Специальный практикум кафедры физики полупроводников
Приходя на кафедру физики полупроводников, студенты выполняют следующие задачи
в спецпрактикуме кафедры (комн. 2-83):
- Определение электронных параметров полупроводника из температурных
зависимостей коэффициента Холла и удельного сопротивления.
- Определение электронных параметров антимонида индия из температурных
зависимостей коэффициента Холла и удельного сопротивления.
- Определение энергии ионизации второго акцепторного уровня золота и
концентраций основной и компенсирующей примесей в германии.
- Определение характеристик полупроводниковых материалов из температурных
зависимостей коэффициента термо-э.д.с. и электропроводности.
- Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей
в полупроводниках.
- Определение времени жизни и дрейфовой подвижности неравновесных носителей
заряда в полупроводнике.
- Электрические свойства p-n-переходов.
- P-n-переходы в вырожденных полупроводниках и характеристики туннельных
диодов.
- Излучательная рекомбинация в p-n-переходах и характеристики светодиодов.
- Интегральные и спектральные характеристики кремниевых фотоэлектрических
преобразователей солнечной энергии.
На основную страницу
