Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://scon155.phys.msu.su/rus/impur_r.html
Дата изменения: Thu Sep 11 11:47:53 2014
Дата индексирования: Sat Apr 9 22:41:41 2016
Кодировка: koi8-r
Нецентральные примеси в полупроводниках

Нецентральные примеси в полупроводниках

Нецентральность примесей является интересным явлением, обнаруженным в 1965 году в кристаллах KCl, легированных Li. Нецентральность проявляется в смещении атомов малого радиуса, замещающих более крупные атомы, из узлов решетки. Это смещение может быть достаточно большим, порядка 0.5-1 A. Причиной нестабильности нецентральных атомов является невозможность силам отталкивания противодействовать влиянию поляризационных сил (взаимодействию заряженного иона с поляризацией, наведенной в решетке). После обнаружения нецентральности атома лития в хлориде калия аналогичные явления были обнаружены и для ряда других атомов в различных кристаллах (см. список известных нецентральных примесей).

Исследования узкозонных полупроводников группы A4B6 (в частности, теллурида свинца PbTe и селенида свинца PbSe), легированных нецентральными примесями (Ge или S) привлекли внимание в связи с явлением сегнетоэлектричества, индуцируемым этими примесями. Изменения физических свойств этих полупроводников, вызванные происходящим в них сегнетоэлектрическим фазовым переходом, могут быть использованы в инфракрасной оптоэлектронике (в инфракрасных лазерах с непрерывной перестройкой длины волны и фотоэлектрических приемниках). Подробное описание свойств полупроводников группы A4B6, содержащих атомы нецентральных примесей, можно найти в обзоре.

Систематические исследования, проведенные в нашей лаборатории, обнаружили целый класс нецентральных примесей в полупроводниках группы A4B6. В четверных твердых растворах этих полупроводников были обнаружены новые гистерезисные и релаксационные эффекты. Кроме сегнетоэлектрической фазы, в этих кристаллах были получены и исследованы две неупорядоченные дипольные структуры: дипольное стекло и замороженный дипольный беспорядок. Изучено влияние различных примесей на сегнетоэлектрические фазовые переходы. В настоящее время исследование этих явлений продолжается с использованием методики EXAFS-спектроскопии на синхротронном излучении. Особый интерес при этом вызывают исследования обнаруженного нами нового класса нецентральных примесей -- нецентральных примесей большого радиуса.

Состав группы:

Публикации по теме:


Исследования полупроводников и сегнетоэлектриков с помощью EXAFS
На основную страницу