|
Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://semiconductors.phys.msu.ru/rus/nonequilibrium_processes.html
Дата изменения: Tue Mar 10 13:15:04 2015 Дата индексирования: Sat Apr 9 23:20:22 2016 Кодировка: koi8-r |
1. Кинетика рекомбинации электронов и дырок.
Уравнения кинетики рекомбинации. Темпы генерации и рекомбинации. Времена жизни
неравновесных носителей. Релаксация концентрации неравновесных носителей заряда
в полупроводнике в пространственно однородном случае.
Дрейфовый и диффузионный токи. Биполярная проводимость. Диффузия, дрейф и
рекомбинация в случае пространственно неоднородных неравновесных распределений
носителей заряда. Амбиполярный дрейф и амбиполярная диффузия. Амбиполярная
подвижность. Коэффициент амбиполярной диффузии. Длина диффузии и длина дрейфа
неравновесных носителей заряда.
Фотопроводимость. Примесная и собственная фотопроводимость. Стационарное время
жизни, времена релаксации и стационарная величина фотопроводимости в условиях
малого уровня возбуждения.
2. Статистика рекомбинации электронов и дырок.
Межзонная рекомбинация и рекомбинация через локальные уровни. Механизмы рекомбинации.
Излучательная рекомбинация. Рекомбинационное излучение. Законы сохранения при
излучательной рекомбинации. Излучательная рекомбинация в прямозонных и непрямозонных
полупроводниках. Излучательная рекомбинация через примеси и экситонная рекомбинация.
Безызлучательная рекомбинация. Фононная рекомбинация. Механизм захвата Лэкса.
Оже-рекомбинация.
Коэффициент межзонной рекомбинации. Связь коэффициента межзонной рекомбинации и
коэффициента тепловой генерации. Время жизни при межзонной рекомбинации.
Рекомбинация через примеси и дефекты. Коэффициент захвата на локальные уровни.
Центры прилипания и центры рекомбинации. Демаркационные уровни.
Полная система уравнений для нахождения неравновесных заселенностей состояний.
Неравновесное стационарное состояние. Времена жизни в случае рекомбинации через
один глубокий примесный уровень. Статистика Шокли-Рида.
Рекомбинация через многозарядные примеси.
3. Поверхностные свойства полупроводников.
Поверхностные уровни и поверхностные зоны. Уровни Тамма. Поверхностный изгиб зон
и ширина области объемного заряда. Обогащенный, обедненный и инверсионный слои
на поверхности полупроводника. Поверхностное квантование. Быстрые и медленные
состояния на поверхности полупроводника.
Поверхностная проводимость. Зависимость поверхностной проводимости от
поверхностного потенциала. Эффект поля. Применение эффекта поля для определения
энергетического спектра поверхностных уровней.
Поверхностная рекомбинация. Скорость поверхностной рекомбинации. Влияние
поверхностной рекомбинации на фотопроводимость.
Гетероструктуры. Энергетическая зонная диаграмма гетероструктуры. Разрыв зон
на границе раздела.
Структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структуры) и их применение в
полевых транзисторах.
1. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990.
2. В.Л. Бонч-Бруевич и др. Сборник задач по физике полупроводников. М.: Наука, 1987.
3. Р. Смит. Полупроводники. М.: Мир, 1982.
4. К. Зеегер. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977.
5. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников. М.:
Мир, 1990.