Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://scon155.phys.msu.su/rus/koshelev_r.html
Дата изменения: Sat Apr 11 11:21:49 2015
Дата индексирования: Sat Apr 9 23:13:48 2016
Кодировка: koi8-r
Кошелев Олег Григорьевич
Родился в 1933 году. Окончил физический факультет МГУ в 1956 году.
Защитил кандидатскую диссертацию на тему "Исследование кинетики
электронных переходов в кремнии методом электронного парамагнитного
резонанса" в 1967 году. Старший научный сотрудник кафедры физики
полупроводников. Имеет свыше 140 научных публикаций.
Научные интересы
В настоящее время основные интересы связаны с исследованиями оптических
и фотоэлектрических свойств полупроводников и взаимодействия
полупроводников с миллиметровыми волнами, а также с разработкой новых
методов контроля фотоэлектрических параметров полупроводников.
Некоторые публикации
Кошелев О.Г. Физические явления в фотоуправляемых модуляторах на
основе кремния в стационарных условиях. 1. Радиоэлектроника. т. 10,
с. 47-53 (1990).
Кошелев О.Г., Плескачева Т.Б. Физические явления в фотоуправляемых
модуляторах на основе кремния при нестационарных условиях. 2.
Радиоэлектроника, т. 10, с. 53-58 (1990).
Кошелев О.Г., Морозова В.А. Способ определения электрофизических
параметров неравновесных носителей заряда в подложках диодных структур.
Патент России No. 2019890. Бюлл. изобрет. 17, (1994).
Кошелев О.Г., Семененя Т.В., Морозова В.А., Маренкин С.Ф.,
Маймасов А.Б. Диэлектрическая проницаемость диарсенида цинка в СВЧ
диапазоне. Вестник МГУ. Физика. Астрономия, сер. 3, т. 37, в. 4, с.
102-105 (1996).
Кошелев О.Г., Форш Е.А. Контроль неоднородностей проводимости
вблизи поверхности легированных полупроводниковых пластин. Изв. РАН.
т. 62, в. 12, с. 2422-2427 (1998).
Кошелев О.Г., Морозова В.А. Компенсационные методы определения
времени жизни неосновных носителей заряда в P-N структурах. Инженерная
физика, N 2, с. 30-35 (2000).
Кошелев О.Г., Морозова В.А. Устройство для бесконтактного определения
времени жизни неосновных носителей заряда неосновных носителей заряда в
пластинах кремния с P-N переходами. Заводская лаборатория, т. 66, в. 10,
с. 34-35 (2000).
Garvin V.N., Kozlova Y.P., Veretenkin E.P., Bowles T.J., Eremin V.K.,
Verbitskaya E.M., Markov A.V., Polyakov A.Y., Koshelev O.G, Morozova V.A.
Bulk GaAs as
a Solar Neutrino Detector. Nuclear Instruments and Methods
in Physics Research A, v. 466, No. 1, р. 119-125 (2001).
Морозова В.А., Маренкин С.Ф., Кошелев О.Г. Энергетические уровни
структурных дефектов в диарсениде цинка. Неорганические материалы,
т. 38, в. 4, с. 409-414 (2002).
Кошелев О.Г., Морозова В.А., Григорьева Г.М., Звягина К.Н., Спасский А.В.
Диагностика неоднородности распределения рекомбинационных центров в кремниевых
фотопреобразователях по спектрам фототока. Изв. РАН, сер. физ., т. 68,
в. 12, с. 1807-1811 (2004).
Морозова В.А., Маренкин С.Ф., Михайлов С.Г., Кошелев О.Г. Оптические
и фотоэлектрические свойства монокристаллов твердых растворов Cd1-xZnxAs2.
Неорган. матер., т. 41, в. 3, с. 268-272 (2005).
Морозова В.А., Маренкин С.Ф., Кошелев О.Г., Трухан В.М. Особенности
краевого поглощения и распространения света в моноклинном дифосфиде цинка.
Неорган. матер., т. 42, в. 3, с. 221-225 (2006).
Кошелев О.Г., Гусева Е.А. Метод определения распределения фотопроводимости
по толщине высокоомных полупроводниковых пластин. Вестник МГУ. Сер. 3. Физика,
астрономия, в. 3, с. 69-73 (2007).
Кошелев О.Г., Гусева Е.А. О применении интерференции миллиметровых и
субмиллиметровых волн для диагностики распределения фотопроводимости по
толщине полупроводниковых пластин. Изв. РАН, сер. физ., т. 72, в. 1,
с. 120-124 (2008).
Кошелев О.Г., Морозова В.А., Григорьева Г.М., Звягина К.Н., Спасский А.В.
Особенности спектральной зависимости коэффициента собирания кремниевых
фотопреобразователей, облученных протонами малых энергий. Изв. ВУЗов.
Материалы электронн. техн., в. 1, с. 52 (2008).
Морозова В.А., Кошелев О.Г., Веретенкин Е.П., Гаврин В.Н., Козлова Ю.П.
Примесный фотовольтаический эффект на p-i-n структурах на основе нелегированного
GaAs. Вестник МГУ. Сер. 3. Физика. Астрономия, т. 17, в. 2, с. 69-72 (2009).
Маренкин С.Ф., Морозова В.А., Кошелев О.Г. Структурные дефекты и параметры
зонной структуры монокристаллов CdAs2, ZnAs2, Cd1-xZnxAs2, Zn1-xCdxAs2.
Неорганические материалы, т. 46, в. 9, с. 1114-1120 (2010).
Koshelev O.G., Morozova V.A. Effect of Coatings of Silicon Solar Cells on
their Reflectance Spectra and on the Measured Values of Recombination Parameters.
Physics of Wave Phenomena, Vol. 19, No. 2, р. 86-88 (2011).
Кошелев О.Г., Унтила Г.Г. Определение времени релаксации СВЧ фотопроводимости
вблизи p-n перехода в базе двусторонних кремниевых солнечных элементов. Изв. РАН,
сер. физическая, т. 76, в. 12, с. 1468-1470 (2012).
Кошелев О.Г., Унтила Г.Г., Михин А.А.. Особенности СВЧ фотопроводимости
двусторонних кремниевых солнечных элементов p+-n-n+ типа. Известия РАН. Серия
физическая, т. 78, в. 12, с. 1559-1563 (2014).