Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://physelec.phys.msu.ru/study/lecture/lukyanov.doc Дата изменения: Wed Sep 12 23:59:33 2012 Дата индексирования: Sat Feb 2 21:48:44 2013 Кодировка: koi8-r

Программа спецкурса "Электронная микроскопия и микроанализ"
5 курс, 523 группа, осенний семестр
лектор - ст. науч. сотр. Лукьянов А.Е.

1. Электронная оптика. Корпускулярные пучки. Электростатические и
магнитные линзы, их фокусные расстояния. Главные плоскости и узловые
точки. Аберрации. Электронные пушки микроскопов. Типы электронных
микроскопов (просвечивающий, растровый, эмиссионный и зеркальный),
области их применения.
2. Просвечивающий электронный микроскоп. Рассеяние электронов на атоме и
идеальном кристалле. Законы Лауэ и Вульфа-Брегга. Обратная решетка,
сфера Эвальда, влияние формы кристалла. Влияние толщины кристалла.
Типы электронограмм. Теория Аббе формирования изображения,
разрешение. Режим микродифракции. Контраст изображения кристаллов.
Фазовая электронная микроскопия. Частотно-контрастная характеристика
микроскопа. Сверхвысоковольтная микроскопия. Наблюдение динамических
процессов.
3. Растровый электронный микроскоп. Особенности работы растрового
электронного микроскопа, поточечное построение изображения. Неупругие
взаимодействия электронов с объектом, вызываемые ими вторичные
процессы и их свойства: вторичная электронная эмиссия, генерация
рентгеновского излучения, тепловое воздействие на объект, термо- и
акустические волны. Особенности взаимодействия электронов с
полупроводниками и диэлектриками. Неравновесные носители заряда, их
движение и рекомбинация. Катодолюминесценция. Разделение
неравновесных носителей заряда на электрических барьерах. Возможность
одновременного получения многообразной информации. Соотношение
сигнал/шум в тракте передачи информации микроскопа. Оценка размера
электронного зонда и разрешения. Информативность вторичной
электронной эмиссии, контраст и разрешение в режимах регистрации
мeдлeнных вторичных электронов, отраженных электронов и оже-
электронов. Рентгеновский микроанализ элементного состава,
локальность анализа. Два метода микроанализа с дисперсией по длинам
волн и по энергии рентгеновских квантов, их достоинства и недостатки.
Детекторы рентгеновского излучения в электронной микроскопии.
Информативность методов, связанных с регистрацией сигналов от
неравновесных элeктронно-дырочных пар. Определение локальных
электрофизических параметров полупроводника. Микрокатодолюминесценция
и разрешение в этом режиме.
4. Сканирующая зондовая микроскопия. Принципы работы сканирующих
зондовых микроскопов. Сканирующая туннельная микроскопия. Атомно-
силовая микроскопия. Магнитно-силовая микроскопия. Оптическая
микроскопия ближнего поля. Разрешение и информативность в каждом
случае.

Литература:
1. Хейденрайх Р. Основы просвечивающей электронной микроскопии. М.: Мир,
1966.
2. Хирш П., Хови. и др. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.:
Мир, 1968.
3. Гоулдстейн Дж. и Яковиц Х. Практическая растровая электронная
микроскопия. М.: Мир, 1978.
4. Гоулдстейн Дж. и др. Растровая электронная микроскопия и
рентгеновский микроанализ. М.: Мир, 1984, книги 1,2.
5. Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. М.: Техносфера,
2004.