Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.geol.msu.ru/deps/geophys/ves/ves_002.htm
Дата изменения: Tue Jun 22 13:41:20 1999
Дата индексирования: Tue Oct 2 01:24:45 2012
Кодировка: koi8-r
VES. Page 3. Previous Page Next Page Table of contents     This page is in KOI-8 encoding

 Установки вертикальных электрических зондирований.

  Для получения кривых ВЭЗ используются различные установки, которые несколько отличаются глубинностью, разрешающей способностью и методикой наблюдений. Наиболее часто используются установки Шлюмберже, Веннера и дипольные установки,  среди которых можно выделить экваториальную (ДЭЗ) и осевую (ДОЗ) ( см. рисунок). Кривые кажущегося сопротивления, полученные для одной модели разными установками похожи, но полностью не совпадают. Исключением является случай установок Шлюмберже и ДЭЗ, которые для горизонтально-слоистых разрезов полностью совпадают.
Приведем формулы расчета коэффициента К для некоторых установок электрических зондирований:
четырехэлектродная установка Шлюмберже -  ;
дипольная экваториальная установка (ДЭЗ) -   ;
дипольная осевая установка (ДОЗ) -   .
 

Параметры эквивалентности S и T.

Как и в других методах геофизики, в ВЭЗ существует понятие эквивалентных моделей. Кривые ВЭЗ для таких моделей различаются в пределах точности измерений. Кажущееся сопротивление зависит от интегральных характеристик геоэлектрического разреза, поэтому моделям со схожими интегральными характеристиками будут соответствовать близкие кривые ВЭЗ. Такими характеристиками являются продольная проводимость (S) и поперечное сопротивление (T), которые для каждого слоя рассчитываются по следующим формулам:
 S= h/     и     T= h*   .
Эти параметры слоев определяются по кривым ВЭЗ более устойчиво, чем сопротивление () и мощность (h) слоя. Для каждого типа моделей устойчиво определяется только один из параметров (S или T).
Если слой является низкоомным по отношению к нижележащему (промежуточный слой в моделях типа H и A), то ток стремится течь вдоль напластования и для этого слоя характерна S-эквивалентность. Для эквивалентных моделей в этом случае выполняется условие h/ = const.
В моделях типа K и Q в промежуточном слое ток преимущественно течет поперек слоя и для них характерна Т-эквивалентность. Отсюда условие эквивалентности  h* = const.
Пределы области эквивалентности ограничены, т.к. не весь ток течет в одном направлении. Они зависят от мощности и контрастности слоя. Но в целом узкие области эквивалентности характерны для кривых типа H и Q, а широкие - для K и A.
Для анализа эквивалентности используются специальные программы (например IPI_Ekvi из пакета IPI).

Уменьшение глубинности из-за экранирующих слоев.

Возможности метода сопротивлений (разрешающая способность и глубинность) во многом зависят от особенностей изучаемого разреза. К неблагоприятным факторам относится наличие в разрезе высокоомных экранирующих слоев, через которые электрический ток не может проникнуть в нижележащие породы. Такие слои приводят к резкому уменьшению глубинности метода.
На рисунке показана полевая кривая ВЭЗ полученная на Александровской геофизической практике в 1996 г. (Калужская обл.) и ее интерпретация. Видно, что шестой высокоомный слой, сложенный доломитами и гипсами, приводит к резкому уменьшению глубинности. Анализ показывает, что в этом районе для изучения кристаллического фундамента, залегающего на глубине 1.3 км, требуются разносы более 30 км.
119899, Москва, МГУ, геологический ф-т, кафедра геофизики. А.А. Бобачев
Тел. / факс: (095) 939 49 63
E-mail: boba@geophys.geol.msu.ru

Please feel free to send us your comments.

Previous Page Next Page Table of contents