| Казанский Андрей Георгиевич
|
Главный научный сотрудник кафедры физики полупроводников физического
факультета МГУ; доктор физико-математических наук. Защитил докторскую
диссертацию на тему "Неравновесные фотоэлектронные процессы в аморфном
гидрированном кремнии" в 1993 году.
Научные интересы:
Неравновесные электронные процессы в аморфных и микрокристаллических
полупроводниках. Механизмы генерации, переноса и рекомбинации неравновесных
носителей заряда в гидрированном аморфном и
микрокристаллическом кремнии. Фотоиндуцированные метастабильные
состояния в аморфных полупроводниках, механизмы их образования и релаксации.
Некоторые публикации:
- А.Г. Казанский, С.М. Петрушко, Н.В. Рыжкова.
Фотопроводимость аморфного гидрированного
кремния, легированного методом ионной имплантации. ФТП, 33,
332 (1999).
- А.Г. Казанский, Х. Мелл, Е.И. Теруков, П.А. Форш.
Поглощение и фотопроводимость в
компенсированном бором ?с-Si:H. ФТП, 34, 373 (2000).
- А.Г. Казанский, С.Н. Козлов, Х. Мелл, П.А. Форш. Влияние освещения на
электрические и фотоэлектрические параметры ?с-Si:H, слаболегированного бором.
Письма в ЖТФ, 26, N 10, 17 (2000).
- P.A. Forsh, A.G. Kazanskii, H. Mell, E.I. Terukov. Photoelectrical
properties of microcrystalline silicon films. Thin Solid Films, 383,
251 (2001).
- А.Г. Казанский, Х. Мелл, Е.И. Теруков, П.А. Форш.
Влияние температуры на фотопроводимость
и кинетику ее спада в микрокристаллическом кремнии. ФТП, 35,
991 (2001).
- A.G. Kazanskii, H. Mell, G. Weiser, E.I. Terukov. Donor formation in
plasma-deposited amorphous (a-Si:H) by erbium incorporation.
J. Non-Cryst. Solids, 299-302, 704 (2002).
- А.Г. Казанский, Х. Мелл, Е.И. Теруков, П.А. Форш.
Влияние уровня легирования на
фотопроводимость пленок микрокристаллического гидрированного кремния.
ФТП, 36, 41 (2002).
- А.Г. Казанский, Х. Мелл, Е.И. Теруков, П.А. Форш. Фотоиндуцированные
изменения проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного
эрбием. ФТП, т. 37, в. 7, с. 793-795 (2003).
- A.G. Kazanskii, M.V. Chukichev, P.A. Forsh, W. Fuhs. Creation of
metastable defects in microcrystalline silicon films by keV-electron
irradiation. J. Non-Cryst. Solids, v. 338-340, p. 378-381 (2004).
- А.Г. Казанский, Е.И. Теруков, А.В. Зиминов, О.В. Гусев, Ф.В. Фенухин,
А.Г. Колоско, И.Н. Трапезникова, Ю.А. Николаев, Бей Моду. Влияние структуры
молекул на спектры фотолюминесценции и поглощения тонких пленок фталоцианина
меди в ближней ИК области спектра. Письма в ЖТФ, т. 31, в. 18, с. 37-43
(2005).
- A.G. Kazanskii, K.Yu. Khabarova, E.I. Terukov.
Modulated
photoconductivity method for investigation of band gap state distribution
in silicon-based thin films.
J. Non-Cryst. Solids, v. 352, p. 1176-1179 (2006).
- M.R. Esmaeili-Rad, A. Sazonov, A.G. Kazanskii, A.A. Khomich, N. Nathan.
Optical properties of
nanocrystalline silicon deposited by PECVD.
J. Mater. Sci.: Mater. in Electronics, v. 18, Suppl. 1, p. S405-S409 (2007).
- A.G. Kazanskii, G. Kong, X. Zeng, H. Hao, F. Liu.
Peculiarity of
constant photocurrent method for silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline
structure.
J. Non-Cryst. Solids, v. 354, p. 2282-2285 (2008).
- А.Г. Казанский, Е.Н. Теруков, П.А. Форш, J.P. Kleider. Фотопроводимость
пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой. ФТП, т. 44, с. 513
(2010).
- A.G. Kazanskii, G. Kong, X. Zeng, H. Hao.
Effect of light soaking
on CPM absorption spectra in silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline
structure. Phys. Status Solidi C, v. 7, p. 666 (2010).
- А.Г. Казанский, Е.И. Теруков, П.А. Форш, М.В. Хенкин. Особенности
фотоэлектрических и оптических свойств пленок аморфного гидрогенизированного
кремния, полученных плазмохимическим осаждением из смеси моносилана с водородом.
ФТП, т. 45, с. 518 (2011).
- Емельянов А.В., Казанский А.Г., Кашкаров П.К., Коньков О.И., Теруков Е.И.,
Форш П.А., Хенкин М.В., Кукин А.В., Beresna M., Kazansky P. Влияние фемтосекундного
лазерного облучения пленок аморфного гидрогенизированного кремния на их структурные,
оптические и фотоэлектрические свойства. Физ. и техн. полупроводн., т. 46, в. 6,
с. 769-774 (2012).
- Emelyanov A.V., Kazanskii A.G., Khenkin M.V., Forsh P.A., Kashkarov P.K.,
Lyubin E.V., Khomich A.A., Gecevicius M., Beresna M., Kazansky P.G. Structural and
electrophysical properties of femtosecond laser exposed hydrogenated amorphous
silicon films. Photonics for Solar Energy Systems IV, edited by Ralf Wehrspohn,
Andreas Gombert, Proc. of SPIE, v. 8438, p. 84381I-1 -84381I-2 (2012).
- Emelyanov A.V., Kazanskii A.G., Khenkin M.V., Forsh P.A., Kashkarov P.K.,
Gecevicius M., Beresna M., Kazansky P.G. Visible luminescence from hydrogenated
amorphous silicon modified by femtosecond laser radiation. Appl. Phys. Lett., v. 101,
p. 081902 (2012).
- Емельянов А.В., Казанский А.Г., Константинова Е.А. Форш П.А., Хенкин М.В.,
Петрова Н.Н., Теруков Е.И., Кириленко Д.А., Берт Н.А., Конников С.Г., Кашкаров П.К.
Особенности структуры и дефектных состояний в пленках гидрогенизированного
полиморфного кремния. Письма в ЖЭТФ, т. 97, в. 8, с. 536-540 (2013).
- Хенкин М.В., Казанский А.Г., Емельянов А.В., Форш П.А., Кашкаров П.К.,
Теруков Е.И., Орехов Д.Л., Roca i Cabarrocas P. Влияние условий получения пленок
полиморфного кремния на их структурные, электрические и оптические свойства.
ФТП, т. 47, в. 9, с. 1283-1286 (2013).
- Кашкаров П.К., Казанский А.Г., Форш П.А., Емельянов А.В. Тонкопленочные солнечные
элементы в прошлом и будущем. Природа, в. 12, с. 56-64 (2013).
- Khenkin M., Kazanskii A., Emelyanov A., Forsh P., Beresna M., Gecevicius M.,
Kazansky P. Effect of hydrogen concentration on structure and photoelectric
properties of a-Si:H films modified by femtosecond laser pulses. Canadian Journal
of Physics, v. 92, No. 7/8, p. 883-887 (2014).
- Emelyanov A.V., Khenkin M.V., Kazanskii A.G., Forsh P.A., Kashkarov P.K.,
Gecevicius M., Beresna M., Kazansky P.G. Femtosecond laser induced crystallization
of hydrogenated amorphous silicon for photovoltaic applications. Thin Solid Films,
v. 556, p. 410-413 (2014).
- Емельянов А.В., Казанский А.Г., Кашкаров П.К., Коньков О.И., Кутузов Н.П.,
Лясковский В.Л., Форш П.А., Хенкин М.В. Изменение структуры пленок аморфного
гидрогенизированного кремния и концентрации водорода в них при фемтосекундной
лазерной кристаллизации. Письма в ЖТФ, т. 40, в. 4, с. 1-8 (2014).
- Khenkin M., Kazanskii A., Emelyanov A., Forsh P., Kon'kov O., Beresna M.,
Gecevicius M., Kazansky P. Post-hydrogenation of amorphous hydrogenated silicon
films modified by femtosecond laser irradiation. Proceedings of SPIE, v. 9140,
p. 914012 (2014) (7 pp.).
- Малов В.В., Казанский А.Г., Хенкин М.В., Тамеев А.Р.. Определение края
оптического поглощения в органических полупроводниковых композитах с объемным
гетеропереходом методом постоянного фототока. Письма в ЖТФ, т. 40, в. 17, с.
22-29 (2014).
Scopus page
Публичные лекции
Лекционные курсы
Координаты
Телефон: (495) 939-4118
E-mail: kazanski@phys.msu.ru
Лаборатория: комн. 2-79
Кафедра физики полупроводников