Электронная структура и электрон-фононное взаимодействие в TaB₂

Недавние противоречивые сообщения о сверхпроводимости TaB₂ побудили авторов препринта провести детальные исследования температурных зависимостей электрического сопротивления, магнитной восприимчивости и теплоемкости этого соединения, а также выполнить расчеты его электронной структуры. Сверхпроводящий переход не был обнаружен вплоть до температуры 1.5 К. Причина этого заключается в очень слабом (по сравнению с MgB₂) взаимодействии электронов с фононной модой E_2g. Расчеты показали, что вид поверхности Ферми и плотность электронных состояний в TaB₂ и MgB₂ существенно различны из-за сильной гибридизации Ta5d и B2p состояний.
H.Rosner et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0106092, submitted to Physical Review B

Анизотропная сверхпроводимость эпитаксиальных пленок MgB₂

Электрическое сопротивление высококачественных тонких пленок MgB₂ с критической температурой T_c = 39 К, полученных импульсным лазерным осаждением, измерено в сильных магнитных полях с H ~ 60 Тл. Определены величины H_c2(0) = (243)Тл в направлении оси с и H_c2(0) = (302)Тл параллельно плоскости a-b. Обе длины когерентности _c = 3.0 нм и _ab = 3.7 нм меньше длины свободного пробега электронов l = (105)нм ("чистый предел"). Сочетание высокого критического поля с его сравнительно слабой анизотропией говорит о технологических перспективах MgB₂.
M.H. Jung et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0106146, to be published in Chem. Phys. Lett.

Экспоненциальная температурная зависимость глубины проникновения магнитного поля в MgB₂

Высокочастотная методика использована для измерения с высоким разрешением глубины проникновения магнитного поля в поликристаллические образцы MgB₂. При низких температурах зависимость (T) имеет четко выраженный экспоненциальный вид, что указывает на s-волновую симметрию сверхпроводящего состояния. Теоретическая БКШ-зависимость (T) согласуется с экспериментом при величине сверхпроводящей щели = (2.80.4)мэВ, что соответствует отношению = 1.70.2 - значительно меньше БКШ-величины 3.5. Это расхождение объяснено анизотропией щели или эффектом низкоэнергетических фононных мод.
F.Manzano and A.Carrington, http://xxx.lanl.gov/abs/cond- mat/0106166

Длинные ленты MgB₂ в оболочке железа изготовлены методом "порошок в трубке" in situ. Синтез проводили в атмосфере аргона в течение 1 часа при 800^оС. Сканирующая электронная микроскопия показала, что сердцевина лент очень плотная; размер зерен составляет около 100 мкм, T_c=37.5 К; ширина перехода 0.2 К. При T=33 К транспортная j_c=1.6*10⁴A/см² в нулевом магнитном поле. Такую же величину j_c имеет при T=29.5 К в поле с H=1 Тл, что на сегодняшний день является рекордом. Отмечено, что оболочка из Fe хорошо экранирует внешнее магнитное поле и ослабляет действие собственного поля тока, что может способствовать практическим применениям таких лент.
S.Soltanian et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0105152, submitted to Physica C

18-жильные ленты MgB₂ с буфером NbZr и медным стабилизатором изготовлены методом "порошок в трубке". Транспортная j_c, измеренная стандартным четырехконтактным методом, составила 8*10⁴ А/см² при T=10 К, H=0 и 1.36*10⁴ А/см² при T=10 К, H=1 Тл. Фазовый состав и микроструктура лент изучены методами рентгеноструктурного анализа и оптической микроскопии.
C.F.Liu et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0106061

Поликристаллические образцы MgB₂ с высокой плотностью получены методом горячего изостатического прессования при давлении 200 МПа и температуре 1000^оС. Таблетки имели диаметр 20 мм и толщину 10 мм. Сверхпроводящий переход при T_c=38.6 К очень резкий. Развитая методика может быть использована для изготовления больших объемных образцов произвольной формы.
S.S.Indrakanti et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0105485

Корея стала второй (после Японии) страной, ученым которой удалось изготовить монокристаллы MgB₂. Образцы имели различную форму: плоского шестиугольника, шара, иглы. Критическая температура T_c=38 К, ширина перехода 0.3 К. Коэффициент анизотропии H_c2 составляет 1.7.
C.U.Jung et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0105330

Сканирующая туннельная спектроскопия использована для исследования локальной плотности квазичастичных состояний в поликристаллическом образце MgB₂ при T=4.2К. Установлено, что диэлектрические области сосуществуют со сверхпроводящими (последние характеризуются четко выраженной БКШ-особенностью плотности состояний). Сверхпроводящая щель изменяется от точки к точке в пределах (3- 7.5) мэВ, из чего сделан вывод, что различные величины , о которых сообщалось в литературе, обусловлены неоднородностью образцов. Величина =7.5 мэВ соответствует =4.5, что указывает на сильное электрон-фононное взаимодействие. Спектры некоторых участков образца имеют весьма специфический вид, который может быть объяснен наличием двух щелей величиной 3.9 мэВ и 7.5 мэВ.
F.Giubileo et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0105146