Рассеяние свободных носителей вблизи фазового перехода в твердом растворе PbTe_1-xS_x

Исследовано аномальное рассеяние электронов вблизи структурного фазового перехода в PbTe_1-xS_x. В образцах с x=0.05 при изменении концентрации электронов на два порядка T_c остается неизменной, а величина аномалии в рассеянии DR закономерно изменяется с n. Появление аномального рассеяния около T_c связывается с рассеянием на кластерах предупорядочения (S -- нецентральная примесь). Изменение формы кривой DR(T), наблюдаемое в области x=0.2, объясняется появлением бесконечного кластера. Явления закалки, обнаруженные при быстром охлаждении образцов, могут быть вызваны замораживанием неравновесных конфигураций кластеров. Рассмотрено влияние донорных (In, Cd, Cu, Sb) и изовалентных (Sn, Ge) примесей на фазовый переход в PbTe_1-xS_x.

Ключевые слова: теллурид сульфид свинца, полупроводниковый твердый раствор, узкозонные полупроводники, температура Кюри, индий кадмий медь сурьма германий олово, легирование, дефекты, релаксация