Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.lssm.inorg.chem.msu.ru/pSirotina.html
Дата изменения: Mon Apr 14 13:55:16 2014
Дата индексирования: Sat Apr 9 22:33:16 2016
Кодировка: Windows-1251
Лаборатория химии и физики полупроводниковых и сенсорных материалов | Дирин Дмитрий Николаевич
 
 
 
 

ЛАБОРАТОРИЯ ХИМИИ И ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И СЕНСОРНЫХ МАТЕРИАЛОВ

  главная english русский
1

Анна Петровна Сиротина


e-mail: ansipe@mail.com
телефон: +7 (495) 939-4665

Образование и карьера

С 2009 студентка МГУ

С 2012 по настоящее время - консультант по применению рентгеновских фотоэлектронных спектрометров Kratos Analytical Ltd (Technoinfo)

С 2011 по настоящее время - проводит исследования в синхротронном центре HZB-Berlin BESSY II user

 

Дипломная работа

Сравнительная реакционная способность Bi2Se3, Bi2Te3, Sb2Te3 при взаимодействии с кислородом и водой.

 

Направление исследований

 

Исследование поверхности методами фотоэктронной сректроскопии, топологические диэлектрики, графен, углеродные материалы

 

Публикации

1.      Itkis D. M., Semenenko D. A., Kataev E.Yu., Belova A. I., Neudachina V. S., Sirotina A.P., Hävecker M., Teschner D., Knop-Gericke A., Dudin P., Barinov A., Goodilin E. A., Shao-Horn Y., Yashina L.V. Reactivity of Carbon in Lithium−Oxygen Battery Positive Electrodes Nano Letters 13 (10), 2013, pp 4697-4701

2.      Yashina, L.; Sánchez-Barriga, J.; Scholz, M.; Volykhov, A.; Sirotina, A.; Neudachina, V.; Tamm, M.; Varykhalov, A.; Marchenko, D; Springholz, G.; Bauer, G.; Knop-Gericke, A.; Rader, O. Negligible Surface Reactivity of Topological Insulators Bi2Se3 and Bi2Te3 Towards Oxygen and Water ASC nano 7 (2013) 5181-5191

3.      O. Yu. Ivanshina, M. E. Tamm, E. V. Gerasimova, A. P. Sirotina, S. V. Savilov, L.V. Yashina
Fabrication of Nanocomposites Based on Carbon Nanotubes Containing Pt Nanoparticles and TiO2  Inorganic Materials 47 (2011) 858-863.

web-design: ddirin@rambler.ru

ї 2008-2014 Лаборатория химии и физики полупроводниковых и сенсорных материалов.