волоконной оптики. Работы в этом
направлении ведутся в ИФТТ уже с 1995 года.
Результаты опубликованы в престижных
научных журналах [1,2].
V.V.Kveder et al. Phys. Rev. B 1995, 51,
10520.
E.A.Steinman et al. Semicond. Sci. Technol. 1999,
14, 582.
Для контакта steinman@issp.ac.ru
М.Ремизов