Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://scon155.phys.msu.su/publ/kaz1999-1.html
Дата изменения: Fri Nov 8 20:03:30 2002
Дата индексирования: Mon Oct 1 20:20:09 2012
Кодировка: koi8-r
Фотопроводимость аморфного гидрированного кремния, легированного методом ионной имплантации Работа опубликована в журнале Физика и техника полупроводников, т. 33, в. 3, с. 332-335 (1999).

Фотопроводимость аморфного гидрированного кремния, легированного методом ионной имплантации

А.Г. Казанский, С.М. Петрушко, Н.В. Рыжкова

Исследовано влияние концентрации примесей (фосфора и бора) на фотопроводимость пленок аморфного гидрированного кремния, гидрированного и легированного методом ионной имплантации. Проведено сопоставление с данными для пленок, легированных из газовой фазы. Обнаружено существенное отличие зависимостей фотопроводимости от уровня легирования для фосфора и бора. Фотопроводимость имплантированных фосфором пленок возрастает с уровнем легирования и на порядок величины меньше фотопроводимости пленок, легированных фосфором из газовой фазы. В то же время фотопроводимость пленок, имплантированных бором, слабо зависит от уровня легирования и практически совпадает с фотопроводимостью пленок, легированных бором из газовой фазы. Полученные результаты объясняются в рамках модели рекомбинации, учитывающей различие в перезарядке состояний дефектов в пленках n- и p-типа.


Аморфные и микрокристаллические полупроводники