Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/jetp84.html
Дата изменения: Sun Dec 24 21:36:52 2006
Дата индексирования: Mon Oct 1 20:17:47 2012
Кодировка: koi8-r
Структурный фазовый переход в твердом растворе PbTeS Работа опубликована в журнале Письма в ЖЭТФ, т. 40, в. 6, с. 229-231 (1984).

Структурный фазовый переход в твердом растворе PbTe1-xSx

Х.А. Абдуллин, А.И. Лебедев, А.М. Гаськов, В.Н. Демин, В.П. Зломанов

Электрические и фотоэлектрические свойства свидетельствуют о существовании фазового перехода второго рода в PbTe1-xSx. Изменение поведения кривых R(T) вблизи Tc при x >= 0.2 связывается с появлением области критического рассеяния.

Ключевые слова: полупроводники, полупроводниковые твердые растворы, теллурид сульфид свинца, электрические, фотоэлектрические, диэлектрические свойства, аномальное рассеяние, фазовый переход, температура Кюри

Другие исследования нецентральных примесей