Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://danp.sinp.msu.ru/pci2012/Program_2012.htm
Дата изменения: Tue May 22 11:17:37 2012
Дата индексирования: Mon Oct 1 21:35:27 2012
Кодировка: Windows-1251
Секция I ФИЗИКА ОРИЕНТАЦИОННЫХ Э

Предварительная программа 42 Тулиновской Конференции

по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами

 

Секция I ФИЗИКА ОРИЕНТАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ                                                                    

                                                         Полный текст программы Конференции - pdf файл

29 мая, вторник, 1030 - 1200

1 утреннее заседание

Председатель М.И. Панасюк

Вступительное слово - профессор М.И. Панасюк

1.        

Н.Г. Чеченин. Синтез и свойства полимерных композитов с углеродными нанотрубками. (30 мин)

2.                     

В.И. Высоцкий, А.А. Корнилова, В.С. Черныш. Особенности ядерного синтеза при взаимодействии ускоренных линейных молекулярных ионов (D-:-D)+ с поверхностью мишеней. (15 мин)

3.                     

Г.П. Похил, В.В. Чердынцев. Модель динамики прохождения ионов через диэлектрические капилляры. (15 мин)

1200 - 1230 обсуждение стендовых докладов

 

29 мая, вторник, 1230 - 1400

II утреннее заседание

Председатель  Г.П. Похил

1.        

Ю.П. Кунашенко. Когерентное тормозное излучение нейтронов. (15 мин)

2.        

А.В. Казаков, В.С. Малышевский, П.В. Серба. Рассеяние нейтральных атомов кристаллической поверхностью. (15 мин)

3.        

Н.Ф. Шульга, С.В. Трофименко. Об эффекте плотности в ионизационных потерях энергии высокоэнергетических частиц в тонких слоях вещества. (15 мин)

4.        

В.В. Козловский, В.А. Козлов. Использование пика упругих (ядерных) потерь энергии протонов в кремнии для локального введения радиационных дефектов. (15 мин)

5.        

И.П. Чернов, А.С. Русецкий, Д.Н. Краснов, В.М. Силкин, Т.И. Сигфуссон, Ю.И. Тюрин. 'Холодный ядерный  синтез' - миф или реальность. (15 мин)

 

1400 - 1500 перерыв на обед

Стендовые доклады

1.      

А.Я. Силенко. Эволюция поляризации мюония и позитрония в намагниченном веществе.

2.      

К.А. Вохмянина, П.Н. Жукова, Э.Ф. Иррибарра, А.С. Кубанкин, Ле Тхи Хоай, Р.М. Нажмудинов, Н.Н. Насонов, Г.П. Похил. Исследования бесконтактного прохождения электронов через диэлектрические каналы.

3.      

А.Н. Амрастанов, С.А. Гинзгеймер, М.А. Степович. Об одной возможности моделирования процесса диффузии неосновных носителей заряда, генерированных электронным зондом в полупроводниковом материале.

4.      

Т.А. Куприянова, Л.Р. Миникаев, Р.Р. Тангишев, М.А. Степович, М.Н. Филиппов. Моделирование пробега киловольтных электронов в диэлектрической мишени в условиях накопления объемного заряда.

5.      

Ю.А. Белкова, Я.А. Теплова. Трехкомпонентное приближение при оценке неравновесных  зарядовых фракций  ионов бора и азота при прохождении через тонкие пленки.

6.      

Р.И. Богданов, М.Р. Богданов. Аддитивные шумы в слабо-диссипативной теории Колмогорова-Арнольда-Мозера.

7.      

В.А. Басков, В.В. Ким, Б.И. Лучков, В.Ю. Тугаенко, В.А. Хабло. Множественность заряженных частиц в ливнях от электронов 26 ГэВ в зависимости от толщины ориентированных кристаллов вольфрама.

8.      

В.Л. Левшунова, Г.П. Похил, Д.И. Тетельбаум. Эффект волновода для гиперзвука вблизи линейной дислокации-2.

9.      

Г.П. Похил. Скорость звука в растянутой среде.

10.   

С.Н. Нагорных, В.И. Павленков. Применение бифуркаций в исследовании поверхностных стохастических процессов.

11.   

В.П. Кощеев, Д.А. Моргун, Ю.Н. Штанов, А.С. Фокин.  Моделирование процесса отклонения π- мезонов с энергией 150 ГэВ кристаллом кремния.

12.   

Н.А. Евтеева, Г.В. Гаранин, Н.С. Пушилина, А.М. Лидер. Моделирование диффузии водорода сквозь тонкие пленки.

13.   

О.В. Богданов, Ю.Л. Пивоваров, Е. И. Фикс. О влиянии торможения релятивистских тяжелых ионов в радиаторе на угловые распределения черенковского излучения.

14.   

А.М. Самсонов, Г.М. Филиппов. Исследование агрегатных состояний водорода в процессе заполнения УНТ.

15.   

А.В. Степанов, Г.М. Филиппов. Моделирование взаимодействия потока молекул водорода с углеродной нанотрубкой методами молекулярной динамики c применением модифицированного потенциала REBO.

16.   

В.А. Александров, Г.М. Филиппов. Особенности элементарных возбуждений электронной подсистемы УНТ и ее влияние на торможение частиц.

17.   

В.А. Александров, Г.М. Филиппов. Оценка поляризационных сил для заряда в УНТ посредством решения нестационарного уравнения Шредингера.

18.   

В.А. Александров, Ф.Н. Михайлов. Оптимизация параметров при самосборке линейно-цепочечного углерода методом молекулярной динамики.

19.   

А.С. Сабиров. Исследование влияния поляризацонных полей на каналирование заряженных частиц в нанотрубках в рамках диэлектрического подхода.

20.   

В.Г. Стельмах, И.Д. Ядгаров, А.М. Расулов, А.А. Джурахалов. Моделирование малоатомных кластеров серебра Agn (n=2..10).

21.   

Д. В. Широкорад, Г.В. Корнич. Нейросетевой метод восстановления профиля концентрации примеси при ионном послойном анализе.

22.   

В.И. Высоцкий, М.В. Высоцкий. Особенности формирования и специфика проявления когерентных коррелированных состояний каналируемых частиц при демпфировании и флуктуациях в канале.

23.   

Н.В. Максюта, Г.П. Головач. Описание процессов деканалирования и реканалирования заряженных частиц в кристаллах с помощью нестационарного уравнения Шредингера в дробных производных переменного порядка.

24.   

Н.В. Максюта, В.И. Высоцкий. О возможности проявления экранирования и возникновения кильватерного потенциала при каналировании релятивистских электронов в заряженных плоскостях ионных кристаллов.

25.   

И.В. Кириллин, Н.Ф. Шульга, В.И. Трутень. О механизмах отклонения заряженных частиц изогнутыми кристаллами в ТэВ-ной области энергий.

26.   

Г.П. Васильев, В.К. Волошин, А.С. Деев, С.К. Киприч, Н.И. Маслов, С.В. Наумов, В.Д. Овчинник, С.М. Потин, М.Ю. Шулика, В.И. Яловенко. Экспериментальные образцы детектирующих систем.

27.   

G.V. Kovalev. Volume reflection of  relativistic particles in a  bent crystal with external magnetic field.

28.   

F.M. Ali, S.E. Abo-Neima, A.A. Sakr, F. el-Akad, A.M. el-Khatib, H.A. Motaweh. Effects of fast neutrons and gamma radiation on some biophysical properties of red blood cells membrane of albino rats (in vivo study).

29.   

В.Я. Чуманов, А.Г. Кадменский, Н.Г. Чеченин. Ионизационные эффекты тяжелой компоненты космического излучения в защищенных микросхемах.

 

Секция II  ИЗЛУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ И ПОЗИТРОНОВ В ТВЕРДОМ ТЕЛЕ

29 мая, вторник, 1500 - 1630

I вечернее заседание

Председатель В.И. Высоцкий

1.        

Н.Ф. Шульга, В.В. Сыщенко, В.С. Нерябова. Спектральный метод в теории аксиального каналирования. (15 мин)

2.        

В.И. Алексеев, Э.Ф. Иррибарра, А.С. Кубанкин, Р.М. Нажмудинов, Н.Н. Насонов, В.В. Полянский, В.И. Сергиенко. Диагностика поликристаллов на основе поляризационного тормозного излучения релятивистских электронов. (15 мин)

3.        

В.К. Гришин, Д.П. Никитин. Поляризационное излучение и диагностика атомных объектов, скрытых в эндоэдральных соединениях. (15 мин)

4.        

В.П. Афанасьев, Д.С. Ефременко, Д.А. Иванов, П.С. Капля, А.В. Лубенченко. Влияние процессов многократного упругого рассеяния на угловые распределения рентгеновских фотоэлектронов. (15 мин)

5.        

K.B. Korotchenko, Yu.L. Pivovarov, Yu. Takabayashi, T.A. Tukhfatullin. Quantum effect for PXR at channeling. (15 мин)

 

1630 - 1700 обсуждение стендовых докладов

31 мая, вторник, 1700 - 1845

II вечернее заседание

Председатель Н.Ф. Шульга

1.   

D.A. Shkitov, G.A. Naumenko, M.V. Shevelev, A.P. Potylitsyn, H. Deng, X. Wang. Application of the diffraction radiation interferogram obtained after the interaction of an electron beam with a slit target. (15 мин)

2.   

А.С. Сабиров, Г.М. Филиппов. Движение электрона в системе квантовых точек во внешнем поле. (15 мин)

3.   

Н.В. Максюта, В.И. Высоцкий, Г.П. Головач, С.В. Ефименко. Численный анализ спектральной плотности квазихарактеристического излучения при каналировании релятивистских электронов в кристаллах со структурой цинковой обманки. (15 мин)

4.   

Н.И. Маслов. О возможности генерации интенсивных пучков когерентного тормозного излучения. (15 мин)

5.   

M.S. Badawi, S.S. Nafee, S.M. Diab, A.M. el-Khatib, and E.A. el-Mallah. Calculate the efficiency of gamma-ray detectors for inverted well beaker sources using an analytical efficiency transfer principle. (15 мин)

6.   

В.П. Петухов. Дифракция рентгеновских фотонов, излучаемых ионами в процессе  резонансного когерентного возбуждения под малыми углами к поверхности, на кристалле мишени. (15 мин)

Стендовые доклады

1.        

M.S. Badawi, M.M. Gouda, A.M. el-Khatib, S.S. Nafee, and E.A. el-Mallah. New analytical approach to calibrate cylindrical hpge detector including corrections for self attenuation of large cylindrical sources and attenuation of all detector housing materials.

2.        

M.S. Badawi, A.M. el-Khatib, M.A. Elzaher, A.A. Thabet, and A.A. Sakr. Calculation of full energy peak efficiency of gamma detectors using an analytical efficiency transfer principle.

3.        

H.A. Motaweh, A. A. Sakr, and T.G. Abdelmalik. Effect of x-ray irradiation energy on optical , mechanical and dielectric properties of polyaniline polymethylmethacrylate blend.

4.        

А.С. Лобко, О.В. Мисевич, А.А. Федоров. Детектирование интенсивных потоков мягкого рентгеновского излучения пластическими сцинтилляторами.

5.        

С.В. Блажевич, Ю.П. Гладких, А.В. Носков. Эффект Бормана в дифрагированном переходном излучении релятивистского  электрона, пересекающего периодическую слоистую мишень.

6.        

С.В. Блажевич, Ю.П. Гладких, А.В. Носков. Когерентное рентгеновское излучение, возбуждаемое релятивистским электроном в периодической слоистой структуре в геометрии рассеяния Брэгга.

7.        

С.В. Блажевич, Ю.П. Гладких, А.В. Носков. Когерентное рентгеновское излучение вблизи направления скорости релятивистского электрона, пересекающего периодическую слоистую структуру.

8.        

П.Н. Жукова, Ле Тхи Хоай, Н.Н. Насонов. Определение местоположения атома в элементарной ячейке кристалла.

9.        

О.А. Горбунова, П.Н. Жукова, В.А. Насонова. Подавление эффекта плотности в параметрическом  рентгеновском  излучении.

10.     

O.V. Bogdanov, Yu.L. Pivovarov, Y. Takabayashi, T.A. Tukhfatullin. Doughnut scattering of 255 MeV electrons at <100> channeling in silicon crystal.

11.     

С.В. Абдрашитов, О.В. Богданов, Ю.Л. Пивоваров, Т.А. Тухфатуллин. Рассеяние и излучение релятивистских электронов и позитронов при плоскостном каналировании в кристалле кремния.

12.     

O.V. Bogdanov, S.B. Dabagov. On the kinetics and radiation of planar channeled electrons in thick crystals.

13.     

Ю.П. Кунашенко, Ю.В. Шпет. КТИ релятивистских позитронов, движущихся в режиме плоскостного каналирования.

14.     

А.В. Щагин. Параметрическое рентгеновское излучение релятивистских заряженных частиц из прямого и изогнутого кристалла.

15.     

Г.Л. Бочек, А.С. Деев, Н.И. Маслов. Восстановление рентгеновских спектров излучения: измерение ХРИ и фильтр Росса.

16.     

Д.А. Бакланов, А.О. Винаков, И.Е. Внуков, В.С. Иванов, С.А. Лактионова, Р.А. Шатохин. Анализ трехкристальной схемы генерации монохроматического излучения для медицинских применений.

17.     

Д.А. Бакланов, И.Е. Внуков, Е.А. Дворецкая, С.А. Лактионова, Р.А. Шатохин. Влияние размеров микроблоков на процесс когерентного рождения электронно-позитронных пар в кристаллах.

 

Секция III РАССЕЯНИЕ, РАСПЫЛЕНИЕ И ЭМИССИЯ ВТОРИЧНЫХ ЧАСТИЦ

 

30 мая, среда, 1000 - 1130

 

I утреннее заседание

               

Председатель В.С. Черныш

 

1.        

А.А. Ермоленко, Г.В. Корнич, А.И. Бажин, С.В. Чертопалов. Молекулярно-динамическое моделирование взаимодействия атомов металлов с поверхностью фуллерита. (15 мин)

2.        

П.Ю. Григорьев, Е.Е. Журкин. Моделирование распыления нанокластеров кремния диаметром (1-4)нм при бомбардировке одноатомными и кластерными ионами методом классической молекулярной динамики. (15мин)

3.        

Ю.А. Кудрявцев, Р. Азомоза, В.И. Король. Распыление поверхности ионами цезия: экспериментальное определение концентрации внедренного цезия. (15 мин)

4.        

Н.Н. Андрианова, А.М. Борисов, Ю.С. Виргильев, Е.С. Машкова, Д.В. Петров, Е.А. Питиримова. Ионно-лучевое модифицирование структуры и морфологии стеклоуглерода (15 мин)

5.        

Н.В. Новиков, Я.А. Теплова. Ширина равновесного зарядового распределения тяжелых ионов в твердой и газообразной средах.

Н.В. Новиков, Я.А. Теплова. Ю.А. Файнберг. Зарядовое распределение ионов азота, отраженных от медной и графитовой поверхности (объединенный доклад, 15 мин).

6.        

И.В. Лысова, А.В. Степанов. Роль структурных дефектов при каналировании частиц в углеродных нанотрубках (15 мин).

 

        1130 - 1215 обсуждение стендовых докладов

 

30 мая, среда, 1215 - 1400

II утреннее заседание

Председатель А.М. Борисов

1.        

В.С. Ковивчак, Т.В. Панова, К.А. Михайлов. Особенности формирования морфологии поверхности медных сплавов, облученных мощным ионным пучком.

Т.В. Панова, В.С. Ковивчак, Г.И. Геринг, Д.О. Доронин. Распределение  микроструктуры в зоне модифицирования мощным ионным пучком металлов и сплавов. (объединенный доклад, 20 мин)

2.        

С.Н. Шилобреева, В.И. Зиненко, В.В. Сарайкин, Л.Л. Кашкаров, Ю.А. Агафонов, В.С. Бронский. Экспериментальное моделирование модификации силикатов под воздействием ионизирующего излучения. (15 мин)

3.        

К.В. Карабешкин, П.А. Карасев, А.И. Титов. Молекулярный эффект в кремнии при облучении ионами Р и PF4 различных энергий. (15 мин)

4.        

В.Ю. Китов, Э.С. Парилис. Ориентационные эффекты в эмиссии оже-электронов из монокристаллов под действием атомарных и молекулярных ионов. (15 мин)

5.        

А.Ю. Дидык, Р. Вишневский, В.С. Куликаускас. Пороговый характер накопления ионов дейтерия в палладии при высокодозной имплантации.

А.Ю. Дидык, Р. Вишневский, В.С. Куликаускас. Поведение дейтерия, имплантированного в Zr, Ti и Al2O3, после высокодозной имплантации при длительном хранении (объединенный доклад, 20 мин).

6.        

З.А. Исаханов, Б.Э. Умирзаков, З.Э. Мухтаров, У.Н. Раззоков. Температурные зависимости работы выхода вторичных ионов с поверхностей Мо имплантированных ионами Ba+ и Cs+ (15 мин).

            1400 - 1500 перерыв на обед

            Стендовые доклады

1.        

Е.А. Питиримова, Ю.А. Данилов. Влияние имплантации ионов Ar+ на свойства пленок хрома.

2.        

А.В. Бакаев, П.Ю. Григорьев, Е.Е. Журкин, Д.А. Терентьев. Молекулярно-динамическое моделирование взаимодействия дислокаций с радиационными дефектами в аустенитных сплавах Fe-Ni-Cr.

3.        

С.Ж. Ниматов, Т. Юсупов. Изучение методом ДЭНЭ силицидообразования на поверхности Si(111) при низкоэнергетической ионной бомбардировке.

4.        

В.И. Кристя, Йе Наинг Тун. Влияние неоднородности ионного потока на эффективный коэффициент распыления мишени с поверхностным рельефом в тлеющем разряде.

5.        

П.И. Диденко. Исследование минералов методом вторично-ионной масс-спектрометрии.

6.        

А.А. Абдувайитов. Исследование состава неконтролируемых примесей, их химических состояний и профиля распределения на границе раздела полупроводник-металл методами ЭОС И ВИМС.

7.        

В.В. Андреев, Г.Г. Бондаренко, М.С. Васютин, В.Г. Дмитриев, А.В. Романов. Исследование изменения зарядового состояния МДП-приборов при электронном облучении.

8.        

А.А. Вирюс, Т.П. Каминская, М.Н. Шипко, М.А. Степович. Локальный анализ состава и структуры прецизионных сплавов системы Fe-Si-Al, подвергнутых магнитоимпульсной обработке.

9.        

А.А. Абдувайитов, М.К Рузибаева. Исследование состава примесных элементов в  TiN и ZrNb, методом ЭОС.

10.     

А.А. Столяров, Д.В. Андреев, И.В. Соловьев. Исследование ионизирующих излучений с использованием полупроводниковых приборов на основе МДП-структур.

11.     

Н.В. Алов. Эффект металлизации поверхности оксидов при ионном облучении.

12.     

В.Н. Кудияров, А.М. Лидер, Н.С. Пушилина. Исследование перераспределения водорода в титане под действием рентгеновского излучения методом спектрометрии плазмы тлеющего разряда.

13.     

М.Т. Нормурадов, Б.Е. Умирзаков, Д.А. Ташмухамедова, Д.М. Мурадкабилов, Н.А. Курбанов. Влияние дозы облучения ионов Co на размеры нанокристаллов CoSi2, созданных на поверхности Si.

14.     

Ю.Г. Коробова, Д.И. Бажанов. Ab initio исследование формирования структурных изгибов углеродных цепочек.

15.     

Г.В. Корнич, Г. Бетц, В.И. Шульга. Механизмы фокусировки при распылении кластеров меди на поверхности графита.

16.     

И.В. Лысова, А.Н. Михайлов. Распределение по энергиям молекулярных образований при каналировании в УНТ.

17.     

Г.А. Вершинин, К.Н. Полещенко, Г.И. Геринг, Е.Е. Тарасов, П.П. Кокухин. Формирование коррозионно-стойких композиций в поверхностных слоях твердых сплавов при комбинированной ионно-лучевой обработке.

18.     

А.А. Абдувайитов, М.К. Рузибаева. Сравнителний изучение эмиссии Оже-электронов с поверхности цветных металлов при бомбардировке пучком ионов и электронов.

19.     

Б.Г. Атабаев, В.Н. Гирянский, А.П. Коварский, Д.Ю. Казанцев, Д.А. Николаев. Влияние ростовых дивакансий  на кластерное распыление галлия при бомбардировке GaN ионами цезия.

20.     

Б.Г. Атабаев, А.А. Лебедев, И.Г. Атабаев, Р. Джаббарганов, В.Н. Гирянский, Б. Зияев. Исследование вторично-ионной эмиссии примесей GaN/SiC в зависимости от температуры отжига.

21.     

Б.Г. Атабаев, В.Г. Бекетов, Р. Джаббарганов, В.Н. Гирянский Ф.Р. Юзикаева, А. Урунов. Энергетическая зависимость вторично-ионной эмиссии кластеров GaN/SiC при бомбардировке ионами цезия.

22.     

В.Н. Арустамов, Х.Б. Ашуров, Х.Х. Кадыров, И.Х. Худойкулов. К вопросу об эмиссии электронов в катодном пятне вакуумного дугового разряда.

23.     

А.Н. Пустовит. Глубина выхода распыленных частиц при наклонном угле падения первичного пучка.

24.     

А.Ю. Дидык, Р. Вишневский, В.С. Куликаускас. Распределение дейтерия и водорода в многослойных структурах из Nb-фольг и ВТСП-пленках после воздействия импульсной высокотемпературной D+-плазмы.

25.     

С.Ж. Ниматов, Д.С. Руми. Исследование дозовой зависимости степени аморфизации поверхности Si(111) при бомбардировке низкоэнергетическими ионами Na+.

26.     

Н.Х. Джемилев, С.В. Верхотуров, В.В. Соломко, С.Е. Максимов. Спектры кинетических энергий распада и стабильность ниобий-углеродных кластеров, распыленных с поверхности карбида ниобия ионами ксенона.

27.     

Б.Г. Атабаев, В.Н. Гирянский, М.А. Пермухамедова, А.П. Коварский, Д.Ю. Казанцев, Д.А. Николаев. Влияние стабильности и ионизации кластеров на молекулярное распыление GaN.

28.     

M.W. Ullah, A. Kuronen, F. Djurabekova, K. Nordlund, A.I. Titov, P.A. Karaseov. Atomistic simulation of molecular ion irradiation of GaN.

29.     

А.И. Толмачев. Аналитические выражения для тормозной способности вещества в теории отражения заряженных частиц.

30.     

Н.Н. Андрианова, А.М. Борисов, Ю.С. Виргильев, Е.С. Машкова, В.С. Севостьянова, В.И. Шульга. Влияние температуры на физическое распыление высокоориентированного пиролитического графита.

31.     

Н.Н. Андрианова, А.М. Борисов, В.В. Борисов, Ю.С. Виргильев, Е.С. Машкова, В.С. Севостьянова, М.А. Тимофеев. Влияние ионной бомбардировки на автоэлектронную эмиссию углеродных материалов.

32.     

Н.В. Носов, В.Н. Самойлов. О взаимосвязи сильно блокированных и перефокусированных атомов при эмиссии с поверхности граней (001) Ni и (001) Au.

33.     

В.Н. Самойлов, Н.В. Носов. Эффект перефокусировки по азимутальному углу при эмиссии атомов с поверхности граней (001) Ni и (001) Au.

34.     

Б.Г. Атабаев, Р. Джаббарганов, У.Б. Шаропов, М.К. Курбанов, К.У. Назаркулова. Кинетика точечных дефектов и их агрегатов на поверхности пленки LiF/Si(111).

35.     

Б.Г. Атабаев, Р. Джаббарганов, У.Б. Шаропов, М.К. Курбанов, Н.Г. Саидханова. Изучение отрицательно-ионных кластеров SiC при бомбардировке ионами Cs+.

36.     

Б.Л. Оксенгендлер, С.Е. Максимов, Н. Тураева, Н.Ю. Тураев. Множественные процессы при распылении материалов ионной бомбардировкой.

37.     

Е.Ю. Брикуля, Н.В. Волков И.В. Олейников. Разработка метода идентификации эмиссионных пиков ИК-диапазона от оксидных пленок на поверхности циркония.

38.     

Б.А. Калин, Н.В. Волков, Р.А. Валиков, А.С. Яшин, В.И. Стаценко. Модифицирование внешней поверхности циркониевых оболочек радиальным пучком ионов Ar+.

39.     

Н.В. Волков. Изучение угловой зависимости распыления поликристаллических образцов Ti, Fe, Cu, Mo и W под облучением пучком ионов He+ и Ar+ с широким энергетическим спектром.

 

Секция IV  МОДИФИКАЦИЯ И АНАЛИЗ ПОВЕРХНОСТИ

 

30 мая, среда, 1500 - 1630

1 вечернее заседание

Председатель И.С. Ташлыков

 

1.    

И.Е. Тысченко, В.А. Володин, В.П. Попов. Структурные и оптические свойства пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов H+ и отожженных в миллисекундном импульсном режиме.

И.Е. Тысченко. Структуры кремний-на-изоляторе с ионно-модифицированным захороненным слоем SiO2 (объединенный доклад, 20 мин).

2.    

В.В. Углов, Н.Т. Квасов, В.М. Асташинский, Ю.А. Петухов, А.М. Кузьмицкий, И.Л. Дорошевич, С.В. Ластовский. Радиационная стойкость кремниевых наноструктурированных фотовольтаических элементов, полученных в компрессионной плазме.

В.М. Асташинский, Р.С. Кудактин , Ю.А. Петухов, А.М. Кузьмицкий. Микроструктура и фазовый состав силицидного слоя, сформированного при воздействии компрессионных плазменных потоков на систему Zr-Si (объединенный доклад, 20 мин).

3.    

В.В. Углов, Г. Абади, И.А. Солодухин, С.В. Злоцкий, А.Ю. Ровбуть. Радиационная стойкость структуры и фазового состава нанокристаллических покрытий TiZrAlN, сформированных магнетронным распылением.

В.В. Углов, В.И. Шиманский, Н.Н. Черенда, В.М. Асташинский, Н.Т. Квасов. Конвективный массоперенос в поверхностных слоях титана, подвергнутого воздействию компрессионными плазменными потоками (объединенный доклад, 20 мин).

4.    

А.А. Дмитриевский, Н.Ю. Ефремова, П.А. Косырев, А.Р. Ловцов, А.В. Шуклинов. Подавление эффективности фазовых превращений в кремнии при локальном нагружении посредством низкоинтенсивного бета-облучения (15 мин).

5.    

А.А. Андреев, Ю.А. Ермаков, А.Е. Иешкин, А.С. Патракеев, В.С. Черныш. Времяпролетная масс-спектрометрия для источника газовых кластерных ионов (15 мин).

 

1630 - 1715 - Обсуждение стендовых докладов.

 

30 мая, среда, 1715 - 1845

II вечернее заседание

         Председатель В.В. Углов

 

1.        

О.М. Михалкович, И.С. Ташлыков. Локализация атомов co в облученном ионами ксенона кремнии при ионно-ассистированном нанесении на него тонких Co пленок.

И.С. Ташлыков, В.В. Тульев. Элементный состав Pd/Fe структур, сформированных динамическим атомным перемешиванием (объединенный доклад - 20 мин).

2.    

Н.С. Пушилина, Е.В. Березнеева, И.П. Чернов, М.Х. Кренинг, А.М. Лидер, В.Н. Кудияров, С.В. Иванова. Воздействие водорода на модифицированную импульсным электронным пучком  поверхность циркониевого сплава.

Д.В. Березнеев, Е.В. Березнеева, И.П. Чернов, И.А. Шулепов, С.В. Иванова. Свойства нанесенных магнетронным напылением TiOх покрытий на поверхность циркониевых  сплавов.

Е.В. Березнеева, Д.В. Березнеев, Н. С. Пушилина, И.П. Чернов, А.М. Лидер, Ю.П. Черданцев, Г.Е. Ремнев, С.В. Иванова. Свойства поверхностного слоя циркониевого сплава, модифицированного импульсным  ионным пучком.

Н. С. Пушилина, И.П. Чернов, Н.Н. Коваль, Е.В. Березнеева, С.В. Иванова, А.М. Лидер, Ю.П. Черданцев. Микроструктура поверхностности циркониевого сплава,  модифицированного импульсным электронным пучком (объединенный доклад, 25 мин).

3.    

А.Б. Крамченков, М.И. Захарец, А.Н. Бугай, В.Е. Сторижко. Исследование поверхностей расплавленных металлов методом резерфордовского обратного рассеяния (15 мин).

4.    

В.В. Привезенцев, В.С. Куликаускас, А.Б. Путрик, Д.В. Петров, П.Н. Черных, А.Н. Макунин, А.А. Шемухин.  Формирование наночастиц ZnO в структуре SiO2/Si методом имплантации ионами Zn (15 мин).

5.    

З.А. Исаханов, Б.Э. Умирзаков, М.К. Рузибаева, У.Н. Раззоков. Влияние имплантации ионов на состав и электронные свойства поверхности пленок CdTe (15 мин).

Стендовые доклады

1.        

Ю.С. Бордулев, Р.С. Лаптев, А.М. Лидер, Г.В. Гаранин. Оптимизация временного разрешения спектрометра для исследования аннигиляции позитронов в твердых телах.

2.        

Ю.В. Балакшин, С.А. Голубков, Н.Н. Егоров, А.С. Патракеев, В.С. Черныш, А.А. Шемухин. Формирование и исследование ультратонких слоев кремния на сапфировой подложке с помощью ионной имплантации.

3.        

Г.В. Лысова, Г.А. Биржевой, С.М. Образцов. Температурная зависимость радиационного упрочнения стали ЭП-823 после облучения ионами Ni++ с энергией 7 МэВ.

4.        

С.С. Зырянов, А.В. Кружалов, Ф.Г. Нешов, О.В. Рябухин. Использование обратного рассеяния протонов с энергией 6,6 МэВ для исследования дейтерирования материалов.

5.        

Ю.А. Кудрявцев, Р. Азомоза, В.М. Король. Исследование изотопного эффекта при имплантации изотопов лития в органические кристаллы.

6.        

С.Е. Кривицкий, В.С. Куликаускас, В.М. Шарапов, В.В. Затекин, А.М. Зимин, С.В. Серушкин. Характеризация соосажденных вольфрам-дейтериевых пленок.

7.        

А.И. Туровец, О.Г. Бобрович, И.С. Ташлыков. Свойства поверхности системы Mo/стеклянная подложка формируемой ионно-ассистированным осаждением молибдена.

8.        

Д.И. Курбатов, А.В. Климов, А.С. Опанасюк, А.Г. Пономарев. Исследование распределения марганца в пленках Zn1-xMnxTe  и Zn1-xMnxS методом μ-PIXE.

9.        

В.В. Поплавский, А.В. Дорожко, В.А. Чумак. Микроструктура и состав каталитических слоев, формируемых ионно-ассистируемым осаждением платины на углеродные подложки..

10.     

А.М. Борисов, В.Г. Востриков, Е.А. Романовский, Н.В Ткаченко. Развитие метода спектрометрии ядерного обратного рассеяния для определения концентрации водорода в Al, Mg, Ti.

11.     

И.С. Ташлыков, Д.А. Сильванович, В.С. Куликаускас, В.Ф. Гременок. Воздействие Хе+ облучения на состав поверхности CuInSe2.

12.     

Б.И. Хрипунов, Л.С. Данелян, В.В. Затекин, В.С. Койдан, В.С. Куликаускас, С.Т. Латушкин, В.Б. Петров, А.И. Рязанов, В.Н. Унежев. Накопление газов в условиях воздействия быстрых ионов и плазмы на поверхность вольфрама.

13.     

О.А. Подсвиров, А.И. Сидоров, Д.В. Чураев. Растворение пленки серебра в стекле и образование нанокристаллов серебра при электронном облучении.

14.     

Н.Н. Черенда, Н.В. Бибик, В.М. Асташинский, А.М. Кузьмицкий. Легирование эвтектического силумина атомами хрома под воздействием компрессионных плазменных потоков.

15.     

А.З. Хамдохов, Р.Ш. Тешев, З.М. Хамдохов, В.С. Куликаускас, П.Н. Черных.  Особенности структуры пленки TiN после облучения ионами азота.

16.     

А.К. Кулешов, Е.А. Крутилина, В.М. Асташин-ский, А.М. Кузьмицкий. Структурно-фазовое состояние системы титановое покрытие - твердый сплав в зависимости от параметров воздействия компрессионными плазменными потоками.

17.     

С.С. Грабчиков, С.Б. Ластовский, Ю.В Богатырев, П.В. Панкратов, А.Г. Пяткевич, В.В. Углов. Использование многослойных структур системы висмут/медь для защиты кремниевых биполярных приборов от электронного облучения.

18.     

Н.Н. Коваль, Ю.Ф. Иванов, Ю.А. Петухов, А.В. Калин, А.Д. Тересов. Микроструктура системы 'циркониевое покрытие-кремний', обработанной сильноточными электронными пучками .

19.     

А.В. Кабышев, Ф.В. Конусов, Г.Е. Ремнев. Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией.

20.     

Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, А.В. Гиро, А.С. Камышан. Модификация электрофизических свойств приповерхностных слоев кремния ионами водорода.

21.     

В.А. Никитенко, С.Г. Стоюхин, С.В. Мухин. Облучение и термостимулированные электроннодырочные процессы  в монокристаллах оксида цинка с анионными вакансиями.

22.     

А.М. Рахимов, Ж.Б. Хужаниезов, А.С. Рысбаев, А.А. Рысбаев. О возможности создания термочувствительных структур имплантацией ионов фосфора и бора в кремний.

31 мая, четверг, 1000 - 1130

I утреннее заседание

     

 Председатель В.С. Куликаускас

 

1.        

И.И. Ташлыкова-Бушкевич, В.С.  Куликаускас, С.М. Барайшук, Ю.С. Яковенко, Д.М. Солодкий. Влияние композиционного состава поверхности на смачиваемость быстрозатвердевших фольг алюминия

И.И. Ташлыкова-Бушкевич, О.В. Рябухин, С.С. Зырянов, Ф.Г. Нешов, Д.Р. Байтимиров, В.Н. Алехнович, В.Г. Шепелевич. Ядерно-физические исследования термической стабильности микроструктуры быстрозатвердевших сплавов А1-Сг и Al-Fe (объединенный доклад, 20 мин)



 

2.        

А.М. Борисов, В.Г. Востриков, Л.Н. Лесневский, М.А. Ляховецкий, Е.А. Романовский, Н.В. Ткаченко, В.Н. Тюрин. Исследование формирования защитных покрытий методом микродугового оксидирования с использованием нанопорошков гидроокиси Al и Ca.

А.М. Борисов, В.Г. Востриков, Е.А. Романовский, Н.В. Ткаченко, А.В. Виноградов, Б.Л. Крит, С.В. Савушкина. Исследование керамикоподобных оксидных покрытий на цирконии, полученных при плазменном воздействии в электролитах (объединенный доклад, 20 мин).

3.        

С.С. Зырянов, А.В. Кружалов, М.В. Кузнецов, Ф.Г. Нешов, О.В. Рябухин. Исследование поверхности стали, облученной протонами в йодной среде.

С.С. Зырянов, С.Г. Купцов, Ф.Г. Нешов, О.В. Рябухин. Изучение состава приповерхностных слоев упрочняющих покрытий на основе тяжелых металлов при различных режимах легирования (объединенный доклад, 20 мин).


 

4.        

Г.А. Вершинин, T.В. Вахний, А.И. Суслов, И.А. Курзина, Ю.П. Шаркеев. Анализ массоперноса в структурированных образцах титана при имплантации ионами алюминия источника Mevva-5.RU (15 мин).

 

1130 - 1215 - Обсуждение стендовых докладов

 

Стендовые доклады

 

1.        

Ж.Б. Хужаниезов, А.М. Рахимов, А.С. Рысбаев, Ш.Х. Джураев, А.А. Рысбаев. Влияние имплантации ионов P, B и щелочных элементов на плазменные колебания валентных электронов кремния.

2.        

В.Н. Арустамов, Х.Б. Ашуров, Х.Х. Кадыров, И.Х. Худойкулов. Модификация поверхности  стального проката прикатодной плазмой вакуумного дугового разряда.

3.        

Б.Е. Умирзаков, М.Р. Ахмеджанов, В.Х. Холмухамедова, С.Б. Данаев, Ж.А. Якубов. Оптимальные режимы ионной имплантации и отжига для создания трехкомпонентных диэлектрических нанопленок.

4.        

Д.А. Ташмухамедова, Б.Е. Умирзаков, М.А. Миржалилова, Х.Х. Болтаев, Р.Ч. Муминов. Формирование одно- и многокомпонентных наноструктур на поверхности GaAs при ионной бомбардировке.

5.        

М.К. Рузибаева, С.Б. Донаев, А.А. Абдувайитов. Формирование переходного слоя и его состав при напылении наноструктурных  покрытий с одновременной ионной бомбардировкой.


 

6.        

А.К. Ташатов, Д.А. Ташмухамедова, Д. Буназаров, Б.Б. Мавлянов, М.К. Шамшиддинов Влияние ионной и электронной бомбардировки на состав и структуру пленок MgO.

7.        

В.В. Углов, Н.Т. Квасов, И.Л. Дорошевич. О магнитной структуре ферромагнитных наночастиц железа.

8.        

А.А. Лозован, С.С. Александрова, С.В. Прищепов, Д.В. Чулков. Исследование капельной компоненты лазерного эрозионного факела при нанесении покрытий на внуренние поверхности труб методом ИЛО.

9.        

Л.К. Израилева, Э.Н. Руманов. Об относительной роли диффузии и импульсов давления в процессах кластеризации при облучении.

10.     

Г.Т Рахманов, И.М Сайдумаров. Определения кинетических характеристик термодесорбции молекул поверхности окисленного вольфрама.

11.     

М.В. Гомоюнова, Г.С. Гребенюк, И.И. Пронин. Формирование интерфейса кремний-кобальт.

12.     

С.Ж. Ниматов, Ф. Шакаров. Исследование режимов твердофазной эпитаксии германия на поверхности кремния методом ДЭНЭ.

 

1215 Заключительное слово М.И. Панасюк