Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/pbgese_r.html
Дата изменения: Tue Mar 23 12:05:15 2010
Дата индексирования: Mon Oct 1 20:50:04 2012
Кодировка: koi8-r
Рентгеновские и электрические исследования фазового перехода в PbGeSe Работа опубликована в журнале "Физика твердого тела", т. 28, в. 12, с. 3610-3615 (1986).

Рентгеновские и электрические исследования фазового перехода в Pb1-xGexSe

В.Ф. Козловский, А.И. Лебедев, Ю.Е. Петров
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

В электрических измерениях, проведенных на монокристаллических образцах n-Pb1-xGexSe (x=0.02-0.08), обнаружено аномальное рассеяние носителей, указывающее на происходящий в кристаллах фазовый переход (ФП) второго рода. Установлена зависимость температуры ФП от состава кристалла. Рентгеновскими исследованиями доказан ромбоэдрический тип искажения кубической решетки ниже Tc и найдена температурная зависимость угла ромбоэдра. Показано, что введение примеси таллия резко понижает температуру ФП. Обсуждаются причины закономерного понижения Tc в твердых растворах халькогенидах свинца-германия при замещении Te->Se->S.

Ключевые слова: полупроводники, полупроводниковые твердые растворы, селенид свинца германия, сегнетоэлектрический фазовый переход, температура Кюри, примесь таллия

Другие работы по исследованию нецентральных примесей