Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://danp.sinp.msu.ru/pci2006/31_utro_stend.pdf
Дата изменения: Thu Apr 27 15:37:32 2006
Дата индексирования: Mon Oct 1 21:38:23 2012
Кодировка:
Mn , .. 1), .. 2), .. 2), .. 1), .. 2) . .. , . , 2) - - . .. , . ,

1)

4 (Si, Ge) 35 (GaAs, InAs), Mn, . , Mn GaAs ~ 8·1019 -3. 55Mn+ c 50 . , TRIM, GaAs Mn 2.5·1021 -3 Di=1·1016 -3. Ar. 10 , () GaAs 400 900°, InAs 450 600є. -102 50 . , Mn GaAs, InAs, Si. , GaAs InAs, Di=5·1016 -2, =900є 600є, . . GaAs, Si Ge, Mn ( 5-12 .%) :Nd . GaAs (100). , Tg. , Ge:Mn Tg 450є. Si:Mn Tg =540є . Mn ( ) ( ). Mn . , Mn- GaAs, 700 ­ 800 є, Ga23 Mn2.


N2+ Ar SiO2
1)

+

..1), ..2), ..2) , . , 2) , . ,

, , , SiO2 N2+ Si, SiO2 O2+ Cs+. N2+ c . SiO2 9 N2+ 4.5 Ar+ PHI 660 /1/. 5 65°. , 193 330 . (PHI 660) (XSAM 800). - - /2/ . : Y=1,1 / Si, SiO2 Ar+ ( 5°) 0,6 1,1 / Si SiO2, , N2+. Si SiO2 2,3 4,4 . Ar+ N2+ SiO2 SiO1.67 SiO1.7N0.4 . N1s , SiOxNy N-N . SiO2 N2+ - 44.. 30 ... SiO NO. SiO2. NO SiO, . 1. Bachurin V.I., Lepshin P.A., Smirnov V.K. //Vacuum. 2000, v. 56. P.241. 2. .. . //. XI . , , 1993. .153


, .. , .. , , E, i i , . . /1-3/, . /4/ /1-3/. i E/i /5/. i i(E) . /5/ , . 1. 2. 3. 4. 5. Novikov N.V., Teplova Ya.A. et .., .., 2006, 4, . 19. .., .., 2006, 8, ( ). Ziegler J.F. Stopping and Range http://www.srim.org/SRIM/ Robin A., Hatke N. Narmann A. p. 566 all // NIM B. 2005, v. 235. p. 448. .. // .. // of Ions in Matter (SRIM2003.26) et all // NIM B, 2000, v. 164-165.


, .. .. , . , . , , , . , , , /1/. , , /2/. /1,2/ . , , . , , , . , , . , , , , . 1. 2. .., .., .. // , 1997, 1, . 11. .., .. // , 2001, 5, . 40.


.. , .. () ( ). . ( ) . . , : , , . /1/. n3, , , . , , , . , . /1/. , . , , . . 1. Manukhin V.V. // Technical Physics, Vol. 50, 4, 2005, pp. 394­ 401.


.. 1), .. 2), .. 2) , , 2) .. , . ,

1)

, . 2000 . , . , /1/, , . , . , . , . 2. .. . ­ .: , 1991.


.. 1) , .. 2), .. 1) . .. , , 2) , ,

1)

, (001) Si Ar+ 1,2 , , /1/. /2/, . . , , , . (001) Si ( Si) Si, : -4,5, (111), 0,5 - (001) Si. - . - Ne+ Ar+ 3 10 1 , ­ 0,1В0,4 . , . 10-8 . . . - Solver P47-PRO. , 1017 /2. ( <> ) . , ( P 10-7В10-8 .%) . Si 1,3 Si ( Si =1,2 ) Ar+ 10 3 Ne+ (=1,9 ). 1. 2. Gago R., Vazquez L. et al //Appl. Phys. Lett. 2001, v.78, p. 3316. Cuernat A., Aziz M. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2002, v. 696 p. N2.8.1.


NB/AL .. , .. , .. , .. (), , , , . /1/, . . Al Nb 10 , . 0 3 10 : - PHI660 0 = 3 . lin . Al 0 = 3 lin = 5,2 , Nb lin = 3,3 . - 0 = 3 . Al/Nb - 1,5 . 0 10 lin 15 . 0 = 30 . , Al/Nb. . /1/ . 1. Afanas`ev V.P., Fedorovich S.D., Lubenchenko A.V., Ryjov A.A., Esimov M.S. // Z. Phys. 1994, b 96, pp. 253-259.


. 1) , .. 1) , .. 2) 1) , , 2) , , () , ( ) . , , , NaCl, , . , ( 0 °), ( 400 °) . ("green") . ("solar parabolic trough systems"), . [C4mim][Tf2N] (Inconel 600, Naval Brass, AISI 1018), . 20- 225 ° - (SIMS), (XPS) (LEIS). Tencor Stylus Profiler P-10, - (ICP-OES). , , SIMS, XPS LEIS , , , . , . Inconel 600, Naval Brass. ICP-OES, , ­ . « ­ » .


.., .. , . ,
N ( x, t ) = L( x, ) N ( , t )d - N ( x, t ) L( x, )d , t

(1)

N ( x, t ) - x t , L( x, ) - , , , x . - , , -. -. . , , - , 100. , . , . , , . - , .


V-2, 5, 7 Fe V+
.. , .. , .. - .. , . , - () V-5Fe /1/, Fe V+ . . , . , , , . . . Fe V-(2, 5, 7) .% Fe V+ c 50 30-40° 1в1019 1в1021 /2 . . Fe, . , , V Fe . Fe. 1. .., .. // . , , 1999, 5-6, . 5.


. . 767, . , . ( 0 =0) . 0 0 = max . 0 0 =90°. max , ­ 60° max 85°. /1,2/, /3/. , 0. : 1. , , , , . 2. , . 3. 1 2 . ­ . , . 1. . . . . . . ­ : «», 1989, . 349 2. Tolmachev A. I. // NIM B, 1994, v. 93, p. 415. 3. .., . . // 30- . ­ .: - . -, 2000, . 77



1)

.. 1) , .. 2) , , 2) , ,

- . , SiO2 /1/. , , , , . , , (Cameca ims-4f, O2+, 10,5 ). , , SiO2 SiOX . , - /2, 3/. , , - SinOm+ . , SiO2, /3/, . Si4-kOk (k=0...4), Si-O, - . , , , - « », . , , - . SiO2 . - . SiO2. 1. Richards R. //Mineralogical Magazine, 2003, v. 67, p. 129. 2. Romanova G.Ph., Efremov A.A., Didenko P.I. //Proc. VI Int. Conf. (SIMS). Chichester: Willey, 1988, p. 335. 3. .., .. // . IX . . -IX. ­ .: . , , 1989, . I, . 2, . 265.