|
Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/impureff_r.html
Дата изменения: Sat Dec 4 19:10:49 2010 Дата индексирования: Mon Oct 1 21:07:11 2012 Кодировка: koi8-r |
Изучено влияние неизоэлектронных примесей Cd, Ga, In, Tl, Sb, Bi и Mn на температуру сегнетоэлектрического фазового перехода (ФП), индуцированного в кристаллах PbTe1-xSx и Pb1-xGexTe нецентральными примесями (НП) S и Ge. Показано, что подобно влиянию беспорядка замещения введение в образцы неизоэлектронных примесей понижает температуру ФП Tc, причем влияние заряженных примесей оказывается более сильным по сравнению с неэлектроактивными примесями. Понижение Tc объясняется влиянием на упорядочение дипольных моментов НП случайных электрических и деформационных полей, создаваемых неизоэлектронными примесями. Величина конкретного эффекта различна для каждой примеси и определяется ее зарядовым состоянием, геометрическими размерами и положением в решетке. Показано, что изучение влияния отклонения от стехиометрии на Tc в легированных образцах позволяет получить более детальную информацию о микроскопическом состоянии примеси в кристалле.Ключевые слова: полупроводники, сегнетоэлектрики, теллурид сульфид свинца, теллурид свинца германия, полупроводниковые твердые растворы, кадмий, галлий, индий, таллий, сурьма, висмут, марганец, легирование, температура Кюри