Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/zv2003.html
Дата изменения: Wed Oct 11 16:29:43 2006 Дата индексирования: Mon Oct 1 20:15:20 2012 Кодировка: koi8-r |
Вычислено распределение электронной плотности в легированных сверхрешетках с контролируемым вертикальным беспорядком, обусловленным флуктуациями толщин слоев в направлении роста структуры, при учете обменного взаимодействия. Показано, что при низких температурах обменное взаимодействие приводит к возрастанию разброса уровней размерного квантования и к образованию мягкой щели в распределении концентраций по ямам сверхрешетки.