|
Dr.Sci., senior scientist Liudmila I. Ryabova
e-mail: mila@mig.phys.msu.ru
phone: +7(495)939-11-51
Research activities:
Research of galvanomagnetic, photoelectric and optical properties of bulk and nanocrystalline semiconductors.
Teaching:
- Special course "Solit state physics"
- Special course "Statistical physics"
Social work in MSU:
- Member of specialized dissertation council Д 501.002.05
Recent publications:
- Deep impurity levels in vanadium-doped Pb1-XMnXTe solid solutions. A.A.Dobrovolsky, A.I.Artamkin, P.Dziawa, T.Story, E.I.Slyn'ko, V.E.Slyn'ko, L.I.Ryabova, D.R.Khokhlov. Semicond.Sci.Technol. 23 (2008) 055004 (6pp).
- Особенности электрофизических свойств твердых растворов InxGa1-xN. Т.А.Комиссарова, Н.Н.Матросов, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов, В.Н.Жмерик, С.В.Иванов. ФТП, 41, в.5, с.558-560, 2007.
- Impedance of photosensitive nanocrystalline PbTe(In) films. T. Komissarova, D.Khokhlov, L.Ryabova, Z.Dashevsky and V.Kasiyan. Phys. Rev. B 75, 195326 (2007).
- Импеданс полупроводниковых клатратов Sn24P19.3BrxI8-x. А.В.Якимчук, Ю.В.Заикина, Л.Н.Решетова, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов, А.В.Шевельков. ФНТ, 33, N2/3 с.369-373 (2007).
- Фотопроводимость твердого раствора Pb0.75Sn0.25Te(In) в переменном электрическом поле. А.Е.Кожанов, А.В.Никорич, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов, А.В.Дмитриев, V.Shklover. ФТП 41, в.6, с.683-686, 2007.
- Ferroelectric phase transition and impurity-lattice correlations in Pb1-XGeXTe(Ga). B.A.Akimov, D.R.Khokhlov, V.V.Pryadun, L.I.Ryabova. Moldavian Journal of Physics, т.5, в.1, с.32-36. (2006).
- Проводимость твердых растворов Pb1-xSnxTe(In) в переменном электрическом поле. А.Е.Кожанов, А.В.Никорич, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов. ФТП, 2006, т.40, в.9, 1047-1050.
- Импеданс-спектроскопия ультрадисперсной керамики SnO2 с варьируемым размером кристаллита. Р.Б.Васильев, С.Г.Дорофеев, М.Н.Румянцева, Л.И.Рябова, А.М.Гаськов. ФТП 40, N1, 108-111 (2006).
- Новый тип высокочувствительных приемников излучения терагерцового диапазона. Б.А.Акимов, Н.Б.Брандт, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов. Вестник Моск.ун-та. Серия 3. Физики.Астрономия. 2005. N 1, с.59-64.
- Новый тип материалов для высокофоточувствительных инфракрасных фотоприемников. Б.А.Акимов, Н.Б.Брандт, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов. Прикладная физика ? 2-2005, с.58-63.
- Рекомбинация на примесных центрах с переменной валентностью в эпитаксиальных слоях PbTe(Ga). Б.А.Акимов, В.А.Богоявленский, В.А.Васильков, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов. ФТТ, т.47, в.1, с.160-163 (2005).
|