Численное моделирование задачи динамики роста пленки окисла в полупроводниковых подложках на основе геометрического подхода и метода Дила-Гроува

Численное моделирование задачи динамики роста пленки окисла в полупроводниковых подложках на основе геометрического подхода и метода Дила-Гроува
Александров А.Л., Тарнавский Г.А., Шпак С.И., Гулидов А.И., Обрехт М.С.

Разработана идеология приближенного моделирования динамики роста пленки окисла в полупроводниковых подложках, в которой на основе геометрического подхода проведено расширение 1-D метода Дила-Гроува на 2-D класс задач. Приводятся примеры расчетов роста подобласти двуокиси кремния SiO2 при его окислении в различных средах (O2 или H2O) и динамики границ SiO2/Si и SiO2/окислитель в широком диапазоне определяющих параметров и позиций нитридных масок, закрывающих часть поверхности кремния.

Александров А.Л., Тарнавский Г.А., Шпак С.И., Гулидов А.И. - Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, ул. Институтская, 4/1, 630007, Новосибирск; e-mail: shpak@itam.nsc.ru
Обрехт М.С. - Siborg Systems Ins., University of Waterloo, Depatment of Electrical and Computer Engineering, Waterloo, Ontario, Canada, N2L3G1; e-mail: obrecht@siborg.ca