|
|
Основные задачи курса
- Изложение студентам элементов теории зарождения, механизма и кинетики роста кристаллов.
- Раскрытие понятий о теоретически возможных, равновесных и реализующихся в процессе кристаллизации формах кристаллов. Анализ устойчивости форм роста, влияния внешних условий на габитус, микро- и макроморфологию граней и внутреннюю однородность кристаллов.
- Знакомство с основами моделирования формы кристаллов, механизма и кинетики кристаллизации.
- Формирование представлений о кристаллогенезисе в природных условиях на основе экспериментальных исследований и теоретических концепций.
- Ознакомление с особенностями роста кристаллов из различных сред, критериями выбора методов кристаллизации.
- Приобретение студентами практических навыков работы с основной аппаратурой для роста кристаллов и исследования их морфологии.
- Овладение физико-химическими основами выращивания важнейших технических монокристаллов.
Объем и структура курса
Объем дисциплины составляет 284 часа, в т. ч. 136 -лекции, 112 - лабораторные работы, 36 - семинарские занятия. Курс читается в V, VI, VII и IX семестрах, по 16 недель в нечетных и по 12 недель в четных семестрах. Недельная нагрузка для студентов составляет по 4-5 часов.
- V семестр: 1) основы теории зарождения, роста и формы идеальных кристаллов; 2) рост реальных кристаллов; 3) стабильность форм роста.
- VI семестр: 1) общая характеристика методов выращивания кристаллов; 2) лабораторный практикум по росту кристаллов; 3) учебная практика по росту кристаллов.
- VII семестр: 1) выращивание технических кристаллов; 2) аппаратурное обеспечение роста кристаллов.
- VIII семестр: 1) кристаллогенезис в природных системах; 2) синтез драгоценных и облагораживание полудрагоценных минералов.
- IX семестр: 1)сравнительный анализ процессов роста и морфологии синтетических и природных кристаллов; 2)практикум по морфологии кристаллов.
Форма контроля
V и VI семестры - зачеты, VII, VIII и IX семестры - экзамены. Текущий контроль предусматривает в каждом семестре по одному коллоквиуму и одной контрольной работе, а также прием лабораторных работ с собеседованием.
Справочный материал
- Handbook of Crystal Growth. Edited by D.T.J Hurle. Nortn-Hollаnd, 1993-1995:
- Vol. 1: Fundamentals (Parts A and B);
- Vol. 2: Bulk Crystal Growth (Parts A and B);
- Vol. 3: Thin Films and Epitaxy (Parts A and B).
- Современная кристаллография. Том 3 / А.А.Чернов, Е.И.Гиваргизов, Х.С.Багдасаров и др. Образование
кристаллов. М: Наука, 1980.
- Синтез минералов. В 3-х томах. М, 2000.
- О.Г.Козлова. Рост и морфология кристаллов. М: МГУ,
1980.
- Б.Хонигман. Рост и форма кристаллов. М: ИЛ, 1961.
- В.С.Балицкий, Е.Е.Лисицина. Синтетические аналоги и
имитации природных драгоценных камней. М: Наука, 1981.
Лекторы:
|
|