Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://phys.msu.ru/rus/news/archive/20140113953/
Дата изменения: Unknown
Дата индексирования: Sun Apr 10 01:43:25 2016
Кодировка: Windows-1251
Семинар Проф. Hidde Brongersma
EN
13.01.2014

Семинар Проф. Hidde Brongersma

21 января в 13:00, в Малой физической аудитории Физического факультета МГУ пройдет лекция Проф. Hidde Brongersma (Эйндховенский университет технологий, Нидерланды; ION-TOF GmbH, Мюнстер, Германия) на тему "Изучение поверхности материалов методом высокочувствительной спектроскопии рассеяния медленных ионов".

Программа лекции:

Введение в метод HS-LEIS (High Sensitivity Low Energy Ion Scattering)

Современные технологии направлены на создание наноматериалов с непревзойденными свойствами. Достижения в области науки и нанотехнологий в значительной степени основываются на аналитических методах, позволяющих изучать параметры полученных наноструктур. С появлением прибора Qtac100, нового высокочувствительного устройства для спектроскопии рассеяния медленных ионов (HS-LEIS), появилась возможность производить количественный анализ широкого спектра материалов с беспрецедентной поверхностной чувствительностью.

Атомы на поверхности принимают наибольшее участие в таких процессах, как рост, адгезия, катализ и эмиссия электронов. В то время как аналитические методы, такие как РФЭС, ВИМС, ОЭС дают данные, усредненные по нескольким атомным слоям, метод HS-LEIS может давать информацию о внешнем атомном слое. В дополнение к этому, метод позволяет проводить неразрушающий анализ первых 10 нм у поверхности вещества. HS-LEIS хорошо подходит для количественного анализа как гладких монокристаллов, так и аморфных, непроводящих и сильно шероховатых поверхностей.

Особенности метода HS-LEIS

Сравнение метода HS-LEIS с другими аналитическими инструментами, такими, как РФЭС, Оже-электронная спектроскопия, ВИМС, спектроскопия резерфордовского обратного рассеяния и классический метод LEIS.

Применение HS-LEIS

Главным образом, внимание будет уделено тем приложениям, в которых интересующую информацию невозможно (или очень сложно) получить другими аналитическими методами. Уникальные возможности будут продемонстрированы на примерах изучения ультратонких слоев (atomic layer deposition), катализаторов, наночастиц и многих других объектов.

Профессор H. Brongersma получил PhD степень в Лейденском Университете. Всю свою карьеру он работал на стыке физики и химии. После постдокторантуры в Калифорнийском технологическом университете он пришел в компанию Philips Electronics, где начал разработку метода спектроскопии рассеяния медленных ионов. Во время работы в Philips он возглавил группу по разработке компакт-дисков, оптических волокон и других различных высокотехнологичных применений стекла. Параллельно со своей карьерой в фирме он стал профессором химии в Лейденском университете, а затем присоединился к физическому факультету Эйндховенского Университета Технологий. Это дало ему возможность для дальнейшего развития метода LEIS и для применения его к различным областям материаловедения. Профессор H. Brongersma является соавтором более 270 научных статей, редактором 2 книг, держателем патента на CD диски, оптические волокна и на метод LEIS. В Эйндховене он получил важные научные результаты в области исследования катализа, полимеров, III-V полупроводников и керамики. H. Brongersma обладатель множества наград, престижной премии Я. Кистемекера по физике. Он основал компанию Calipso, которая в настоящее время входит в компанию ION-TOF (Германия). В 2010 году H. Brongersma удостоен звания почетного профессора Имперского Колледжа Лондона.

Источник:  Администрация