Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.inorg.chem.msu.ru/semicond/shtanov.htm
Дата изменения: Thu Jun 21 16:46:47 2007
Дата индексирования: Mon Oct 1 20:36:34 2012
Кодировка: Windows-1251
Inorganic Chemistry Division  

Публикации Штанова Владимира Ивановича:

2006
  • 1. L.V. Yashina, V. Leute, V.I. Shtanov, H.M. Schmidtke, V.S. Neudachina. Comprehensive thermodynamic description of the quasiternary system PbTe-GeTe-SnTe. J. All. Comp., 2006, v. 413, N. 1-2, 133-143.
  • 2. А.А. Волыхов, Л.В. Яшина, В.И. Штанов. О взаимодействии халькогенидов германия, олова и свинца в квазибинарных системах. Неорганические материалы. 2006, т. 42, ? 6, с. 662.
2005
  • 1. V.S. Neudachina, T.B. Shatalova, T.S. Zyubina, V.I. Shtanov, L.V. Yashina, M.E. Tamm, S.P. Kobeleva. Experimental and theoretical study of SnTe(100) oxidation by molecular oxygen. Surf. Sci., 2005, v. 584, N. 1, 77-82.
  • 2. T.S. Zyubina, V.S. Neudachina, L.V. Yashina, V.I. Shtanov. XPS and ab initio study of the interaction of PbTe with molecular oxygen. Surf. Sci., 2005, v. 574, N. 1, 52-64.
  • 3. Т.Б. Шаталова, М.Е. Тамм, Л.В. Яшина, Е.В. Тихонов, А.В. Дыбов, В.И. Штанов. Исследование процесса окисления поверхности монокристаллов SnTe методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Поверхность, ? 7, 2005, 30-35.
2004
  • 1. В.И. Штанов. Условия образования монокристалла в методе Бриджмена. Кристаллография, 2004, т. 49(2), 336-342.
  • 2. L.V. Yashina, E.V. Tikhonov, V.S. Neudachina, T.S. Zyubina, A.N. Chaika, V.I. Shtanov, S.P. Kobeleva, Yu.A. Dobrovolsky. The oxidation of PbTe(100) surface in dry oxygen. Surf. Interface Anal., 2004, v. 36(8),.993-996.
  • 3. V.I. Shtanov, T.B. Shatalova, L.V. Yashina, I.V. Saunin, R.Ts. Bondakov. Growth of polycrystallane GeTe films on Pb1-xSnxTe (x = 0, 0.05 or 0.2) and BaF2 substrates. Mend. Commun., 2004, ? 4, 136-137.
2003
  • 1. L.V.Yashina, V.I.Shtanov, Z.G.Yanenko, The application of VLS growth technique tо bulk semiconductors. Journal of Crystal Growth, 252, 2003, Р. 6878
  • 2. L.V. Yashina, V.S. Neudachina, E.V. Tikhonov, V.I. Shtanov, S.L. Molodtsov, M. Poyguine. Surface core-level shift and impurity charge states of (100) PbTe(X) surface (X=Ge, Ga). BESSY - Annual Report, 2003, 431-433.
2002
  • 1. Yashina L.V., Dernovskii V.I., Zlomanov V.P., Shtanov V.I. "Gas-phase Growth Kinetics and Morphology оf Lead and Germanium Tellurides Crystals" in "Growth of Crystals" ed. E.L.Givargizov and А.М.Меlnikova, Kluwer academic/Consultants Bureaux, New York, 2002, v.21, р. 11-23
2001
  • 1. L.V. Yashina, S.P. Kobeleva, T.V. Shatalova, V.P. Zlomanov, V.I. Stanov. XPS study fresh and oxidized GeTe and (Ge,Sn)te surface. Solid State Ionics, V. 141-142, P. 513-522 (2001).
2000
  • 1. Фадеева Е.Е., Ардашникова Е.И., Штанов В.И., Поповкин Б.А. Синтез и свойства сверхпроводящего фторированного Pr2CuO4 // ЖНХ, 2000, Т.45,В.2, С.199-202.
  • 2. О.А. Александрова, А.Т. Ахмеджанов, Р.Ц.Бондоков, В.А. Мошников, И.В. Саунин, Ю.М. Таиров, В.И. Штанов, Л.В.Яшина, ИССЛЕДОВАНИЕ БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР In/PbTe C ПРОМЕЖУТОЧНЫМ ТОНКИМ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМ СЛОЕМ, физика и техника полупроводников, 2000, т. 34, вып. 12, с. 1420-1425. An English translation of the journal, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov The In/n-PbTe barrier structure with a thin intermediate insulator layer v 34,12, 1365-1370
1999
  • 1. Молчанов М.В., Дунаева Т.А., Яшина Л.В., Штанов В.И., Зломанов В.П. Рост кристаллов сульфида свинца из газовой фазы: скорость роста и лимитирующая стадия // Неорганические материалы, 1999, Т.35, ?1, С.25-32.
  • 2. Yashina L.V., Dernovsky V.I., Shtanov V.I., Zlomanov V.P. Vapour Growth of Lead and Germanium Tellurides in a Closed System: Kinetics and Morphology in "Growth of Crystals", Consultants Bureaux, New York, 1999, V.21, P. 213-252 (in press).
1998
  • 1. Akimov B.A., Bogdanov E.V., Bogoyavlensky V.A., Ryabova L.I., Shtanov V.I. Characteristics of diode structures based on the p-PbTe(Ga)-In contact // Infrared Physics and Technology, 1998, V.39, P.287-292.
  • 2. Kaportseva O.E., Yashina L.V., Bobruiko V.B., Safonov D.V., Kozlovsky V.F., Shtanov V.I., Shatalova T.B., Ge diffusion in SnTe crystal in "Diffusion mechanisms in crystalline materials", MRS, symposium proceedings, Warrendale, Pennsylvania, 1998, V.527, P.429-434
  • 3. Циноев В.Г., Черепанов В.М., Рогов Е.В., Видякин Г.С., Штанов В.И. Поиск нарушений Р и СР четности в М1 гаммапереходе 119Sn методом мессбауэровской поляриметрии // Ядерная физика, 1998, Т.61, ?8, С.1357-1363.
  • 4. Штанов В.И., Комов А.А., Тамм М.Е., Атрашенко Д.В., Зломанов В.П. Фазовая диаграмма системы галлий-селен и спектры фотолюминесценции кристаллов GaSe // Доклады РАН, 1998, Т.361, ?3, C.357-361.
1997
  • 1. Акимов Б.А., Богданов Е.В., Богоявленский В.А., Рябова Л.И., Штанов В.И. Свойства диодных структур на основе p-PbTe(Ga) // ФТП, 1997, Т.31, В.12, С.1431-1435.
  • 2. Яшина Л.В., Зломанов В.П., Дерновский В.И., Штанов В.И., Тананаева О.И., Буханько Н.Г. Скорость роста и габитус кристаллов теллурида германия // Неорганические материалы, 1997, Т.33, N 2, С.212-223.
1996.
  • 1. Штанов В.И. Определение координат поверхностей ликвидуса и солидуса на Т-х-у фазовых диаграммах тройных систем // Изв. РАН. Неорган. материалы. 1996, Т.32, N3, С.294-298.
  • 2. Штанов В.И., Звездинская Л.В., Бобылев А.П. Состав давсонита, продуктов его термического разложения и деградация их при хранении на воздухе. // ЖНХ, 1996, Т.45, N 5, С. 731-733.
  • 3. Морозова Н.В., Гаськов А.М., Кузнецова Т.А., Путилин Ф.Н., Румянцева М.Н., Штанов В.И.. Получение поликристаллических пленок SnO(2) и SnO(2)/ методом лазерной абляции. // Неорганические. материалы, 1996, Т.32, N 3, С. 326-332.
  • 4. Фадеева Е.Е., Ардашникова Е.А., Штанов В.И., Поповкин Б.А.. Условия синтеза сверхпроводящего фторированного купрата неодима // ЖНХ, 1996, Т.41, N 6, С. 899-902.
Лаборатория химии и физики полупроводниковых материалов
написать нам   главная страница   english version