Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://scon155.phys.msu.su/publ/yu2001-1.html
Дата изменения: Mon Nov 11 00:30:55 2002 Дата индексирования: Mon Oct 1 20:12:39 2012 Кодировка: koi8-r |
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический
факультет)
Московский институт стали и сплавов
Исследованы квантовый выход и спектры люминесценции светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами в диапазоне токов J=10-6-10-1 А. Светодиоды фирмы Hewlett Packard имели небольшой разброс квантового выхода излучения (%) при рабочих токах ( мА). Различия связаны с разной зависимостью интенсивности излучения от тока и напряжения вследствие различия распределения заряженных центров в области пространственного заряда структур и разной роли туннельной компоненты тока при малых напряжениях. При мкА в диодах с малой толщиной области пространственного заряда ( нм) обнаружена полоса туннельного излучения, энергетическое положение максимума которой эВ соответствует напряжению. Положение основного максимума эВ в спектрах при малых токах (J=0.05-0.5 мА) не зависит от напряжения и объясняется излучательными переходами в локализованных состояниях. Спектральная полоса сдвигается с током при мА ( эВ); форма полосы описана в модели заполнения хвостов двумерной плотности состояний, обусловленных флуктуациями потенциала. Рассчитана энергетическая диаграмма структуры с множественными квантовыми ямами, которая объясняет 4 параметра модели рекомбинации в хвостах двумерной плотности состояний.