Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/patents.html
Дата изменения: Mon Mar 30 15:14:08 2015
Дата индексирования: Sat Apr 9 23:12:42 2016
Кодировка: koi8-r
Авторские свидетельства и патенты, полученные сотрудниками кафедры
полупроводников
Земсков В.С., Лебедев А.И., Стрельникова И.А. Полупроводниковый материал
и способ его получения. Авт. свид. 822587, опубл. 22 августа 1979г.
Случинская И.А., Медведев К.С., Голованова Н.С. Способ изготовления
фотодиодов на основе Pb1-xSnxTe. Авт. свид. 249393, приоритет от 21 апреля 1986г.
Кошелев О.Г., Морозова В.А. Способ определения электрофизических параметров
неравновесных носителей заряда в подложках диодных структур. Патент 2019890,
приоритет от 28 июня 1991г., зарегистрир. 15 сентября 1994г.
Кошелев О.Г., Козлов Р.И. Способ определения скорости рекомбинации
неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах. Заявка
4920987/21-14825 от 15 февраля 1991г. Положительное решение от 26 марта 1992г.
Кошелев О.Г., Морозова В.А. Устройство для определения спектральной
зависимости коэффициента собирания фотопреобразователей. Заявка
4939293/21-044736 от 28 мая 1991г. Положительное решение от 10 марта 1992г.
Кашкаров П.К., Казанский А.Г., Форш П.А., Жигунов Д.М. Способ получения
пленок аморфного кремния, содержащего нанокристаллические включения. Патент
2536775, приоритет от 14 ноября 2012г., опубл. 27 декабря 2014г.