|
Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://semiconductors.phys.msu.ru/rus/phys_semicond2.html
Дата изменения: Wed Oct 3 23:18:59 2012 Дата индексирования: Sun Feb 3 00:27:08 2013 Кодировка: koi8-r |
1. Статистика рекомбинации электронов и дырок.
Уравнения кинетики рекомбинации. Неравновесные концентрации, квазиравновесие
при оптическом возбуждении и квазиуровни Ферми. Времена жизни электронов и
дырок. Межзонная рекомбинация и рекомбинация через локальные уровни.
Механизмы рекомбинации.
Излучательная рекомбинация. Рекомбинационное излучение. Законы сохранения
при излучательной рекомбинации. Излучательная рекомбинация в прямозонных
и непрямозонных полупроводниках. Излучательная рекомбинация через примеси и
экситонная рекомбинация. Полупроводниковые светодиоды и лазеры.
Безызлучательная рекомбинация. Фононная рекомбинация. Механизм захвата Лэкса.
Оже-рекомбинация.
Коэффициент межзонной рекомбинации. Связь коэффициента межзонной рекомбинации
и коэффициента тепловой генерации. Время жизни при межзонной рекомбинации.
Рекомбинация через примеси и дефекты. Коэффициент захвата на локальные уровни.
Центры прилипания и центры рекомбинации. Демаркационные уровни.
Полная система уравнений для нахождения неравновесных заселенностей состояний.
Неравновесное стационарное состояние. Времена жизни в случае рекомбинации
через один глубокий примесный уровень. Статистика Шокли-Рида.
Рекомбинация через многозарядные примеси.
2. Поверхностные свойства полупроводников.
Поверхностные уровни и поверхностные зоны. Уровни Тамма. Поверхностный изгиб
зон и ширина области объемного заряда. Обогащенный, обедненный и инверсионный
слои на поверхности полупроводника. Поверхностное квантование. Быстрые и
медленные состояния на поверхности полупроводника.
Поверхностная проводимость. Зависимость поверхностной проводимости от
поверхностного потенциала. Эффект поля. Применение эффекта поля для
определения энергетического спектра поверхностных уровней.
Поверхностная рекомбинация. Скорость поверхностной рекомбинации. Влияние
поверхностной рекомбинации на фотопроводимость.
Гетероструктуры. Энергетическая зонная диаграмма гетероструктуры. Разрыв
зон на границе раздела.
Структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структуры) и их применение
в полевых транзисторах.
3. Основные представления о размерном квантовании в квантовых ямах и
сверхрешетках.
Квантовые ямы в полупроводниках. Условия квантования. Подзоны размерного
квантования. Плотность состояний в квантовой яме. Ультраквантовый предел.