Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://danp.sinp.msu.ru/pci2006/1_utro2.pdf Дата изменения: Thu Apr 27 15:30:12 2006 Дата индексирования: Mon Oct 1 20:49:33 2012 Кодировка:

.. , .. , .. , .. , , ZnO 30 /1/ - (), InZn, GaZn, Zni, Lii .. (d0,03В0,05 ) (Zni+LiZn|), (InZn+LiZn|), (InZn+VZn|) .. 0,2 /2, 3/. ZnO ( ­ =150 , f=6в1015 -2), ( Zni+VZn|, Lii+VZn| ..) . , . , . -. ZnO /4/. 1. 2. 3. 4. .., .. . // , 1974. .21, .835. .., .. . . ­ .: , 1984, .166. Nikitenko V.A. // Proceeding of International NATO Workshop "Zinc Oxide ­ A Material for Micro- and Optoelectronic Application". ­ St. Petersburg: Springer, 2005, c. 69. .., .. . // 35- . ­ .: - . -, 2005, . 184.


n- p- ,
1)

..1), ..1), ..2), ..1) - 2) - . .. , .-,

DLTS n- p-SiC . , , SiC, . , SiC /1/. , () SiC, , , , . SiC ( ). (>108 ) SiC . - SiC . , , , «» ("Smart Cut" /2/). , , - , . 1. 2. .. . ­ .: , 2003. Bruel M. // Electron.Lett. 1995, v. 31, p. 1201.


.. 1), ..1), ..2), ..2), ..2) - 2) - . .. , .-,

1)

(radiation defect engineering) /1/. 150 n-InN, (plasma-assisted MBE) (MOCVD). , -- 78 300 . . . , nInN , ( ) . . , ­ , , . 590 -1, , , n-InN, . n-InN 400 -1 ­ 650 -1 . 3000. n-InN, . 1. .. . ­ .: , 2003.



1)

.. 1), .. 2) , . , 2) , . ,

() () . /1/ . (1 ­ 3)1015 -3. . 7 (-120) 10 , 12,4 , - 22 6 . , , - . , . , E3 1,5­2 , . E3 . /2/, . , - , . , - . 1. 2. Lang D.V.//J.Appl.Phys. 1974, v. 45, p. 3023. .., ..// , 1974, . 16, . 3480.