Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/list10.html
Дата изменения: Fri Mar 15 18:15:39 2013
Дата индексирования: Thu Feb 27 20:54:55 2014
Кодировка: koi8-r
Научные публикации кафедры физики полупроводников за 2010 год
Статьи
Днепровский В.С., Жуков Е.А., Козлова М.В., Wumaier T., Hieu Dau Sy,
Артемьев М.В. Насыщение поглощения и процессы самовоздействия при резонансном
возбуждении основного экситонного перехода в коллоидных квантовых точках
CdSe/ZnS. Физ. тверд. тела, т.52, в. 9, с. 1809-1814 (2010).
Muzychenko D.A., Savinov S.V., Mantsevich V.N., Maslova N.S., Panov V.I.,
Schouteden K., Haesendonk C. Van. Low temperature scanning tunneling microscopy
and spectroscopy of spatial oscillations in the density of states near domain
boundaries at the Ge (111) 2x1 surface. Phys. Rev. B, v. 81, N 3,
р. 035313 (10 pp.) (2010).
Mantsevich V.N., Maslova N.S. Spatial effects of Fano resonance in local
tunneling conductivity in vicinity of impurity on semiconductor surface.
Письма в ЖЭТФ, т. 91, в. 3, с. 150-153 (2010).
Mantsevich V.N., Maslova N.S. Different behaviour of local tunneling
conductivity for deep and shallow impurities due to Coulomb interaction.
Solid State Commun., v. 150, N 41-42, p. 2072-2075 (2010).
Кузьмичева Г.М., Савинкина Е.В., Оболенская Л.Н., Белогорохова Л.И.,
Маврин Б.Н., Чернобровкин М.Г., Белогорохов А.И. Получение, характеризация и
свойства наноразмерных модификаций диоксида титана со структурами анатаза и
eta-TiO2. Кристаллография, т. 55, в. 5, с. 866-872 (2010).
Belogorokhov A., Belogorokhova L,. Gavrilov S. Dipolar vibrational modes
confined in ZnSe nanocrystals. Phys. Status Solidi B, v. 247, N 6, p.
1485-1486 (2010).
Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I., Denisov I.A., Smirnova N.A.,
Levonovich B.N. Raman scattering in CdHgTe epitaxial layers grown on CdZnTe
substrates. Phys. Status Solidi C, v. 7, N 6, p. 1624-1626 (2010).
Дмитриев А.В., Звягин И.П., Современные тенденции развития физики
термоэлектрических материалов. УФН, т. 180, в. 8, с. 821-838 (2010).
Ормонт М.А. Особенности поведения бесфононной прыжковой проводимости
в области кроссовера от линейной к квадратичной частотной зависимости.
Вестник МГУ. Сер. 3. Физ., Астрон., в. 2, с. 46-49 (2010).
Лебедев А.И. Основное состояние и свойства сегнетоэлектрических сверхрешеток
на основе кристаллов семейства перовскита. Физ. тверд. тела, т. 52, в. 7,
с. 1351-1364 (2010).
Случинская И.А., Лебедев А.И., Ерко А. Локальное окружение и зарядовое
состояние примеси Mn в SrTiO3 по данным XAFS-спектроскопии. Известия РАН.
Сер. физическая, т. 74, в. 9, с. 1289-1291 (2010).
Маренкин С.Ф., Морозова В.А., Кошелев О.Г. Структурные дефекты и параметры
зонной структуры монокристаллов CdAs2, ZnAs2, Cd1-xZnxAs2, Zn1-xCdxAs2.
Неорганические материалы, т. 46, в. 9, с. 1114-1120 (2010).
Казанский А.Г., Теруков Е.И., Форш П.А., Kleider J.P. Фотопроводимость
пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой. Физ. и техн. полупроводн.,
т. 44, в. 4, с. 513-516 (2010).
Kazanskii A.G., Kong G., Zeng X., Hao H. Effect of light soaking on CPM
absorption spectra in silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline
structure. Phys. Status Solidi, v. 7, N 3-4, p. 666-669 (2010).
Курова И.А., Ормонт Н.Н. Особенности фотоэлектрических свойств слоистых
пленок аморфного гидрированного кремния. Физ. и техн. полупроводн., т. 44,
в. 12, с. 1624-1628 (2010).
Курова И.А., Ормонт Н.Н. О природе высокой фоточувствительности слоистых
пленок аморфного гидрированного кремния. Материалы электронной техники.
Известия вузов, в. 3, с. 45-48 (2010).
Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В., Чуяс А.В., Юнович А.Э.,
Васильева Е.Д., Бауман Д.А., Уелин В.В., Явич Б.С. Интерференционные эффекты
в спектрах электроотражения и электролюминесценции светодиодных гетероструктур
InGaN/AlGaN/GaN. Физ. и техн. полупроводн., т. 44, в. 8, с. 1124-1129 (2010).
Богданов Е.В., Брандт Н.Б., Минина Н.Я., Широков С.С., Юнович А.Э. Спектры
излучения диодов p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs при одноосном сжатии. Вестник
Московского Университета, сер. 3. Физ., астрон., в. 5, с. 65-69 (2010).
Wunderer T., Wang J., Lipski F., Schwaiger S., Chuvilin A., Kaiser U.,
Metzner S., Bertram F., Christen J., Schirokov S.S., Yunovich A.E., Scholz F.
Semipolar GaInN/GaN Light-Emitting Diodes Grown on Honeycomb Patterned Substrates.
Phys. Status Solidi C, v. 7, N 7-8, р. 2140-2143 (2010).
Avakyants Lev, Bokov Pavel, Chervyakov Anatoly, Yunovich Alexander, Vasileva
Elena and Yavich Boris. Piezoelectric field cancellation in the InGaN quantum
wells of GaN/InGaN/AlGaN LED structures: determination the electric fields from
the electroreflectance experiments. Phys. Status Solidi C, v. 7, N 7-8,
р. 1863-1865 (2010).
Юнович А.Э. Лауреат Премии Киото 2009 года Исаму Акасаки и немного истории
светодиодов. Светотехника, в. 2, с. 65-66 (2010).
Тезисы докладов на конференциях
Zhukov Evgeny, Glazov Mikhail, Ivchenko Eugeneous, Yakovlev Dmitrii,
Fokina Lucy, Karczewsk Grzegorz, Wojtowicz Tomasz, Kossut Jacek, Bayer Manfred.
Optical manipulation of electron spin coherence in CdTe/CdMgTe quantum wells.
Proc. of NOEKS-10 (Paderborn, 2010), A21.
Akimov I.A., Dshioev R.I., Korenev V.L., Kusraev Yu.G., Zhukov E.A.,
Yakovlev D.R., Bayer M. Electron spin dynamics in Mn-doped GaAs. The 6th
Int. Conf. on the Physics and Aplications of Spin Related Phenomena in
Semiconductors (Tokyo, 2010). Abstracts, р. 6-7.
Манцевич В.Н., Маслова Н.С., Орешкин А.И., Панов В.И. Исследование
туннельного тока в присутствии примесных атомов на поверхности полупроводников
методом сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии. Научная конф.
"Ломоносовские чтения", секция физика (21 апреля 2010 г.), с. 27-29.
Mantsevich V.N., Maslova N.S. Spatial effects of Fano resonance in local
tunneling conductivity in the presence of impurity on semiconductor surface.
Proceedings 18th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology
(St.-Petersburg, 2010), с. 248-249.
Mantsevich V.N., Maslova N.S. Spatial distribution of local tunneling
conductivity in vicinity of impurity on semiconductors. Proc. of 25th Int.
Conf. of Physical Students in Graz (2010), р. 27.
Oreshkin A.I., Oreshkin S.I., Maslova N.S., Mantsevich V.N., Panov V.I.
The impurity atoms effect on the flicker noise characteristics of the tunneling
current from individual InAs (110) atomic sites. Proc. of Nanoscale VIII
(Basel, 2010), р. 148.
Белогорохов И.А., Тихонов Е.В., Дронов М.А., Дубинина Т.В., Белогорохова Л.И.,
Толбин А.Ю., Пушкарев В.Е., Рябчиков Ю.В., Томилова Л.Г., Хохлов Д.Р.
Исследование особенностей спектральных зависимостей пропускания в органических
полупроводниках на основе молекул трет-бутилзамещенного дифталоцианина лютеция.
Тезисы докл. XIV Нац. конф. по росту кристаллов (Москва, 2010), т. 1, с. 286.
Белогорохов И.А., Тихонов Е.В., Дронов М.А., Дубинина Т.В.,
Белогорохова Л.И., Толбин А.Ю., Пушкарев В.Е., Томилова Л.Г., Хохлов Д.Р.
Исследование оптических и транспортных свойств металлоорганического композитного
материала на основе полимерных молекул с функциональными нанодобавками. Тезисы
докл. XIV Нац. конф. по росту кристаллов (Москва, 2010), т. 2, с. 304.
Белогорохов И.А,. Мамичев Д.А., Дубинина Т.В., Пушкарев В.Е.,
Белогорохова Л.И., Томилова Л.Г., Хохлов Д.Р. Исследование люминесцентных
свойств полупроводниковых гетеросистем органический полупроводник - неорганическая
матрица, состоящих из молекул бутилзамещенного трифталоцианина эрбия и щелевой
кремниевой структуры в ближней ИК-области. Тезисы докл. VII Межд. конф. по
актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния,
нанометровых структур и приборов на его основе (КРЕМНИЙ-2010, Нижний Новгород,
2010), с. 201.
Белогорохов И.А., Мамичев Д.А., Белогорохова Л.И., Пушкарев В.Е.,
Томилова Л.Г., Хохлов Д.Р. Люминесцентные свойства полупроводниковых композитных
систем, состоящих из молекул трифталоцианина и щелевой кремниевой структуры в
ближней ИК-области. Матер. VII Межд. конф. "Аморфные и кристаллические
полупроводники" (Санкт-Петербург, 2010 г.), с. 185.
Lebedev A.I. First-principles studies of ferroelectric superlattices.
Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity (RCBJSF-10, Yokohama,
2010), Abstract book, p. 29.
Sluchinskaya I.A., Lebedev A.I., Erko A. Structural position and oxidation
state of Mn impurity in SrTiO3 and CaTiO3: A XAFS study. Russia/CIS/Baltic/Japan
Symposium on Ferroelectricity (RCBJSF-10, Yokohama, 2010), Abstract book, p. 185.
Кошелев О.Г., Морозова В.А. Влияние покрытий кремниевых фотопреобразователей
на их спектры отражения и на измеряемые значения рекомбинационных параметров.
Прогр. 12 Всеросс. школы-семинара "Волновые явления в неоднородных средах"
(Красновидово, 2010), с. 26.
Хенкин М.В. Исследование спектральных зависимостей коэффициента поглощения
в тонких пленках гидрированного кремния, полученных разложением моносилана с
водородом. Труды III Всеросс. научно-технической конференции студентов,
аспирантов, молодых ученых и специалистов по направлению "Наноматериалы"
(Рязань, 2010), т. 2, с. 40-44.
Kazanskii A.G., Xiangbo Zeng, Wenbo Peng. Light-induced metastable states
in nanocrystalline hydrogenated silicon. V Joint China-Russian Workshop on
Advanced Semiconductors Materials and Devices (Beijing, 2010). Book of abstract,
p. 7.
Казанский А.Г. Физика слоев гидрированного кремния. Тезисы докл. VII Междунар.
конф. "Кремний 2010" (Нижний Новгород, 2010), с. 89.
Казанский А.Г., Форш П.А., Хенкин М.В., Xiangbo Zeng, Wenbo Peng.
Особенности оптических и фотоэлектрических свойств пленок аморфного гидрированного
кремния, полученных плазмохимическим осаждением из смеси моносилана с водородом.
Тезисы докл. VII Междунар. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
(Санкт-Петербург, 2010), с. 227-228.
Kazanskii A.G. Photoelectric properties of two-phase hydrogenated silicon
films. Indo-Russian Expert Meeting on Preparation and Characterization of
Silicon For Photovoltaic Application (New Delhi, 2010). Book of abstract, p. 22.
Курова И.А., Ормонт Н.Н. Влияние освещения на свойства нелегированных
слоистых пленок a-Si:H. Сборник трудов VII Межд. конф. "Аморфные и
микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, 2010), с. 255-256.
Курова И.А., Ормонт Н.Н. О природе высокой фоточувствительности слоистых
пленок аморфного гидрированного кремния. VII Межд. конф. по актуальным проблемам
физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых
структур и приборов на его основе (КРЕМНИЙ-2010, Нижний Новгород, 2010).
Тезисы докл., с. 88.
Юнович А.Э. Исследования и разработки структур и приборов на основе
нитридных полупроводников в России и в мире в последние годы. 7-я Всеросс.
конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы" (Москва,
2010). Тезисы докл., с. 12-13.
Абдуллаев О.Р., Шишонок Е.М., Якунин А.С., Жигунов Д.М., Иванников П.В.,
Ляпин И.Д., Один И.Н., Чукичев М.В., Юнович А.Э.. Люминофор на основе
кубического нитрида бора, легированного примесями редкоземельных ионов.
7-я Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы"
(Москва, 2010). Тезисы докл., с. 191-192.
Чуяс А.В., Явич Б.С. Влияние параметров активной области и буферной
сверхрешетки на спектры и эффективность InGaN/AlGaN/GaN светодиодов синего
свечения. Тезисы докл. 7-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия -
структуры и приборы" (Москва, 2010), с. 177-178.
Чуяс А.В., Феопентов А.В.. Зависимость спектров и эффективности светодиодов
белого свечения на основе гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN, покрытых
различными люминофорами, от температуры. Тезисы докл. 7-й Всеросс. конф.
"Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" (Москва, 2010),
с. 247-248.
Юнович А.Э. Исследования и разработки светодиодов в мире и в России в
последние годы. Тезисы докл. 3-ей школы "Метрология и стандартизация в
нанотехнологиях" (Черноголовка, 2010), с. 27-28.
Yunovich A.E. Characterization of LED.s heterostructures by color
cathodoluminescence, differential electroreflectance spectroscopy and
electroluminescence methods. Abstracts of the Int. Workshop on Nitride
Semiconductors (IWN-2010, Tampa, 2010), p. 224.
Казанский А.Г. Нанокристаллы кремния в фотонике. "Наноматериалы и методы
их исследования": цикл лекций Всеросс. школы-семинара для студентов,
аспирантов и молодых ученых (Рязань, 2010), т. 2, с. 71-102.
Казанский А.Г. Основные представления об органических полупроводниках
и их применении. "Наноматериалы и методы их исследования": цикл лекций
Всероссийской школы-семинара для студентов, аспирантов и молодых ученых
(Рязань, 2010), т. 2, с. 156-174.