Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/dn2000-1.html
Дата изменения: Mon Dec 8 22:06:45 2003
Дата индексирования: Mon Oct 1 20:51:26 2012
Кодировка: koi8-r
Оптические свойства экситонов в квантовых нитях полупроводник (InP) -- диэлектрик Работа опубликована в журнале Физика твердого тела, т. 42, в. 3, с. 532-536 (2000).

Оптические свойства экситонов в квантовых нитях полупроводник (InP) -- диэлектрик

В.С. Днепровский, Е.А. Жуков, Н.Ю. Маркова, Е.А. Муляров, К.А. Черноуцан, О.А. Шалыгина
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Институт общей физики Российской академии наук

Особенности спектров поглощения, люминесценции, эффективности люминесценции при возбуждении образцов излучением лазера различной поляризации, нелинейная зависимость интенсивности люминесценции от уровня возбуждения объяснены экситонными переходами в квантовых нитях полупроводник (InP)--диэлектрик (хризотил асбест). Получено количественное согласие измеренных значений энергии экситонных переходов в квантовых нитях с рассчитанными. При расчетах учитывалось как размерное квантование в квазиодномерной структуре, так и "диэлектрическое усиление" экситонов (значительное увеличение энергии связи экситона и силы осциллятора экситонного перехода, связанное с увеличением притяжения между электроном и дыркой из-за большого различия диэлектрических проницаемостей полупроводника и диэлектрической матрицы).

Полупроводниковая оптоэлектроника