|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАучно-технической информации |
||
Galiev G.B.
Соавторы: Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А., Лунин Р.А., Пономарев Д.С., Khabibullin R.A., Васильевский И.С., Боков П.Ю., Авакянц Л.П., Климов Е.А., Червяков А.В., Овешников Л.Н., Maltsev P.P., Oveshnikov L.N.показать полностью...
5 статей, 3 доклада на конференциях, 2 тезисов докладов
Количество цитирований статей в журналах по данным
Web of Science: 8,
Scopus: 5
IstinaResearcherID (IRID): 540369
Деятельность
стиль:
обычный |
ГОСТ |
plain |
abbrv |
acm |
alpha |
amsalpha |
amsplain |
apalike |
ieeetr |
siam
-
Статьи в журналах
-
- 2015 Characterization of the spatial inhomogeneity of heterointerfaces in GaAs/AlGaAs quantum wells by photoreflectance spectroscopy
- Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Galiev G.B., Kazakov I.P., Chervyakov A.V.
- в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 49, ? 9, с. 1202-1206 DOI
-
- 2015 Experimental determination of the subband electron effective mass in InGaAs/InAlAs HEMT - structures by the Shubnikov ? de Haas effect at two temperatures
- Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Kulbachinskii V.A.
- в журнале Physics procedia, издательство Elsevier (United States), том 72, с. 425-430 DOI
-
- 2013 Electrical and optical properties of near-surface AlGaAs/InGaAs/AlGaAs quantum wells with different quantum-well depths
- Khabibullin RA, Galiev GB, Klimov EA, Ponomarev DS, Vasil'evskii IS, Kulbachinskii VA, Bokov PY, AVAKYANTS L., Chervyakov AV
- в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 47, ? 9, с. 1203-1208 DOI
-
- 2013 Enhancement of Electron Mobility and Photoconductivity in Quantum Well In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As on InP Substrate
- Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
- в журнале Acta Physica Polonica A, издательство Polska Akademia Nauk (Poland), том 123, ? 2, с. 345-348 DOI
-
- 2012 Electron effective masses in an InGaAs quantum well with InAs and GaAs inserts
- Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Vasil?evskii I.S., Khabibullin R.A., Ponomarev D.S.
- в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство Institute of Physics Publishing (United Kingdom), том 27, с. 035021-1-035021-5
-
-
Доклады на конференциях
-
- 2016 Генерация терагерцевого излучения в эпитаксиальных пленках LT-InGaAs, выращенных на подложках InP с ориентациями (100) и (411) (Устный)
- Авторы: Климов Е.А., Пушкарев С.С., Китаева Г.Х., Кузнецов К.А., Корниенко В.В., Галиев Г.Б.
- X Всероссийский семинар по радиофизике миллиметровых и субмиллиметровых волн, Нижний Новгород, Россия, 29 февраля - 3 марта 2016
-
- 2015 Подвижности и эффективные массы электронов в HEMT-структурах InGaAs/InAlAs с повышенным содержанием In (Стендовый)
- Авторы: Юзеева Н.А., Сорокоумова А.В., Лунин Р.А., Овешников Л.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А.
- XXXVII Совещание по физике низких температур, Казань, Россия, 29 июня - 3 июля 2015
-
- 2014 Experimental determination of the subband effective mass and the electron mobility in the isomorphic InGaAs quantum well with InAs inserts on InP substrate
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Losev G.D., Galiev G.B., Klimov E.A., and Maltsev P.P.
- 22nd International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, Saint Petersburg, June23-27, 2014
-
-
Тезисы докладов
-
- 2016 ГЕНЕРАЦИЯ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ LT-InGaAs, ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ InP С ОРИЕНТАЦИЯМИ (100) И (411)
- Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пушкарев С.С., Китаева Г.Х., Кузнецов К.А., Корниенко В.В.
- в сборнике X Всероссийский семинар по радиофизике миллиметровых и субмиллиметровых волн, тезисы, с. 1-157
-
- 2014 Experimental determination of the subband effective mass and the electron mobility in the isomorphic InGaAs quantum well with InAs inserts on InP substrate
- Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Losev G.D., Galiev G.B., Klimov E.A., Maltsev P.P.
- в сборнике Proceedings, 22nd International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, June 23-27, место издания Saint Petersburg, тезисы, с. 39-40
-
