Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/list07.html
Дата изменения: Sat Dec 4 18:59:32 2010
Дата индексирования: Mon Oct 1 20:25:09 2012
Кодировка: koi8-r
Научные публикации кафедры физики полупроводников за 2007 год
Статьи
Днепровский В.С., Жуков Е.А., Кабанин Д.А., Лясковский В.Л., Ракова А.В.,
Умайер Т. Нелинейное поглощение и преломление света в коллоидном растворе
квантовых точек CdSe/ZnS при резонансном двухфотонном возбуждении. ФТТ, т. 49,
в. 2, с. 352-356 (2007).
Днепровский В.С., Жуков Е.А., Добында И.И., Санталов А.Н. Замедление
релаксации по уровням энергии размерного квантования в квантовых точках
CdSe/ZnS с ростом числа возбужденных носителей. ФТТ, т. 49, в. 4, с. 741-744
(2007).
Pavlov V.V., Pisarev R.V., Gridnev V.N., Zhukov E.A., Yakovlev D.R.,
Bayer M. Ultrafast optical pumping of spin and orbital polarizations in the
antiferromagnetic Mott insulators R2CuO4. Phys. Rev. Lett., v. 98, N 4,
p. 047403 (2007).
Yugova I.A., Greilich A., Zhukov E.A., Yakovlev D.R., Bayer M., Reuter D.,
Wieck A.D. Exciton fine structure in InGaAs/GaAs quantum dots revisited by
pump-probe Faraday rotation. Phys. Rev. B, v. 75, N 19, p. 195325 (2007).
Yakovlev D.R., Zhukov E.A., Bayer M., Karczewski G., Wojtowicz T.,
Kossut J. Coherent spin dynamics of electrons in II-VI semiconductor quantum
wells. Int. J. of Modern Physics B, v. 21, N 8 & 9, p. 1336-1346 (2007).
Zhukov E.A., Yakovlev D.R., Bayer M., Glazov M.M., Ivchenko E.L.,
Karczewski G., Wojtowicz T., Kossut J. Spin coherence of a two-dimensional
electron gas induced by resonant excitation of trions and excitons in
CdTe/(Cd,Mg)Te quantum wells. Phys. Rev. B, v. 76, N 20, p. 205310 (2007).
Лебедев А.И., Случинская И.А. Определение параметров потенциальной ямы
нецентрального атома Ge в твердом растворе GeTe-SnTe методом EXAFS. ФТТ,
т. 49, в. 6, с. 1077-1085 (2007).
Кошелев О.Г., Гусева Е.А. Метод определения распределения фотопроводимости
и времени ее релаксации по толщине полупроводниковых пластин. Вестник МГУ.
Сер.3. Физика и Астрономия, т. ?, в. 3, с. 69-73 (2007).
Кошелев О.Г., Морозова В.А., Григорьева Г.М., Звягина К.Н., Спасский А.В.
Особенности спектральной зависимости коэффициента собирания кремниевых
фотопреобразователей, облученных протонами малых энергий. Материалы электронной
техники, в. 1, с. 52 (2008).
Морозова В.А., Маренкин С.Ф., Кошелев О.Г., Черногузов Д.В., Михайлов С.Г.,
Молчанов А.В. Оптические и фотоэлектрические свойства моноклинных кристаллов
Zn1-xCdxAs2. Неорганические материалы, т. 43,
в. 3, с. 263-268 (2007).
Казанский А.Г., Форш П.А., Kong G., Zeng X. Электрические и
фотоэлектрические свойства пленок гидрированного кремния в области перехода
от аморфной к нанокристаллической структуре. Материалы электронной техники,
в. 3, с. 41-47 (2007).
Kazanskii A.G., Esmaelli-Rad M.R., Sazonov A., Kchomich A.A., Nathan N.
Optical properties of nanocrystalline silicon deposited by PECVD.
J. Mat. Sci.: Mater. Electron., v. 18, p. S405-S409 (2007).
Курова И.А., Ормонт Н.Н., Иоффе П.А. Два типа фотоиндуцированных
метастабильных состояний в нелегированных пленках аморфного гидрированного
кремния. Материалы электронной техники, в. 4, с 15-18 (2007).
Авакянц Л.П., Бадгутдинов М.Л., Боков П.Ю., Червяков А.В., Широков С.С.,
Юнович А.Э., Богданов А.А., Васильева Е.Д., Николаев Д.А., Феопентов А.В.
Спектры электроотражения гетероструктур с квантовыми ямами типа
InGaN/AlGaN/GaN. ФТП, т. 41, в. 9, с. 1078-1084 (2007).
Гальчина Н.А., Коган Л.М., Сощин Н.П., Широков С.С., Юнович А.Э. Спектры
электролюминесценции ультрафиолетовых светодиодов на основе р-n-гетероструктур
типа InGaN/AlGaN/GaN, покрытых люминофорами. ФТП, т. 41, в. 9, с. 1143-1148
(2007).
Гальчина Н.А., Коган Л.М., Рассохин И.Т., Сощин Н.П., Полищук А.Г.,
Юнович А.Э. Мощные светодиоды белого свечения со световым потоком до 450 лм
и световой отдачей до 105 лм/Вт. Светотехника, в. 2, с. 26-28 (2007).
Гальчина Н.А., Коган Л.М., Полищук А.Г., Рассохин И.Т., Сощин Н.П.,
Юнович А.Э. Мощные белые светодиоды с улучшенными параметрами. Светотехника,
в. 3, с. 24-26 (2007).
Юнович А.Э. Небесное световое явление. Светотехника, в. 4, с. 69 (2007).
Бадгутдинов М.Л., Гутцайт Э.М., Коган Л.М., Лукьянов Ф.А., Юнович А.Э.
Исследования цветовых параметров светодиодов. Светотехника, в. 5, с. 46-47
(2007).
Юнович А.Э. Современное положение и тенденции развития светодиодов и
светодиодного освещения в мире и в России. Светотехника, в. 6, с. 13-17
(2007).
Poklonski N.A., Lapchuk N.M., Khomich A.V., Lu F.-X., Tang W.-Zh.,
Ralchenko V.G., Vlasov I.I., Chukichev M.V., Munkhtsetseg S. Nitrogen-doped
chemical vapour deposited diamond: а new material for room-temperature solid
state maser. Chinese Physics Letters, v. 24, N 7, p. 2088-2090 (2007).
Евстафьева Е.Н., Дицман С.А., Рау Э.И., Чукичев М.В. Электронная эмиссия
и зарядка природного алмаза при его облучении электронами средних энергий.
Изв. РАН. Серия физическая, т. 71, в. 10, с. 1460-1463 (2007).
Белогорохов А.И., Пархоменко Ю.Н., Карпов Ю.А., Кусельман И.,
Белогорохова Л.И. Изменение оптических свойств и модификация поверхностных
состояний в нанокристаллах кремния, покрытых оболочкой оксида кремния, в
результате термического отжига. Известия ВУЗов. Материалы электронной техники,
в. 4, с. 50-54 (2007).
Тезисы докладов и публикации в трудах конференции
Днепровский В.С., Жуков Е.А., Кабанин Д.А., Лясковский В.Л., Умайер Т.
Аномальное резонансное нелинейное поглощение экситонов в квантовых точках
CdSe/ZnS. Тезисы докладов VIII Российской конференции по физике полупроводников
"Полупроводники 2007", Екатеринбург, с. 288 (2007).
Днепровский В.С., Жуков Е.А., Кабанин Д.А., Лясковский В.Л., Умайер Т.
Нелинейное поглощение и преломление квантовых точек CdSe/ZnS при резонансном
двухфотонном возбуждении экситонов. Тезисы докладов VIII Российской конференции
по физике полупроводников "Полупроводники 2007", Екатеринбург, с. 287 (2007).
Добында И.И., Санталов А.Н., Жуков Е.А., Днепровский В.С. Замедление
релаксации носителей заряда по уровням энергии размерного квантования в
квантовых точках CdSe/ZnS при высоких уровнях оптического возбуждения.
Тезисы докладов VIII Российской конференции по физике полупроводников
"Полупроводники 2007", Екатеринбург, с. 268 (2007).
Умайер Т., Лясковский В.Л., Кабанин Д.А., Жуков Е.А. Нелинейное поглощение
и преломление света в квантовых точках CdSe/ZnS при резонансном двухфотонном
возбуждении экситонов. Сборник тезисов докладов научной конференции
"Ломоносовские чтения. Серия физическая", с. 52-55 (2007).
Dobinde I.I., Santalov A.N., Zhukov E.A., Dneprovskii V.S. Slowing down
of intraband relaxation of CdSe/ZnS quantum dots at high density of the excited
carriers. Proceedings of the Internetional Conference "Nanomeeting-2007",
Minsk, Belarus, p. 144-147 (2007).
Zvyagin I.P., Ormont M.A. Anomalous frequency dependence of phononless
AC conductivity of granular systems. In: Reviews and Short Notes to Int. Conf.
"Nanomeeting-2007", Eds. Borisenko V.E., Gaponenko S.V., Gurin V.S., Minsk,
p. 85-88 (2007).
Zvyagin I.P. A percolation approach to the temperature and charge carrier
concentration dependence of the hopping conductivity in organic materials,
in: Transport in Interacting and Disordered Systems. Int. Conf. TIDS12,
Abstracts, p. 72 (2007).
Звягин И.П. Перколяционный подход к расчету проводимости органических
неупорядоченных полупроводников. Тезисы докладов VIII Российской конференции
по физике полупроводников "Полупроводники 2007", Екатеринбург, с. 347 (2007).
Ормонт М.А., Звягин И.П. Особенности частотной зависимости резонансной
проводимости неупорядоченных систем. Тезисы докладов VIII Российской
конференции по физике полупроводников "Полупроводники 2007", Екатеринбург,
с. 303 (2007).
Случинская И.А., Лебедев А.И., Ерко А., Велигжанин А.А., Чернышов А.А.
Локальная структура титанатов бария, стронция и кальция с примесью свинца
по данным EXAFS-спектроскопии. Тез. докл. VI Национальной конференции по
применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов
для исследования материалов. РСНЭ-2007, Москва, с. 552 (2007).
Лебедев А.И., Случинская И.А., Винокуров А.А., Дорофеев С.Г., Ерко А.
Исследование фазового перехода в VTe2 методами XAFS-спектроскопии.
Тез. докл. VI Национальной конференции по применению рентгеновского,
синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов.
РСНЭ-2007, Москва, с. 523 (2007).
Лебедев А.И. Электронная структура и фононный спектр теллурида свинца
с примесью индия: расчеты из первых принципов. Тезисы докладов VIII Российской
конференции по физике полупроводников "Полупроводники 2007", Екатеринбург,
с. 74 (2007).
Кошелев О.Г., Морозова В.А., Григорьева Г.М., Звягина К.Н., Спасский А.В.
Особенности спектральной зависимости коэффициента собирания кремниевых
фотопреобразователей, облученных протонами малых энергий. Тезисы докладов
четвертой Российской конференции "Кремний 2007", Москва, с. 8 (2007).
Кошелев О.Г., Гусева Е.А. О применении интерференции миллиметровых и
субмиллиметровых волн для диагностики распределения фотопроводимости по
толщине полупроводниковых пластин. ХI Всероссийская школа-семинар "Физика и
применение микроволн" (Звенигород, 2007). Программа конференции, с. 18.
Морозова В.А., Маренкин С.Ф., Кошелев О.Г., Черногузов Д.В., Михайлов С.Г.,
Молчанов А.В. Оптические, фотоэлектрические свойства и структурные дефекты
моноклинных кристаллов Zn1-xCdxAs2. Тезисы
докладов VIII Российской конференции по физике полупроводников
"Полупроводники 2007", Екатеринбург, с. 66 (2007).
Казанский А.Г., Сазонов А.Ю., Хомич А.А. Фотопроводимость субмикронных
пленок аморфного гидрированного кремния. Тезисы докладов четвертой Российской
конференции "Кремний 2007", Москва, с. 38 (2007).
Казанский А.Г., Kong G., Zeng X. Электрические и фотоэлектрические
свойства пленок гидрированного кремния в области перехода от аморфной к
нанокристаллической структуре. Тезисы докладов четвертой Российской конференции
"Кремний 2007", Москва, с. 192 (2007).
Kazanskii A.G., Kong G., Zeng X., Hao H., Liu F. Peculiarity of constant
photocurrent method for silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline
structure. 22 Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
(Colorado). Book of abstracts, p. ThP14-2 (2007).
Казанский А.Г., Kong G., Zeng X. Генерация и перенос носителей заряда
в пленках кремния при переходе от аморфной к нанокристаллической структуре.
Тезисы докладов VIII Российской конференции по физике полупроводников
"Полупроводники 2007", Екатеринбург, с. 124 (2007).
Курова И.А., Ормонт Н.Н., Иоффе П.А. Два типа фотоиндуцированных
метастабильных состояний в нелегированных пленках аморфного гидрированного
кремния. Тезисы докладов четвертой Российской конференции "Кремний 2007",
Москва, с. 42-43 (2007).
Курова И.А., Ормонт Н.Н. Фотоиндуцированная релаксация метастабильных
дефектов в аморфном гидрированном кремнии. Тезисы докладов VIII Российской
конференции по физике полупроводников "Полупроводники 2007", Екатеринбург,
с. 348 (2007).
Юнович А.Э. Исследования и разработки нитридных полупроводников в России
и в мире. Тезисы докладов 5 Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия
и алюминия: структуры и приборы", Москва, физ. фак. МГУ, с. 8-9 (2007).
Бадгутдинов М.Л., Широков С.С., Юнович А.Э., Агапов М.Г., Давыдов Д.В.,
Лавринович Д.А., Снегов Ф.М. Анализ спектров излучения и эффективность синих
светодиодов на основе p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN. Тезисы докладов
5 Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и
приборы", Москва, физ. фак. МГУ, с. 89-90 (2007).
Авакянц Л.П., Бадгутдинов М.Л., Боков П.Ю., Червяков А.В., Широков С.С.,
Юнович А.Э. Электроотражение в p-n-гетероструктурах с квантовыми ямами на
основе InGaN/GaN/AlGaN. Тезисы докладов 5 Всероссийской конференции "Нитриды
галлия, индия и алюминия: структуры и приборы", Москва, физ. фак. МГУ,
с. 105-106 (2007).
Бадгутдинов М.Л., Юнович А.Э. Спектры люминесценции и эффективность синих
светодиодов на основе p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN. Научная Конференция
"Ломоносовские Чтения". Сборник тезисов докладов, Москва, МГУ, физ. фак.,
с. 55-59 (2007).
Чуяс А.В. Электролюминесценция светодиодов синего свечения на основе
гетероструктур типа AlGaN/InGaN/GaN. Тез. докл. XIV Международной Научной
Конференции студентов, аспирантов и молодых ученых "Ломоносов-2007", Москва,
МГУ, физ. фак.; http//www.lomonosov-msu.ru/2007/18/chuias.doc.pdf
Копьев П.С., Юнович А.Э. Исследования и разработки нитридов III группы,
структур и приборов на их основе (обзор). Тезисы докладов VIII Российской
конференции по физике полупроводников "Полупроводники 2007", Екатеринбург,
с. 42 (2007).
Авакянц Л.П., Бадгутдинов М.Л., Боков П.Ю., Червяков А.В., Чуяс А.В.,
Юнович А.Э. Исследование светодиодных p-n-гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN
методами электроотражения и люминесценции. Тезисы докладов VIII Российской
конференции по физике полупроводников "Полупроводники 2007", Екатеринбург,
с. 150 (2007).
Bokov P.Yu., Avakyants L., Badgutdinov M., Chervyakov A., Shirokov S.,
Yunovich A., Vasileva E., Snegov F., Bauman D., Yavich B. A Role of the
built-in piezoelectric field in InGaN/AlGaN/GaN multiple quantum wells in
the electroreflectance experiments. MRS Fall Meeting 2007, Boston,
Abstr. Q 7.10 (2007).
Yunovich A.E., Avakyants L., Badgutdinov M., Bokov P., Chervyakov A.,
Shirokov S., Vasileva E., Feopentov A., Snegov F., Bauman D., Yavich B.
Electroreflectance spectra of InGaN/AlGaN/GaN p-n-heterostructures. In:
III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices, edited by C.R. Abernathy,
H. Jiang, J.M. Zavada (Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 955E, Warrendale, PA,
2007), I.15.36.
Один И.Н., Чукичев М.В. Катодолюминесценция твердых растворов на основе
CdS, содержащих Zn, Ga, Te. Тезисы докладов VIII Российской конференции по
физике полупроводников "Полупроводники 2007", Екатеринбург, с. 365 (2007).
Колониус С.Д., Кортунова Е.В., Один И.Н., Лютин В.И., Чегнов В.П.,
Чукичев М.В. Механизмы краевой люминесценции объемных кристаллов оксида цинка.
Тезисы докладов VIII Российской конференции по физике полупроводников
"Полупроводники 2007", Екатеринбург, с. 63 (2007).
Karipidis T.K., Maltsev V.V., Vokkova E.A., Leonyuk N.I., Chukichev M.V.,
Chvanski P.P., Kortunova E.V. Effect of thermal treatment on cathodoluminescence
and morphology of hydrothermally grown ZnO single crystals. International
Conference "Crystal materials'2007" (ICCM'2007). Sept.17-20. Kharkov, Ukraine.
Abstract Book, p. 36 (2007).
Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И., Барановская В.Б., Гаврилов С.А.,
Карпов Ю.А., Кобелева С.П., Кусельман И., Орлов А.Ф., Филиппов М.Н. Синтез и
оптические свойства нанокристаллов кремния, выдерживающих воздействие
интенсивного лазерного излучения. Тезисы докладов четвертой Российской
конференции "Кремний 2007", Москва, с. 179 (2007).
Белогорохов А.И., Пархоменко Ю.Н., Белогорохова Л.И., Гаврилов С.А.,
Кобелева С.П., Орлов А.Ф., Флоренцев А.А. Вибрационные свойства ансамблей
кремний-германиевых квантовых точек с латеральным упорядочением. Установление
корреляции между структурными параметрами исследованных объектов и их
оптическими свойствами. Тезисы докладов четвертой Российской конференции
"Кремний 2007", Москва, с. 181 (2007).
Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И., Кобелева С.П. Рентгеновская
фотоэлектронная спектроскопия различных модификаций наночастиц кремния.
Тезисы докладов четвертой Российской конференции "Кремний 2007", Москва,
с. 182 (2007).
Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И., Барановская В.Б., Гаврилов С.А.,
Карпов Ю.А., Кобелева С.П., Кусельман И., Орлов А.Ф., Филиппов М.Н. Изменение
оптических свойств и модификация поверхностных состояний в нанокристаллах
кремния, покрытых оболочкой оксида кремния, в результате термического отжига.
Тезисы докладов четвертой Российской конференции "Кремний 2007", Москва,
с. 183 (2007).
Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I., Storozhenko P.A., Tutorsky I.A.
Plasmachemical silicon carbide for UV-protective composites. International
conference on surfaces, coatings, and nanostructured materials (Nano-SMat-2007,
NanoPorous Semiconductors (symposium NPS, organized by G. Mattei and
R. Polini)) Portugal, July 2007. Abstracts Book, p. 152-153.
Белогорохов А.И., Денисов И.А., Смирнова Н.А., Флоренцев А.А.,
Белогорохова Л.И. Изменение спектра оптических фононов в зависимости от
пространственного распределения цинка по глубине эпитаксиального слоя CdHgTe
в гетероструктурах CdHgTe/CdZnTe, Тезисы докладов VIII Российской конференции
по физике полупроводников "Полупроводники 2007", Екатеринбург, с. 179 (2007).