Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.lssm.inorg.chem.msu.ru/pPetuhov.html
Дата изменения: Mon Apr 14 13:55:14 2014
Дата индексирования: Sat Apr 9 22:30:10 2016
Кодировка: Windows-1251
Лаборатория химии и физики полупроводниковых и сенсорных материалов | Пушкина Галина Яковлевна
 
 
 
 

ЛАБОРАТОРИЯ ХИМИИ И ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И СЕНСОРНЫХ МАТЕРИАЛОВ

  главная english русский
Галина Яковлевна Пушкина

асп. Петухов Илья 


email: ilya.petukhov.lssm@gmail.com

телефон: 939-29-34


Направления научных исследований:

Прозрачные электроды на основе оксидов индия и олова

Тонкопленочные структуры TCO/A2B6 для солнечных элементов

Последние публикации:

1. ​ Влияние сурьмы на электрофизические свойства тонких пленок диоксида олова, полученных методом импульсного лазерного осаждения. Петухов И. А., Паршина Л. С., Зуев Д. А., Лотин А. А., Новодворский О. А., Храмова О. Д., Шатохин А. Н., Путилин Ф. Н., Румянцева М. Н., Козловский В. Ф., Маслаков К. И., Иванов В. К., Гаськов А. М.  // Неорганические материалы, 2013, т. 49, ? 11, с. 1211-1215.

2. ​ Role of PdOx and RuOy Clusters in Oxygen Exchange between Nanocrystalline Tin Dioxide and the Gas Phase. Marikutsa A.V., Rumyantseva M.N., Frolov D.D., Morozov I.V., Boltalin A.I., Fedorova A.A., Petukhov I.A., Yashina L.V., Konstantinova E.A., Sadovskaya E.M., Abakumov A.M., Zubavichus Ya V., Gaskov A.M. // J. Phys. Chem. C, 2013, 117 (45), pp. 23858-23867.

3. ​ Влияние палладия на поверхности нитевидных кристаллов SnO2, допированных сурьмой, на сенсорные свойства по отношению к СО. Жукова А. А., Шатохин А. Н., Петухов И. А. , Путилин Ф. Н., Румянцева М. Н. Гаськов А. М. // Неорганические материалы, 2013, т.49, ? 10, с.1083-1090.

4. ​ Лазерный синтез проводящих тонких пленок оксидов индия-олова. Петухов И. А., Шатохин А. Н., Путилин Ф. Н., Румянцева М. Н., Козловский В. Ф., Гаськов А. М., Зуев Д. А., Лотин А. А., Новодворский О. А., Храмова О. Д., // Неорганические материалы, 2012, 48, ? 10, с. 1147-1153.

5. ​ Импульсное лазерное осаждение тонких пленок ITO и их характеристики. Зуев Д.А., Лотин А.А., Новодворский О.А., Лебедев Ф.В., Храмова О.Д., Петухов И.А., Путилин Ф.Н., Шатохин А.Н., Румянцева М.Н., Гаськов А.М., // Физика и техника полупроводников, 2012, 46, ?3, с. 425-429.

6. ​ Effect of Oxygen Partial Pressure on SnO2 Whisker Growth. Zhukova A. A., Rumyantseva M. N., Petukhov I. A., Spiridonov F. M., Arbiol J., Gaskov A. M. // Inorganic Materials, 2008, 44, ?3, p. 268-271.

web-design: ddirin@rambler.ru

ї 2008-2014 Лаборатория химии и физики полупроводниковых и сенсорных материалов.