Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://scon155.phys.msu.su/publ/ku2000.html
Дата изменения: Fri Nov 8 20:12:54 2002
Дата индексирования: Mon Oct 1 20:01:08 2012
Кодировка: koi8-r
Особенности релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H<P> Работа опубликована в журнале Физика и техника полупроводников, т. 34, в. 3, с. 364-367 (2000).

Особенности релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H<P>

И.А. Курова, Э.В. Ларина, Н.Н. Ормонт

Обсуждается кинетика релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний, обусловливающих повышение темновой проводимости пленок a-Si:H<P>. Установлено, что релаксация описывается функциями типа растянутой экспоненты с параметрами \tau и \beta, различно зависящими от температуры для фото- и термоиндуцированных состояний. Так, релаксация фотоиндуцированных состояний характеризуется уменьшением \beta с температурой, для термоиндуцированных состояний параметр \beta практически постоянен. Показано, что эти различные температурные зависимости \beta коррелируют с температурными изменениями полуширины распределений по энергиям отжига этих состояний. Установленные особенности релаксации фото- и термоиндуцированных метастабильных состояний обусловлены разными механизмами их образования. Природа их может быть одна и связана с активацией пассивированных водородом атомов фосфора.


Другие работы по исследованию аморфных полупроводников