Научные публикации кафедры физики полупроводников за 1999 год

Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/list99.html
Дата изменения: Fri May 14 14:58:00 2010
Дата индексирования: Mon Oct 1 20:23:39 2012
Кодировка: koi8-r

Статьи

С.А. Гаврилов, В.В. Гусев, В.С. Днепровский, Е.А. Жуков, Е.А. Муляров, А.Н. Сырников, И.В. Яминский. Оптические свойства экситонов в квантовых нитях полупроводник (CdS) - диэлектрик. Письма в ЖЭТФ, т. 70, N 3, с.216-220 (1999).
E.A. Zhukov, Y. Masumoto, E.A. Muljarov, S.G. Romanov. Pump-probe studies of photoluminescence of InP quantum wires embedded in dielectric matrix. Sol. State Commun., v. 112, N 10, p. 575-580 (1999).
А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова, А.Г. Белов, В.М. Лакеенков, Н.А. Смирнова. К вопросу о поглощении инфракрасного излучения свободными носителями заряда в n-Cd1-xZnxTe. Физ. и техн. полупроводн., т. 33, в. 5, с. 549-552 (1999).
A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, S.A. Gavrilov. Investigation of properties of porous silicon embedded with ZnSe and CdSe. Journal of Crystal Growth, v. 197, p. 702-706 (1999).
А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова. Оптические свойства слоев пористого кремния, полученных с использованием электролита HCl:HF:C2H5OH. Физ. и техн. полупроводн., т. 33, в. 2, с. 198-205 (1999).
И.П. Звягин, М.А. Ормонт. Экранирование вертикального беспорядка в легированных полупроводниковых сверхрешетках. Физ. и техн. полупроводн., т. 33, в. 1, с. 79-82 (1999).
И.П. Звягин. Вертикальная прыжковая проводимость через виртуальные состояния в сверхрешетках с контролируемым беспорядком. Письма в ЖЭТФ, т. 69, N 12, с. 932-937 (1999).
А.И. Лебедев, И.А. Случинская, В.Н. Демин, И. Манро. Исследование локального окружения атомов свинца и селена в твердом растворе PbTe1-xSex методом EXAFS. Физ. тверд. тела, т. 41, в. 8, с. 1394-1402 (1999).
О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. О взаимодействии микроволн со структурой полупроводниковая пластина - зеркало. Вестник МГУ. Сер.3. Физика. Астрономия, т. 40, N 1, с. 65-67 (1999).
С.Ф. Маренкин, В.А. Морозова. Синтез и оптические свойства монокристаллов и пленок диарсенидов цинка и кадмия. Изв. РАН. Неорган. материалы, т. 35, N 10, с. 1190-1202 (1999).
В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев. Особенности спектров пропускания ZnAs2 в области примесного поглощения. Изв. РАН. Неорган. материалы, т. 35, N 7, с. 788-791 (1999).
S.F. Marenkin, V.A. Morozova, O.G. Koshelev, G. Biskubski. Lattice Defects in Undoped CdAs2 Monocrystals. Phys. Status Solidi B, v. 210, p. 569-572 (1998).
А.Г. Казанский, С.М. Петрушко, Н.В. Рыжкова. Фотопроводимость a-Si:H, легированного методом ионной имплантации. Физ. и техн. полупроводн., т. 33, в. 3, с. 332-335 (1999).
И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, А.Л. Громадин. Аномальная кинетика эффекта Стеблера-Вронского в высокоомных слоях a-Si:H, слабо легированных бором. Вестник МГУ, сер. 3, т. 40, N 1, с. 67-69 (1999).
А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. Изменения люминесцентных и электрических свойств светодиодов из гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе. Физ. и техн. полупроводн., т. 33, в. 2, с. 242-249 (1999).
A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin. Electroluminescence spectra of InGaN/AlGaN/GaN heterostructures with quantum wells. MRS Intern. Journ. of Nitride Semic. Res., http:\\nsr.mij.mrs.org\4S1\G6.29.
В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. Люминесцентные и электрические свойства светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами. Физ. и техн. полупроводн., т. 33, в. 4, с. 445-450 (1999).
А.Э. Юнович. Ключ к синему лучу или о светодиодах и лазерах, голубых и зеленых. Химия и Жизнь, N 5-6, с. 46-48 (1999).
A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, S.S. Mamakin, A.N. Turkin, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin. Spectra and quantum efficiency of light-emitting diodes based on GaN heterostructures with quantum wells. Phys. Status Solidi A, v. 176, N 1, p. 125-131 (1999).
V. Schwegler, C. Kirchner, M. Kamp, K.J. Ebeling, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, A. Link, W. Limmer, R. Sauer. Ohmic Heating of LEDs During Operation: Determination of the Junction Temperature and its Influence on Device Performance. Phys. Status Solidi A, v. 176, N 1, p. 783-786 (1999).
Г.А. Александрова, Ю.А. Голованов, О.Н. Ермаков, М.В. Чукичев. Сравнительное исследование люминесцентных свойств сверхтонких структур на основе GaN, выращенных эпитаксией из металло-органических соединений при пониженном и атмосферном давлении. Материалы электронной техники, N 1, c. 56-60 (1999).
Г.А. Александрова, О.Н. Ермаков, М.В. Чукичев. Излучательные переходы в эпитаксиальных структурах твердых растворов InxGa1-xN, полученных эпитаксией из металло-органических соединений. Материалы электронной техники, N 3, c. 52-56 (1999).
И.Н. Один, М.В. Чукичев, В.В. Гринько. Люминесцентные свойства кристаллов сульфида и селенида кремния, легированных бором. Изв. РАН. Неорган. материалы, т. 35, N 11, с. 1302-1303 (1999).
Р.М. Минаева, А.В. Сперанский, Б.Л. Егоров, Л.В. Бершов, М.В. Чукичев. Дефекты в карбонадо: аналог радиационного центра R1 в алмазе. ДАН, т. 367, N 2, с. 238-240 (1999).
Yu.A. Litvin, J.T. Chudinovskikh, G.V. Saparin, S.K. Obyden, M.V. Chukichev, V.S. Vavilov. Diamonds of new alkaline carbonate-graphite HP Synthesis: SEM morphology, CCL-SEM and CL spectroscopy studies. Diamond and Related Materials, v. 8, p. 267-272 (1999).

Тезисы докладов на конференциях

S. Gavrilov, V.S. Dneprovskii, V.V. Gusev, E.A. Zhukov, L.I. Belogorokhova, A.I. Belogorokhov. Electrodeposition of CdS nanocrystals into pores of anodic alumina. Mat. of the 3rd International Conference on Low Dimensional Structures and Devices, Antalya, Turkey, September 1999.
В.С. Днепровский, Е.А. Жуков, Н.Ю. Маркова, Е.А. Муляров, К.А. Черноуцан, О.А. Шалыгина. Оптические свойства экситонов в квантовых нитях полупроводник (InP) - диэлектрик. Труды IV Российской конференции по физике полупроводников, Вт С-47, 1999.
K. Chernoutsan, V. Dneprovskii, E. Muljarov, O. Shaligina, E. Zhukov. Optical properties of excitons in semiconductor-dielectric quantum wires. Proc. 6th Int. Conf. "Optics of Excitons in Confined Systems", Ascona, Switzerland, Mo P10, 1999.
I.P. Zvyagin, M.A. Ormont. Vertical Screening In Doped Semiconductor Superlattices with Intentional Disorder. In: The 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, August 2-7, 1998, Jerusalem, Israel. World Scientific, Singapore, 1999.
A.G. Andreev, G. Biskupski, S.V. Egorov, A.G. Zabrodskii, I.P. Zvyagin. Low-Temperature Thermopower of the Doped p-Ge. In: The 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, August 2-7, 1998, Jerusalem, Israel. World Scientific, Singapore, 1999.
I.P. Zvyagin, M.A. Ormont. Electronic Structure and Vertical Transport in Doped Intentionally Disordered Superlattices. Междунар. зимняя школа по физике полупроводников. Научн. программа и тез. докл. (С.-Петербург-Зеленогорск, 27 февр.-2 марта 1999 г.), с. 29-32.
I.P. Zvyagin. Virtual-Tunneling-Assisted Vertical Conduction in Superlattices with Intentional Disorder. 7th Int. Symp."Nanostructures: Physics and Technology", St.Petersburg, Russia, 14-18 June, 1999. Ed. Zh. Alferov and L. Esaki. Ioffe Institute, St.Petersburg, p. 287-290, 1999.
И.П. Звягин. Особенности прыжковой проводимости в сверхрешетках с контролируемым беспорядком. В сб.: Решетка Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния. М. Изд. РХТУ, с. 49-51, 1999.
И.П. Звягин, А.Г. Казанский, И.А. Курова, Э.В. Ларина, Н.Н. Ормонт. Релаксация фотоиндуцированных и термоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(P). В сб.: Решетка Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния. М.: Изд. РХТУ, с. 51-52, 1999.
I.P. Zvyagin, M.A. Ormont. Vertical hopping transport in doped intentionally disordered superlattices. In: 8th Int. Conf. on Hopping and Related Phenomena. Murcia, Spain, Abstracts, p. 37-38, 1999.
S.V. Demishev, A.A. Pronin, M.V. Kondrin, N.E. Sluchanko, N.A. Samarin, T.V. Ischenko, I.P. Zvyagin, G. Biskupski. DC and AC Hopping Transport in Bulk Amorphous Gallium Antimonide. In: 8th Int. Conf. on Hopping and Related Phenomena. Murcia, Spain, Abstracts, p. 9, 1999.
М.А. Ормонт, И.П. Звягин, К.Е. Борисов. Вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком. В сб.: Всеросс. конф. по физ. полупроводн. "Полупроводники-99", Новосибирск, тез. докл., с. 62, 1999.
К.Е. Борисов. Особенности электрон-фононного взаимодействия в сверхрешетках с контролируемым беспорядком в режиме прыжкового переноса. В сб.: Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой электронике. С.-Петербург, ноябрь-декабрь, тез. докл., с. 69, 1999.
M.A. Terekhin, V.N. Makhov, A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, I.H. Munro, K.C. Cheung, D.A. Shaw. Effect of local distortions on the dynamics of (Ba,5p) core electronic excitations. The 5th Int. Conf. on Inorganic Scintillators and Their Applications. Moscow, Book of Abstracts, p. 81, 1999.
О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Бесконтактный способ определения неоднородностей времени релаксации неравновесных носителей в полупроводниковых пластинах. Тез. докл. XI Международной зимней школы по СВЧ электронике и радиофизике. (Саратов, 2-6 марта 1999 г.), с. 39.
О.Г. Кошелев. О взаимодействии микроволн со структурой полупроводниковая пластина - зеркало. Тез. докл. XI Международной зимней школы по СВЧ электронике и радиофизике. (Саратов, 2-6 марта 1999 г.), с. 38.
О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Применение резонатора для диагностики неоднородностей проводимости полупроводниковых пластин. VII Всероссийская школа-семинар "Физика и применение микроволн" (Красновидово, Моск. обл., 24-30 мая 1999 г.), с. 133-135.
T.J. Bowles, V.K. Eremin, V.N. Gavrin, Y.P. Kozlova, O.G. Koshelev, A.V. Markov, V.A. Morozova, A.Y. Polykov, E.M. Verbitskaya, E.M. Veretenkin. Evaluation of the EL2 concentration in GaAs crystals grown from melts with variable composition. VII Российская конференция "GaAs-99" (Томск, 21-23 октября 1999 г.), тез. докладов, с. 20-21.
И.П. Звягин, А.Г. Казанский, И.А. Курова, Н.Н. Ормонт. Спектральное распределение медленных фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:H. Труды международной конференции "Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах" (Ульяновск, 1999), с. 57.
А.Э. Юнович. Тез. докл. 3-го Всеросс. Совещ. по полупроводн. нитридам (Москва, МГУ, июнь 1999 г.), введение, с. 2-3.
А.Э. Юнович, В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Н. Туркин, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. Спектры и квантовый выход излучения светодиодов с квантовыми ямами на основе гетероструктур из GaN. Тез. докл. 3-го Всеросс. Совещ. по полупроводн. нитридам (Москва, МГУ, июнь 1999 г.), тез. 5.1, с. 62-63.
V. Schwegler, C. Kirchner, M. Kamp, K.J. Ebeling, A. Link, W. Limmer, R. Sauer, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. Повышение температуры светодиодов на основе нитрида галлия при больших токах и проблемы их деградации. Тез. докл. 3-го Всеросс. Сов. по нитридам (Москва, МГУ, июнь 1999 г.), тез. С.5.2, с. 64-65.
С.С. Мамакин, В.Е. Кудряшов, А.Э. Юнович. Влияние примесей в сапфировой подложке на спектры излучения светодиодов на основе гетероструктур из GaN. Тез. докл. 3-го Всерос. Сов. по нитридам (Москва, МГУ, июнь 1999 г.), тез. С.5.5., с. 68-69.
A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, S.S. Mamakin, A.N. Turkin, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin. Spectra and quantum efficiency of light-emitting diodes based on GaN heterostructures with quantum wells. The 3rd Int. Conf. on Nitride Semicond., ICNS3, Montpelier, France, Abstr. Book, We_P026, p.103 (July 1999).
V. Schwegler, C. Kirchner, M. Kamp, K.J. Ebeling, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, A. Link, W. Limmer, R. Sauer. Ohmic Heating of LEDs During Operation: Determination of the Junction Temperature and its Influence on Device Performance. Abstracts of The Third Intern. Conf. on Nitride Semicond. (ICNS 3), Montpelier, France, We_PO67, p.118-119, July 1999.
V.E. Kudryashov, A.E. Yunovich. Influence of sapphire substrate on the emission spectra of GaN-based light-emitting diodes. E-MRS Spring Meeting, Strasbourg, France, Symposium P, Book of abstracts, p. , June 1999.
A.E. Yunovich. Problems of research and development of GaN-based devices. Proceedings of the IV International Symposium on Diamond films and related materials (Kharkov, Sept. 1999), p. 253-254.
А.Э. Юнович, В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Н. Туркин, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. Механизмы рекомбинации и квантовый выход излучения светодиодов на основе 2D-гетероструктур из нитрида галлия. IV Росс. Конф. по физ. полупроводников (Новосибирск, октябрь 1999), тез. докл., с. 324.
В.В. Лундин, А.С. Усиков, Б.В. Пушный, А.Э. Юнович, В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Н. Туркин. Спектры люминесценции светодиодов на основе GaN p-i-n структур. Всеросс. Конф. "Микро- и нано- электроника -- 98" (Звенигород, апрель 1999), тез. докл., т. 2, Р 2-30.
A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, S.S. Mamakin, A.N. Turkin, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin. Dependence of aging on the inhomogeneities in InGaN/AlGaN/GaN Light Emitting Diodes. MRS Fall Meeting 1999, Boston, Abstr. W11.25, Dec. 1999.
A.N. Turkin, V.E. Kudryashov, A.E. Yunovich. A model of electroluminescence in InGaN/AlGaN/GaN heterostructures with quantum wells. Intern. Confer. on the Phys. of Semiconductors (ICPS-24), Jerusalem, B-0662, 1998.
М.В. Чукичев, И.Н. Один, А.Ю. Петровский. Люминесцентные свойства кристаллов CdSe, легированных Ge, Sn, B, Sb, Bi. IV Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники-99" (Новосибирск, 1999). Тезисы докладов, с. 86.
Р.Р. Резванов, М.В. Чукичев, Т.П. Суркова, В.В. Гириат. Катодолюминесценция твердых растворов на основе селенида цинка: роль примесей 3d переходных металлов. IV Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники-99" (Новосибирск, 1999). Тез. докл., с. 333.
M.V. Chukichev, I.N. Odin, A.U. Petrovzky, V.F. Kozlovsky. Deep levels in CdSe (Sb or Bi) crystals. Third International School-Conference "Physical properties in material science of semiconductors. Chernivtsi, Ukraine, 7-11 Sept. Abstract Booklet, p. 29 (1999).
I.N. Odin, M.V. Chukichev, R.R. Rezvanov, V.N. Demin, E.V. Safronov. Luminescent properties of Lead Selenide-Iodide. Third International School-Conference "Physical properties in material science of semiconductors". Chernivtsi, Ukraine, 7-11 Sept. Abstract Booklet, p. 130 (1999).
M.V. Chukichev, V.P. Chegnov, I.N. Odin. Cathodoluminescence of CdS1-xTex Crystals (0<x<0,08). Third International School-Conference "Physical properties in material science of semiconductors". Chernivtsi, Ukraine, 7-11 Sept. Abstract Booklet, p. 143 (1999).

Публикации за другие годы
Кафедра физики полупроводников