Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://danp.sinp.msu.ru/pci2012/Program_2012.htm
Дата изменения: Tue May 22 11:17:37 2012 Дата индексирования: Mon Oct 1 21:35:27 2012 Кодировка: Windows-1251 |
Предварительная программа 42 Тулиновской Конференции
по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами
Секция I ФИЗИКА ОРИЕНТАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ
Полный текст программы Конференции - pdf файл
29 мая, вторник, 1030 - 1200 |
1 утреннее заседание |
Председатель М.И. Панасюк
Вступительное слово - профессор М.И. Панасюк
1. |
Н.Г. Чеченин. Синтез и свойства полимерных композитов с углеродными нанотрубками. (30 мин) |
2. |
В.И. Высоцкий, А.А. Корнилова, В.С. Черныш. Особенности ядерного синтеза при взаимодействии ускоренных линейных молекулярных ионов (D-:-D)+ с поверхностью мишеней. (15 мин) |
3. |
Г.П. Похил, В.В. Чердынцев. Модель динамики прохождения ионов через диэлектрические капилляры. (15 мин) |
1200 - 1230 обсуждение стендовых докладов
29 мая, вторник, 1230 - 1400 |
II утреннее заседание |
Председатель Г.П. Похил
1. |
Ю.П. Кунашенко. Когерентное тормозное излучение нейтронов. (15 мин) |
2. |
А.В. Казаков, В.С. Малышевский, П.В. Серба. Рассеяние нейтральных атомов кристаллической поверхностью. (15 мин) |
3. |
Н.Ф. Шульга, С.В. Трофименко. Об эффекте плотности в ионизационных потерях энергии высокоэнергетических частиц в тонких слоях вещества. (15 мин) |
4. |
В.В. Козловский, В.А. Козлов. Использование пика упругих (ядерных) потерь энергии протонов в кремнии для локального введения радиационных дефектов. (15 мин) |
5. |
И.П. Чернов, А.С. Русецкий, Д.Н. Краснов, В.М. Силкин, Т.И. Сигфуссон, Ю.И. Тюрин. 'Холодный ядерный синтез' - миф или реальность. (15 мин) |
1400 - 1500 перерыв на обед
Стендовые доклады
1. |
А.Я. Силенко. Эволюция поляризации мюония и позитрония в намагниченном веществе. |
2. |
К.А. Вохмянина, П.Н. Жукова, Э.Ф. Иррибарра, А.С. Кубанкин, Ле Тхи Хоай, Р.М. Нажмудинов, Н.Н. Насонов, Г.П. Похил. Исследования бесконтактного прохождения электронов через диэлектрические каналы. |
3. |
А.Н. Амрастанов, С.А. Гинзгеймер, М.А. Степович. Об одной возможности моделирования процесса диффузии неосновных носителей заряда, генерированных электронным зондом в полупроводниковом материале. |
4. |
Т.А. Куприянова, Л.Р. Миникаев, Р.Р. Тангишев, М.А. Степович, М.Н. Филиппов. Моделирование пробега киловольтных электронов в диэлектрической мишени в условиях накопления объемного заряда. |
5. |
Ю.А. Белкова, Я.А. Теплова. Трехкомпонентное приближение при оценке неравновесных зарядовых фракций ионов бора и азота при прохождении через тонкие пленки. |
6. |
Р.И. Богданов, М.Р. Богданов. Аддитивные шумы в слабо-диссипативной теории Колмогорова-Арнольда-Мозера. |
7. |
В.А. Басков, В.В. Ким, Б.И. Лучков, В.Ю. Тугаенко, В.А. Хабло. Множественность заряженных частиц в ливнях от электронов 26 ГэВ в зависимости от толщины ориентированных кристаллов вольфрама. |
8. |
В.Л. Левшунова, Г.П. Похил, Д.И. Тетельбаум. Эффект волновода для гиперзвука вблизи линейной дислокации-2. |
9. |
Г.П. Похил. Скорость звука в растянутой среде. |
10. |
С.Н. Нагорных, В.И. Павленков. Применение бифуркаций в исследовании поверхностных стохастических процессов. |
11. |
В.П. Кощеев, Д.А. Моргун, Ю.Н. Штанов, А.С. Фокин. Моделирование процесса отклонения π- мезонов с энергией 150 ГэВ кристаллом кремния. |
12. |
Н.А. Евтеева, Г.В. Гаранин, Н.С. Пушилина, А.М. Лидер. Моделирование диффузии водорода сквозь тонкие пленки. |
13. |
О.В. Богданов, Ю.Л. Пивоваров, Е. И. Фикс. О влиянии торможения релятивистских тяжелых ионов в радиаторе на угловые распределения черенковского излучения. |
14. |
А.М. Самсонов, Г.М. Филиппов. Исследование агрегатных состояний водорода в процессе заполнения УНТ. |
15. |
А.В. Степанов, Г.М. Филиппов. Моделирование взаимодействия потока молекул водорода с углеродной нанотрубкой методами молекулярной динамики c применением модифицированного потенциала REBO. |
16. |
В.А. Александров, Г.М. Филиппов. Особенности элементарных возбуждений электронной подсистемы УНТ и ее влияние на торможение частиц. |
17. |
В.А. Александров, Г.М. Филиппов. Оценка поляризационных сил для заряда в УНТ посредством решения нестационарного уравнения Шредингера. |
18. |
В.А. Александров, Ф.Н. Михайлов. Оптимизация параметров при самосборке линейно-цепочечного углерода методом молекулярной динамики. |
19. |
А.С. Сабиров. Исследование влияния поляризацонных полей на каналирование заряженных частиц в нанотрубках в рамках диэлектрического подхода. |
20. |
В.Г. Стельмах, И.Д. Ядгаров, А.М. Расулов, А.А. Джурахалов. Моделирование малоатомных кластеров серебра Agn (n=2..10). |
21. |
Д. В. Широкорад, Г.В. Корнич. Нейросетевой метод восстановления профиля концентрации примеси при ионном послойном анализе. |
22. |
В.И. Высоцкий, М.В. Высоцкий. Особенности формирования и специфика проявления когерентных коррелированных состояний каналируемых частиц при демпфировании и флуктуациях в канале. |
23. |
Н.В. Максюта, Г.П. Головач. Описание процессов деканалирования и реканалирования заряженных частиц в кристаллах с помощью нестационарного уравнения Шредингера в дробных производных переменного порядка. |
24. |
Н.В. Максюта, В.И. Высоцкий. О возможности проявления экранирования и возникновения кильватерного потенциала при каналировании релятивистских электронов в заряженных плоскостях ионных кристаллов. |
25. |
И.В. Кириллин, Н.Ф. Шульга, В.И. Трутень. О механизмах отклонения заряженных частиц изогнутыми кристаллами в ТэВ-ной области энергий. |
26. |
Г.П. Васильев, В.К. Волошин, А.С. Деев, С.К. Киприч, Н.И. Маслов, С.В. Наумов, В.Д. Овчинник, С.М. Потин, М.Ю. Шулика, В.И. Яловенко. Экспериментальные образцы детектирующих систем. |
27. |
G.V. Kovalev. Volume reflection of relativistic particles in a bent crystal with external magnetic field. |
28. |
F.M. Ali, S.E. Abo-Neima, A.A. Sakr, F. el-Akad, A.M. el-Khatib, H.A. Motaweh. Effects of fast neutrons and gamma radiation on some biophysical properties of red blood cells membrane of albino rats (in vivo study). |
29. |
В.Я. Чуманов, А.Г. Кадменский, Н.Г. Чеченин. Ионизационные эффекты тяжелой компоненты космического излучения в защищенных микросхемах. |
Секция II ИЗЛУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ И ПОЗИТРОНОВ В ТВЕРДОМ ТЕЛЕ
29 мая, вторник, 1500 - 1630 |
I вечернее заседание |
Председатель В.И. Высоцкий
1. |
Н.Ф. Шульга, В.В. Сыщенко, В.С. Нерябова. Спектральный метод в теории аксиального каналирования. (15 мин) |
2. |
В.И. Алексеев, Э.Ф. Иррибарра, А.С. Кубанкин, Р.М. Нажмудинов, Н.Н. Насонов, В.В. Полянский, В.И. Сергиенко. Диагностика поликристаллов на основе поляризационного тормозного излучения релятивистских электронов. (15 мин) |
3. |
В.К. Гришин, Д.П. Никитин. Поляризационное излучение и диагностика атомных объектов, скрытых в эндоэдральных соединениях. (15 мин) |
4. |
В.П. Афанасьев, Д.С. Ефременко, Д.А. Иванов, П.С. Капля, А.В. Лубенченко. Влияние процессов многократного упругого рассеяния на угловые распределения рентгеновских фотоэлектронов. (15 мин) |
5. |
K.B. Korotchenko, Yu.L. Pivovarov, Yu. Takabayashi, T.A. Tukhfatullin. Quantum effect for PXR at channeling. (15 мин) |
1630 - 1700 обсуждение стендовых докладов
31 мая, вторник, 1700 - 1845 |
II вечернее заседание |
Председатель Н.Ф. Шульга
1. |
D.A. Shkitov, G.A. Naumenko, M.V. Shevelev, A.P. Potylitsyn, H. Deng, X. Wang. Application of the diffraction radiation interferogram obtained after the interaction of an electron beam with a slit target. (15 мин) |
2. |
А.С. Сабиров, Г.М. Филиппов. Движение электрона в системе квантовых точек во внешнем поле. (15 мин) |
3. |
Н.В. Максюта, В.И. Высоцкий, Г.П. Головач, С.В. Ефименко. Численный анализ спектральной плотности квазихарактеристического излучения при каналировании релятивистских электронов в кристаллах со структурой цинковой обманки. (15 мин) |
4. |
Н.И. Маслов. О возможности генерации интенсивных пучков когерентного тормозного излучения. (15 мин) |
5. |
M.S. Badawi, S.S. Nafee, S.M. Diab, A.M. el-Khatib, and E.A. el-Mallah. Calculate the efficiency of gamma-ray detectors for inverted well beaker sources using an analytical efficiency transfer principle. (15 мин) |
6. |
В.П. Петухов. Дифракция рентгеновских фотонов, излучаемых ионами в процессе резонансного когерентного возбуждения под малыми углами к поверхности, на кристалле мишени. (15 мин) |
Стендовые доклады
1. |
M.S. Badawi, M.M. Gouda, A.M. el-Khatib, S.S. Nafee, and E.A. el-Mallah. New analytical approach to calibrate cylindrical hpge detector including corrections for self attenuation of large cylindrical sources and attenuation of all detector housing materials. |
2. |
M.S. Badawi, A.M. el-Khatib, M.A. Elzaher, A.A. Thabet, and A.A. Sakr. Calculation of full energy peak efficiency of gamma detectors using an analytical efficiency transfer principle. |
3. |
H.A. Motaweh, A. A. Sakr, and T.G. Abdelmalik. Effect of x-ray irradiation energy on optical , mechanical and dielectric properties of polyaniline polymethylmethacrylate blend. |
4. |
А.С. Лобко, О.В. Мисевич, А.А. Федоров. Детектирование интенсивных потоков мягкого рентгеновского излучения пластическими сцинтилляторами. |
5. |
С.В. Блажевич, Ю.П. Гладких, А.В. Носков. Эффект Бормана в дифрагированном переходном излучении релятивистского электрона, пересекающего периодическую слоистую мишень. |
6. |
С.В. Блажевич, Ю.П. Гладких, А.В. Носков. Когерентное рентгеновское излучение, возбуждаемое релятивистским электроном в периодической слоистой структуре в геометрии рассеяния Брэгга. |
7. |
С.В. Блажевич, Ю.П. Гладких, А.В. Носков. Когерентное рентгеновское излучение вблизи направления скорости релятивистского электрона, пересекающего периодическую слоистую структуру. |
8. |
П.Н. Жукова, Ле Тхи Хоай, Н.Н. Насонов. Определение местоположения атома в элементарной ячейке кристалла. |
9. |
О.А. Горбунова, П.Н. Жукова, В.А. Насонова. Подавление эффекта плотности в параметрическом рентгеновском излучении. |
10. |
O.V. Bogdanov, Yu.L. Pivovarov, Y. Takabayashi, T.A. Tukhfatullin. Doughnut scattering of 255 MeV electrons at <100> channeling in silicon crystal. |
11. |
С.В. Абдрашитов, О.В. Богданов, Ю.Л. Пивоваров, Т.А. Тухфатуллин. Рассеяние и излучение релятивистских электронов и позитронов при плоскостном каналировании в кристалле кремния. |
12. |
O.V. Bogdanov, S.B. Dabagov. On the kinetics and radiation of planar channeled electrons in thick crystals. |
13. |
Ю.П. Кунашенко, Ю.В. Шпет. КТИ релятивистских позитронов, движущихся в режиме плоскостного каналирования. |
14. |
А.В. Щагин. Параметрическое рентгеновское излучение релятивистских заряженных частиц из прямого и изогнутого кристалла. |
15. |
Г.Л. Бочек, А.С. Деев, Н.И. Маслов. Восстановление рентгеновских спектров излучения: измерение ХРИ и фильтр Росса. |
16. |
Д.А. Бакланов, А.О. Винаков, И.Е. Внуков, В.С. Иванов, С.А. Лактионова, Р.А. Шатохин. Анализ трехкристальной схемы генерации монохроматического излучения для медицинских применений. |
17. |
Д.А. Бакланов, И.Е. Внуков, Е.А. Дворецкая, С.А. Лактионова, Р.А. Шатохин. Влияние размеров микроблоков на процесс когерентного рождения электронно-позитронных пар в кристаллах. |
Секция III РАССЕЯНИЕ, РАСПЫЛЕНИЕ И ЭМИССИЯ ВТОРИЧНЫХ ЧАСТИЦ
30 мая, среда, 1000 - 1130 |
I утреннее заседание |
1. |
А.А. Ермоленко, Г.В. Корнич, А.И. Бажин, С.В. Чертопалов. Молекулярно-динамическое моделирование взаимодействия атомов металлов с поверхностью фуллерита. (15 мин) |
2. |
П.Ю. Григорьев, Е.Е. Журкин. Моделирование распыления нанокластеров кремния диаметром (1-4)нм при бомбардировке одноатомными и кластерными ионами методом классической молекулярной динамики. (15мин) |
3. |
Ю.А. Кудрявцев, Р. Азомоза, В.И. Король. Распыление поверхности ионами цезия: экспериментальное определение концентрации внедренного цезия. (15 мин) |
4. |
Н.Н. Андрианова, А.М. Борисов, Ю.С. Виргильев, Е.С. Машкова, Д.В. Петров, Е.А. Питиримова. Ионно-лучевое модифицирование структуры и морфологии стеклоуглерода (15 мин) |
5. |
Н.В. Новиков, Я.А. Теплова. Ширина равновесного зарядового распределения тяжелых ионов в твердой и газообразной средах. |
Н.В. Новиков, Я.А. Теплова. Ю.А. Файнберг. Зарядовое распределение ионов азота, отраженных от медной и графитовой поверхности (объединенный доклад, 15 мин). |
|
6. |
И.В. Лысова, А.В. Степанов. Роль структурных дефектов при каналировании частиц в углеродных нанотрубках (15 мин). |
1130 - 1215 обсуждение стендовых докладов
30 мая, среда, 1215 - 1400 |
II утреннее заседание |
Председатель А.М. Борисов
1. |
В.С. Ковивчак, Т.В. Панова, К.А. Михайлов. Особенности формирования морфологии поверхности медных сплавов, облученных мощным ионным пучком. |
Т.В. Панова, В.С. Ковивчак, Г.И. Геринг, Д.О. Доронин. Распределение микроструктуры в зоне модифицирования мощным ионным пучком металлов и сплавов. (объединенный доклад, 20 мин) |
|
2. |
С.Н. Шилобреева, В.И. Зиненко, В.В. Сарайкин, Л.Л. Кашкаров, Ю.А. Агафонов, В.С. Бронский. Экспериментальное моделирование модификации силикатов под воздействием ионизирующего излучения. (15 мин) |
3. |
К.В. Карабешкин, П.А. Карасев, А.И. Титов. Молекулярный эффект в кремнии при облучении ионами Р и PF4 различных энергий. (15 мин) |
4. |
В.Ю. Китов, Э.С. Парилис. Ориентационные эффекты в эмиссии оже-электронов из монокристаллов под действием атомарных и молекулярных ионов. (15 мин) |
5. |
А.Ю. Дидык, Р. Вишневский, В.С. Куликаускас. Пороговый характер накопления ионов дейтерия в палладии при высокодозной имплантации. |
А.Ю. Дидык, Р. Вишневский, В.С. Куликаускас. Поведение дейтерия, имплантированного в Zr, Ti и Al2O3, после высокодозной имплантации при длительном хранении (объединенный доклад, 20 мин). |
|
6. |
З.А. Исаханов, Б.Э. Умирзаков, З.Э. Мухтаров, У.Н. Раззоков. Температурные зависимости работы выхода вторичных ионов с поверхностей Мо имплантированных ионами Ba+ и Cs+ (15 мин). |
1400 - 1500 перерыв на обед
Стендовые доклады
1. |
Е.А. Питиримова, Ю.А. Данилов. Влияние имплантации ионов Ar+ на свойства пленок хрома. |
2. |
А.В. Бакаев, П.Ю. Григорьев, Е.Е. Журкин, Д.А. Терентьев. Молекулярно-динамическое моделирование взаимодействия дислокаций с радиационными дефектами в аустенитных сплавах Fe-Ni-Cr. |
3. |
С.Ж. Ниматов, Т. Юсупов. Изучение методом ДЭНЭ силицидообразования на поверхности Si(111) при низкоэнергетической ионной бомбардировке. |
4. |
В.И. Кристя, Йе Наинг Тун. Влияние неоднородности ионного потока на эффективный коэффициент распыления мишени с поверхностным рельефом в тлеющем разряде. |
5. |
П.И. Диденко. Исследование минералов методом вторично-ионной масс-спектрометрии. |
6. |
А.А. Абдувайитов. Исследование состава неконтролируемых примесей, их химических состояний и профиля распределения на границе раздела полупроводник-металл методами ЭОС И ВИМС. |
7. |
В.В. Андреев, Г.Г. Бондаренко, М.С. Васютин, В.Г. Дмитриев, А.В. Романов. Исследование изменения зарядового состояния МДП-приборов при электронном облучении. |
8. |
А.А. Вирюс, Т.П. Каминская, М.Н. Шипко, М.А. Степович. Локальный анализ состава и структуры прецизионных сплавов системы Fe-Si-Al, подвергнутых магнитоимпульсной обработке. |
9. |
А.А. Абдувайитов, М.К Рузибаева. Исследование состава примесных элементов в TiN и ZrNb, методом ЭОС. |
10. |
А.А. Столяров, Д.В. Андреев, И.В. Соловьев. Исследование ионизирующих излучений с использованием полупроводниковых приборов на основе МДП-структур. |
11. |
Н.В. Алов. Эффект металлизации поверхности оксидов при ионном облучении. |
12. |
В.Н. Кудияров, А.М. Лидер, Н.С. Пушилина. Исследование перераспределения водорода в титане под действием рентгеновского излучения методом спектрометрии плазмы тлеющего разряда. |
13. |
М.Т. Нормурадов, Б.Е. Умирзаков, Д.А. Ташмухамедова, Д.М. Мурадкабилов, Н.А. Курбанов. Влияние дозы облучения ионов Co на размеры нанокристаллов CoSi2, созданных на поверхности Si. |
14. |
Ю.Г. Коробова, Д.И. Бажанов. Ab initio исследование формирования структурных изгибов углеродных цепочек. |
15. |
Г.В. Корнич, Г. Бетц, В.И. Шульга. Механизмы фокусировки при распылении кластеров меди на поверхности графита. |
16. |
И.В. Лысова, А.Н. Михайлов. Распределение по энергиям молекулярных образований при каналировании в УНТ. |
17. |
Г.А. Вершинин, К.Н. Полещенко, Г.И. Геринг, Е.Е. Тарасов, П.П. Кокухин. Формирование коррозионно-стойких композиций в поверхностных слоях твердых сплавов при комбинированной ионно-лучевой обработке. |
18. |
А.А. Абдувайитов, М.К. Рузибаева. Сравнителний изучение эмиссии Оже-электронов с поверхности цветных металлов при бомбардировке пучком ионов и электронов. |
19. |
Б.Г. Атабаев, В.Н. Гирянский, А.П. Коварский, Д.Ю. Казанцев, Д.А. Николаев. Влияние ростовых дивакансий на кластерное распыление галлия при бомбардировке GaN ионами цезия. |
20. |
Б.Г. Атабаев, А.А. Лебедев, И.Г. Атабаев, Р. Джаббарганов, В.Н. Гирянский, Б. Зияев. Исследование вторично-ионной эмиссии примесей GaN/SiC в зависимости от температуры отжига. |
21. |
Б.Г. Атабаев, В.Г. Бекетов, Р. Джаббарганов, В.Н. Гирянский Ф.Р. Юзикаева, А. Урунов. Энергетическая зависимость вторично-ионной эмиссии кластеров GaN/SiC при бомбардировке ионами цезия. |
22. |
В.Н. Арустамов, Х.Б. Ашуров, Х.Х. Кадыров, И.Х. Худойкулов. К вопросу об эмиссии электронов в катодном пятне вакуумного дугового разряда. |
23. |
А.Н. Пустовит. Глубина выхода распыленных частиц при наклонном угле падения первичного пучка. |
24. |
А.Ю. Дидык, Р. Вишневский, В.С. Куликаускас. Распределение дейтерия и водорода в многослойных структурах из Nb-фольг и ВТСП-пленках после воздействия импульсной высокотемпературной D+-плазмы. |
25. |
С.Ж. Ниматов, Д.С. Руми. Исследование дозовой зависимости степени аморфизации поверхности Si(111) при бомбардировке низкоэнергетическими ионами Na+. |
26. |
Н.Х. Джемилев, С.В. Верхотуров, В.В. Соломко, С.Е. Максимов. Спектры кинетических энергий распада и стабильность ниобий-углеродных кластеров, распыленных с поверхности карбида ниобия ионами ксенона. |
27. |
Б.Г. Атабаев, В.Н. Гирянский, М.А. Пермухамедова, А.П. Коварский, Д.Ю. Казанцев, Д.А. Николаев. Влияние стабильности и ионизации кластеров на молекулярное распыление GaN. |
28. |
M.W. Ullah, A. Kuronen, F. Djurabekova, K. Nordlund, A.I. Titov, P.A. Karaseov. Atomistic simulation of molecular ion irradiation of GaN. |
29. |
А.И. Толмачев. Аналитические выражения для тормозной способности вещества в теории отражения заряженных частиц. |
30. |
Н.Н. Андрианова, А.М. Борисов, Ю.С. Виргильев, Е.С. Машкова, В.С. Севостьянова, В.И. Шульга. Влияние температуры на физическое распыление высокоориентированного пиролитического графита. |
31. |
Н.Н. Андрианова, А.М. Борисов, В.В. Борисов, Ю.С. Виргильев, Е.С. Машкова, В.С. Севостьянова, М.А. Тимофеев. Влияние ионной бомбардировки на автоэлектронную эмиссию углеродных материалов. |
32. |
Н.В. Носов, В.Н. Самойлов. О взаимосвязи сильно блокированных и перефокусированных атомов при эмиссии с поверхности граней (001) Ni и (001) Au. |
33. |
В.Н. Самойлов, Н.В. Носов. Эффект перефокусировки по азимутальному углу при эмиссии атомов с поверхности граней (001) Ni и (001) Au. |
34. |
Б.Г. Атабаев, Р. Джаббарганов, У.Б. Шаропов, М.К. Курбанов, К.У. Назаркулова. Кинетика точечных дефектов и их агрегатов на поверхности пленки LiF/Si(111). |
35. |
Б.Г. Атабаев, Р. Джаббарганов, У.Б. Шаропов, М.К. Курбанов, Н.Г. Саидханова. Изучение отрицательно-ионных кластеров SiC при бомбардировке ионами Cs+. |
36. |
Б.Л. Оксенгендлер, С.Е. Максимов, Н. Тураева, Н.Ю. Тураев. Множественные процессы при распылении материалов ионной бомбардировкой. |
37. |
Е.Ю. Брикуля, Н.В. Волков И.В. Олейников. Разработка метода идентификации эмиссионных пиков ИК-диапазона от оксидных пленок на поверхности циркония. |
38. |
Б.А. Калин, Н.В. Волков, Р.А. Валиков, А.С. Яшин, В.И. Стаценко. Модифицирование внешней поверхности циркониевых оболочек радиальным пучком ионов Ar+. |
39. |
Н.В. Волков. Изучение угловой зависимости распыления поликристаллических образцов Ti, Fe, Cu, Mo и W под облучением пучком ионов He+ и Ar+ с широким энергетическим спектром. |
Секция IV МОДИФИКАЦИЯ И АНАЛИЗ ПОВЕРХНОСТИ
30 мая, среда, 1500 - 1630 |
1 вечернее заседание |
Председатель И.С. Ташлыков
1. |
И.Е. Тысченко, В.А. Володин, В.П. Попов. Структурные и оптические свойства пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов H+ и отожженных в миллисекундном импульсном режиме. |
И.Е. Тысченко. Структуры кремний-на-изоляторе с ионно-модифицированным захороненным слоем SiO2 (объединенный доклад, 20 мин). |
|
2. |
В.В. Углов, Н.Т. Квасов, В.М. Асташинский, Ю.А. Петухов, А.М. Кузьмицкий, И.Л. Дорошевич, С.В. Ластовский. Радиационная стойкость кремниевых наноструктурированных фотовольтаических элементов, полученных в компрессионной плазме. |
В.М. Асташинский, Р.С. Кудактин , Ю.А. Петухов, А.М. Кузьмицкий. Микроструктура и фазовый состав силицидного слоя, сформированного при воздействии компрессионных плазменных потоков на систему Zr-Si (объединенный доклад, 20 мин). |
|
3. |
В.В. Углов, Г. Абади, И.А. Солодухин, С.В. Злоцкий, А.Ю. Ровбуть. Радиационная стойкость структуры и фазового состава нанокристаллических покрытий TiZrAlN, сформированных магнетронным распылением. |
В.В. Углов, В.И. Шиманский, Н.Н. Черенда, В.М. Асташинский, Н.Т. Квасов. Конвективный массоперенос в поверхностных слоях титана, подвергнутого воздействию компрессионными плазменными потоками (объединенный доклад, 20 мин). |
|
4. |
А.А. Дмитриевский, Н.Ю. Ефремова, П.А. Косырев, А.Р. Ловцов, А.В. Шуклинов. Подавление эффективности фазовых превращений в кремнии при локальном нагружении посредством низкоинтенсивного бета-облучения (15 мин). |
5. |
А.А. Андреев, Ю.А. Ермаков, А.Е. Иешкин, А.С. Патракеев, В.С. Черныш. Времяпролетная масс-спектрометрия для источника газовых кластерных ионов (15 мин). |
1630 - 1715 - Обсуждение стендовых докладов.
30 мая, среда, 1715 - 1845 |
II вечернее заседание |
1. |
О.М. Михалкович, И.С. Ташлыков. Локализация атомов co в облученном ионами ксенона кремнии при ионно-ассистированном нанесении на него тонких Co пленок. |
И.С. Ташлыков, В.В. Тульев. Элементный состав Pd/Fe структур, сформированных динамическим атомным перемешиванием (объединенный доклад - 20 мин). |
|
2. |
Н.С. Пушилина, Е.В. Березнеева, И.П. Чернов, М.Х. Кренинг, А.М. Лидер, В.Н. Кудияров, С.В. Иванова. Воздействие водорода на модифицированную импульсным электронным пучком поверхность циркониевого сплава. |
Д.В. Березнеев, Е.В. Березнеева, И.П. Чернов, И.А. Шулепов, С.В. Иванова. Свойства нанесенных магнетронным напылением TiOх покрытий на поверхность циркониевых сплавов. |
|
Е.В. Березнеева, Д.В. Березнеев, Н. С. Пушилина, И.П. Чернов, А.М. Лидер, Ю.П. Черданцев, Г.Е. Ремнев, С.В. Иванова. Свойства поверхностного слоя циркониевого сплава, модифицированного импульсным ионным пучком. |
|
Н. С. Пушилина, И.П. Чернов, Н.Н. Коваль, Е.В. Березнеева, С.В. Иванова, А.М. Лидер, Ю.П. Черданцев. Микроструктура поверхностности циркониевого сплава, модифицированного импульсным электронным пучком (объединенный доклад, 25 мин). |
|
3. |
А.Б. Крамченков, М.И. Захарец, А.Н. Бугай, В.Е. Сторижко. Исследование поверхностей расплавленных металлов методом резерфордовского обратного рассеяния (15 мин). |
4. |
В.В. Привезенцев, В.С. Куликаускас, А.Б. Путрик, Д.В. Петров, П.Н. Черных, А.Н. Макунин, А.А. Шемухин. Формирование наночастиц ZnO в структуре SiO2/Si методом имплантации ионами Zn (15 мин). |
5. |
З.А. Исаханов, Б.Э. Умирзаков, М.К. Рузибаева, У.Н. Раззоков. Влияние имплантации ионов на состав и электронные свойства поверхности пленок CdTe (15 мин). |
Стендовые доклады
1. |
Ю.С. Бордулев, Р.С. Лаптев, А.М. Лидер, Г.В. Гаранин. Оптимизация временного разрешения спектрометра для исследования аннигиляции позитронов в твердых телах. |
|
2. |
Ю.В. Балакшин, С.А. Голубков, Н.Н. Егоров, А.С. Патракеев, В.С. Черныш, А.А. Шемухин. Формирование и исследование ультратонких слоев кремния на сапфировой подложке с помощью ионной имплантации. |
|
3. |
Г.В. Лысова, Г.А. Биржевой, С.М. Образцов. Температурная зависимость радиационного упрочнения стали ЭП-823 после облучения ионами Ni++ с энергией 7 МэВ. |
|
4. |
С.С. Зырянов, А.В. Кружалов, Ф.Г. Нешов, О.В. Рябухин. Использование обратного рассеяния протонов с энергией 6,6 МэВ для исследования дейтерирования материалов. |
|
5. |
Ю.А. Кудрявцев, Р. Азомоза, В.М. Король. Исследование изотопного эффекта при имплантации изотопов лития в органические кристаллы. |
|
6. |
С.Е. Кривицкий, В.С. Куликаускас, В.М. Шарапов, В.В. Затекин, А.М. Зимин, С.В. Серушкин. Характеризация соосажденных вольфрам-дейтериевых пленок. |
|
7. |
А.И. Туровец, О.Г. Бобрович, И.С. Ташлыков. Свойства поверхности системы Mo/стеклянная подложка формируемой ионно-ассистированным осаждением молибдена. |
|
8. |
Д.И. Курбатов, А.В. Климов, А.С. Опанасюк, А.Г. Пономарев. Исследование распределения марганца в пленках Zn1-xMnxTe и Zn1-xMnxS методом μ-PIXE. |
|
9. |
В.В. Поплавский, А.В. Дорожко, В.А. Чумак. Микроструктура и состав каталитических слоев, формируемых ионно-ассистируемым осаждением платины на углеродные подложки.. |
|
10. |
А.М. Борисов, В.Г. Востриков, Е.А. Романовский, Н.В Ткаченко. Развитие метода спектрометрии ядерного обратного рассеяния для определения концентрации водорода в Al, Mg, Ti. |
|
11. |
И.С. Ташлыков, Д.А. Сильванович, В.С. Куликаускас, В.Ф. Гременок. Воздействие Хе+ облучения на состав поверхности CuInSe2. |
|
12. |
Б.И. Хрипунов, Л.С. Данелян, В.В. Затекин, В.С. Койдан, В.С. Куликаускас, С.Т. Латушкин, В.Б. Петров, А.И. Рязанов, В.Н. Унежев. Накопление газов в условиях воздействия быстрых ионов и плазмы на поверхность вольфрама. |
|
13. |
О.А. Подсвиров, А.И. Сидоров, Д.В. Чураев. Растворение пленки серебра в стекле и образование нанокристаллов серебра при электронном облучении. |
|
14. |
Н.Н. Черенда, Н.В. Бибик, В.М. Асташинский, А.М. Кузьмицкий. Легирование эвтектического силумина атомами хрома под воздействием компрессионных плазменных потоков. |
|
15. |
А.З. Хамдохов, Р.Ш. Тешев, З.М. Хамдохов, В.С. Куликаускас, П.Н. Черных. Особенности структуры пленки TiN после облучения ионами азота. |
|
16. |
А.К. Кулешов, Е.А. Крутилина, В.М. Асташин-ский, А.М. Кузьмицкий. Структурно-фазовое состояние системы титановое покрытие - твердый сплав в зависимости от параметров воздействия компрессионными плазменными потоками. |
|
17. |
С.С. Грабчиков, С.Б. Ластовский, Ю.В Богатырев, П.В. Панкратов, А.Г. Пяткевич, В.В. Углов. Использование многослойных структур системы висмут/медь для защиты кремниевых биполярных приборов от электронного облучения. |
|
18. |
Н.Н. Коваль, Ю.Ф. Иванов, Ю.А. Петухов, А.В. Калин, А.Д. Тересов. Микроструктура системы 'циркониевое покрытие-кремний', обработанной сильноточными электронными пучками . |
|
19. |
А.В. Кабышев, Ф.В. Конусов, Г.Е. Ремнев. Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией. |
|
20. |
Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, А.В. Гиро, А.С. Камышан. Модификация электрофизических свойств приповерхностных слоев кремния ионами водорода. |
|
21. |
В.А. Никитенко, С.Г. Стоюхин, С.В. Мухин. Облучение и термостимулированные электроннодырочные процессы в монокристаллах оксида цинка с анионными вакансиями. |
|
22. |
А.М. Рахимов, Ж.Б. Хужаниезов, А.С. Рысбаев, А.А. Рысбаев. О возможности создания термочувствительных структур имплантацией ионов фосфора и бора в кремний. |
|
31 мая, четверг, 1000 - 1130 |
I утреннее заседание |
|
Председатель В.С. Куликаускас
1. |
И.И. Ташлыкова-Бушкевич, В.С. Куликаускас, С.М. Барайшук, Ю.С. Яковенко, Д.М. Солодкий. Влияние композиционного состава поверхности на смачиваемость быстрозатвердевших фольг алюминия |
И.И. Ташлыкова-Бушкевич, О.В. Рябухин, С.С. Зырянов, Ф.Г. Нешов, Д.Р. Байтимиров, В.Н. Алехнович, В.Г. Шепелевич. Ядерно-физические исследования термической стабильности микроструктуры быстрозатвердевших сплавов А1-Сг и Al-Fe (объединенный доклад, 20 мин) |
|
2. |
А.М. Борисов, В.Г. Востриков, Л.Н. Лесневский, М.А. Ляховецкий, Е.А. Романовский, Н.В. Ткаченко, В.Н. Тюрин. Исследование формирования защитных покрытий методом микродугового оксидирования с использованием нанопорошков гидроокиси Al и Ca. |
А.М. Борисов, В.Г. Востриков, Е.А. Романовский, Н.В. Ткаченко, А.В. Виноградов, Б.Л. Крит, С.В. Савушкина. Исследование керамикоподобных оксидных покрытий на цирконии, полученных при плазменном воздействии в электролитах (объединенный доклад, 20 мин). |
|
3. |
С.С. Зырянов, А.В. Кружалов, М.В. Кузнецов, Ф.Г. Нешов, О.В. Рябухин. Исследование поверхности стали, облученной протонами в йодной среде. |
С.С. Зырянов, С.Г. Купцов, Ф.Г. Нешов, О.В. Рябухин. Изучение состава приповерхностных слоев упрочняющих покрытий на основе тяжелых металлов при различных режимах легирования (объединенный доклад, 20 мин). |
|
4. |
Г.А. Вершинин, T.В. Вахний, А.И. Суслов, И.А. Курзина, Ю.П. Шаркеев. Анализ массоперноса в структурированных образцах титана при имплантации ионами алюминия источника Mevva-5.RU (15 мин). |
1130 - 1215 - Обсуждение стендовых докладов
Стендовые доклады
1. |
Ж.Б. Хужаниезов, А.М. Рахимов, А.С. Рысбаев, Ш.Х. Джураев, А.А. Рысбаев. Влияние имплантации ионов P, B и щелочных элементов на плазменные колебания валентных электронов кремния. |
2. |
В.Н. Арустамов, Х.Б. Ашуров, Х.Х. Кадыров, И.Х. Худойкулов. Модификация поверхности стального проката прикатодной плазмой вакуумного дугового разряда. |
3. |
Б.Е. Умирзаков, М.Р. Ахмеджанов, В.Х. Холмухамедова, С.Б. Данаев, Ж.А. Якубов. Оптимальные режимы ионной имплантации и отжига для создания трехкомпонентных диэлектрических нанопленок. |
4. |
Д.А. Ташмухамедова, Б.Е. Умирзаков, М.А. Миржалилова, Х.Х. Болтаев, Р.Ч. Муминов. Формирование одно- и многокомпонентных наноструктур на поверхности GaAs при ионной бомбардировке. |
5. |
М.К. Рузибаева, С.Б. Донаев, А.А. Абдувайитов. Формирование переходного слоя и его состав при напылении наноструктурных покрытий с одновременной ионной бомбардировкой. |
6. |
А.К. Ташатов, Д.А. Ташмухамедова, Д. Буназаров, Б.Б. Мавлянов, М.К. Шамшиддинов Влияние ионной и электронной бомбардировки на состав и структуру пленок MgO. |
7. |
В.В. Углов, Н.Т. Квасов, И.Л. Дорошевич. О магнитной структуре ферромагнитных наночастиц железа. |
8. |
А.А. Лозован, С.С. Александрова, С.В. Прищепов, Д.В. Чулков. Исследование капельной компоненты лазерного эрозионного факела при нанесении покрытий на внуренние поверхности труб методом ИЛО. |
9. |
Л.К. Израилева, Э.Н. Руманов. Об относительной роли диффузии и импульсов давления в процессах кластеризации при облучении. |
10. |
Г.Т Рахманов, И.М Сайдумаров. Определения кинетических характеристик термодесорбции молекул поверхности окисленного вольфрама. |
11. |
М.В. Гомоюнова, Г.С. Гребенюк, И.И. Пронин. Формирование интерфейса кремний-кобальт. |
12. |
С.Ж. Ниматов, Ф. Шакаров. Исследование режимов твердофазной эпитаксии германия на поверхности кремния методом ДЭНЭ. |
1215 Заключительное слово М.И. Панасюк