|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАучно-технической информации |
||
ION BEAM ETCHING METHOD AND ION BEAM ETCHING APPARATUSпатент
- Авторы: Yu K.Arutyunov, Tuboltsev V., Kaarre M.
- Номер: FI20060719
- Дата публикации патента: 9 февраля 2012 г.
-
Реферат (описание изобретения):
The present invention relates to manufactur- 5 ing of three dimensional (3D nanostructures, particularly nanostructures having dimensions in the range of below 100 nm.
- Добавил в систему: Арутюнов Константин Юрьевич
