Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.phys.msu.ru/rus/research/conferences/2006-nitrides/Anonce2A.pdf Дата изменения: Fri Aug 1 03:45:48 2008 Дата индексирования: Tue Oct 2 09:46:45 2012 Кодировка: ISO8859-5

. .., - . ..



:

" - ", "" "AIXTRON" "VEECO" "LAY TEC -GESELLSCHAFT" "TDI"

5- ? , : Л
. ..
, 31 - 02 2007 .


: 31 - 02 2007 , . .. 5- ? , : Л. , , . - . . - . ( ) . 0. . 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. III-N . III-N . , III III-N , III-N . III-. . .

( 2 . ) (100 ), 1 2006 (Nitrides2007@mail.ioffe.ru) . : : " - ", "", "AIXTRON", "VEECO", "LAY TEC -GESELLSCHAFT", "TDI" . 500 . - - . . . , , , . . - 500 . - , , .


. : 38630302010010000180 .6 .386/008 . 5- ? , : Л .. / 7729182048 /772901001 . .. / 0638643190 : 1 . 705 : 40503810600001009008 : 044583001

, . . , 1- , , 1-31. , , , . . ( ) 1. 2. 3. 4. 5. 6. , , . . . , . ( ). , ( , ). 7. . 8. . 9. , E-mail. andrey_turkin@yahoo.com. ? Л , 146, 26 . , . - ?Л; ( ) 62, 84 .


. . . - 1945 . , - 2270 . .


: , . 7, .8.0; : - . 130, 67, . 49 . "", . 44, ? ?ЛЛ; . "", .25, ? Л/ ? ?-ЛЛ.

. .
www.phys.msu.ru : http://www.phys.msu.ru/rus/research/conferences/2006-nitrides/nitrides.htm .


.. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. . .., . .., . . .. , . . .., . .. , "-" "" . .. - , , ?Л "C - " . .. . .. . .. ?Л . ..

.. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. . .., . .. , . . .. , ?Л . .. ? Л



, 31
- 9.00. - 12.30., , . 1-31.
. 10.00.

, 11.30 - 14.25 , . ..
. 11.30. - 12.00. 11.30 - 11.40. - - . .. 11.40-11.45. . ... 11.45 - 12.00. , ..

12.00 - 14.30. III-N - ...
12.00 - 12.15. III-N SiC MOCVD .., .., .., .., .., .., .. 12.15 - 12.30. MOC- AlGaN .. , .. , .. 12.30 - 12.45. a-(In)GaN .., .., .., .., .., .., .., .. 12.45 - 13.00. GaN Si(111) : . .., .., .., .., .., .., .. , C.., ., .., H.S. Park M. Koike

13.00 - 13.15. III-N - ...
13.15 - 13.35. CVD TECHNOLOGY AND PRODUCTION FOR SOLID STATE LIGHTING F. Schulte, B. Schineller, M. Heuken

13.35 - 13.55 ROLE OF COMPUTATION FLUID DYNAMIC IN THE NEW MOCVD EQUIPMENT AND
PROCESS DEVELOPMENT FOR GaN MATERIALS B. Mitrovic, A. Gurary, B. Quinn, E. Armour 13.55 - 14.10. TEMPERARURE MEASUREMENT AND CONTROL DURING DEPOSITION OF THE GaN RELARED MATERIALS M. Belousov, B. Mitrovic, S. Ting, A. Gurary, B. Quinn 14.10-14.30. ON THE PHYSICS OF OPTICAL IN-SITU MONITORING OF MOVPE GROWTH PROCESSES FOR STATE-OF-THE-ART III-NITRIDE DEVICES E. Steimetz, F. Brunner, T. Schenk, T. Trepk, and J.-T. Zettler

14.30 - 15.30.


, 15.30 - 19.15. , . .. 15.30 - 16.30. III-N - ...
15.30 - 15.45. GaN - .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. 15.45 - 16.00. AlN-GaN - .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. 16.00 - 16.15 InGaN QW 490-630 , -Al2O3 .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. 16.15 - 16.30. - AlGaN- .., .., .., .., .., .., .., .., .., ..

16.30 - 16.45. 16.30 - 19.15. . .. 17.00 - 19.15. : , III - ...
.. , .. , .. , .. , .. - GaN .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. D-180 (VEECO) InGaN/GaN .. , .. , .. III-N .. , .. , .. , .. MOVPE AIX2000HT ... .. , .. , .. , .. , .. , .

19.15. - 20.50. - . 21.00.


, 01 9.15. , 10.00 - 14.00 , . .. 10.00 - 11.30 III-N - ...
10.00 - 10.10. - ? Л / 10.10 - 10.30 II-O/III-N : . . , . . , . . 10.30 - 10.45 .. , .. , .. , .. 10.45 - 11.00 (-SiC)-(-SiC ) Si(111) .., .., .., ..,.., .., .., .. 11.00 - 11.15 ZnO .. , .. , .. , .. 11.15 - 11.30 GaN, Eu Zn .., .., .., .., .., .

11.30 -11.45 11.45 - 13.20 III-N - ...
11.45 - 12.05 , . . 12.05 - 12.20 InGaN/GaN .. , .. 12.20 -12.35 InGaN/GaN .. , .. , .. 12.35-12.50 OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF AlGaN/GaN HETEROSTRUCTURES GROWN ON SILICON AND SAPPHIRE SUBSTRATES BY MOVPE N. V. Rzheutski, A. L. Gurskii, E. V. Lutsenko, V. N. Pavlovskii, G. P. Yablonskii, A. S. Shulenkov, A. I. Stognii, M. Heuken, B. Schineller, H. Kalisch, R. H. Jansen 12.50 - 13.05 LIGHT-INDUCED DIFFRACTION KINETICS AND PHOTOLUMINESCENCE IN EPITAXIAL GaN GROWN ON SAPPHIRE SUBSTRATES V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, A. V. Danilchyk, G. P. Yablonskii, T. Malinauskas, R. Aleksiejnas, K. Jarasinas, H. Kalisch, R. H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken

13.05 - 13.20
13.20 - 14.00 ,


14.00. - 15.00. . . 14.30.-15.20. 16.00-17.30 III-N - ...
16.00 - 16.15 III-N / .. 16.15 - 16.30 AlGaN/GaN .., .., .., .., . 16.30 - 16.45 AlN/AlGaN/GaN/AlGaN .. , .. , .., .., .., .., .., .., .., .., .., .. , .. 16.45 - 17.00 AlN/AlGaN/GaN/AlGaN - .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. 17.00 - 17.15 InGaAlN HEMT- .., .. , .., .., .. 17.15 - 17.30 - .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. , .., A..

17.30-17.45 17.45 - 18.30 III-N - ...
17.45 - 18.00 AlN/AlGaN .. , .. 18.00 - 18.15 III .. , .. , .. , .. 18.30 18.45 : ..,..,..,.., .., .., .., .., InHwan Lee, S.J.Pearton, .., .., .. 18.45 19.00. - -. .., .., .., .., .., .., .. 19.00 19.15 - - -. .., .., .., .., .., .., .., ..

19.15. - 20.50. - . 21.00.


, 02 . 9.15. , 10.00 - 13.40 , . .. 10.00 - 11.15 III-N - ...
10.00 - 10.15. .. , .. , .. , .. , .. , .. 10.15 - 10.30 InGaN AlGaN .. , . . , . . 10.30 - 10.45 p-n- InGaN/GaN/AlGaN .., . , .., .., .., .. 10.45 - 11.00 p-n- InGaN/AlGaN/GaN .., .., .., .., .., .., .. 11.00 - 11.15 GaAlN-p/GaInN/n-GaN .., ..

11.15 - 11.30 11.30 - 13.40 III-N - ...
11.30 - 11.50 LIGHTING WITH LEDS: ILLUMINATING INSIGHTS INTO THE SOLID-STATE LIGHTING MARKET Tim Whitaker 11.50 - 12.10 .. 12.10 - 12.25 . . 12.25 - 12.40 300 70 / .., .., .., .. 12.40 - 12.55 .. 12.55 - 13.10 .. , .. , .. , .. 13.10 - 13.25 . , . 13.25 - 13.40 - AlGaInN . . , . . , . . , . .


13.40 - 15.00 , 15.00 - 16.45 , . ..

15.00 - 16.45 - ..
15.00 - 15.15. InGaN/GaN .., .., .., .., .., .., .., .. 15.15 - 15.30 .., .., .., .., .., .., .., .., .., .., .. 15.30 - 15.45 InGaN .. , .. , .. 15.45 - 16.00 InGaN/GaN , .. , .. , .. , .. , .. , .. 16.00 - 16.15 InGaN/GaN .. , .. , .. 16.15 - 16.30 .. , .. , .. , .. , .. , .. 16.30 - 16.45 .., .., .., .., ..

16.50.-17.10. - .. - .., ..

16.50. - 17.00.

- .. 17.00. - 17.10.
. 17.15.


( - 0) 31 16.00 - 18.45 1 13.05 - 14.00 . ..
1 p- - GaN .. , .. , .. 2 AlGaN - .. , .. , . , .. 3 .., .., .., ..,.., .., .., .. 4 GaN .. 5 InGaN .., .. .. 6 AlInGaN . . , .. , .. 7 . . , . . , . . 8 AlGaInN. .., .. 9 MQW InGaN/GaN .., .., .., .., .. , .., .., .. 10 InGaN AlGaInP .. ,.. , .. , .. , ..3 11

..
12 () InGaN .. , .. , .. , .. , .. , .. 12 , .., .., .., .. 13


..
14 ?Л wGaN/AlGaN(0001) .., .. 15 GaN, - , .., .., .., .., .., .. 16 GaN(Fe), - . , . , .., .., A.M.Dabiran, A.M.Wowchak, P.P.Chow 17 InxGa1-xN .. , .. , .. , .. , .. , .. 18 InGaN .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. 19 GaN .. , .. , .. 20 InGaN/GaN, Eu .. , .. , .. 21 GaN, Eu, Er .., .., ..,, .. , .. , .. 22 , - (SiC)1-x(AlN)x .., .., .., .. 23 - "" n-GaN(0001) .. , .. , .. , .. 24 2D Cs, Ba/n-GaN(0001) .. , .. , .. 25 InGaN .. , .. , .. , .. , .. , .. , .. 26 - -. .., .., .., .., .., ..


,
. . ACOL Technologies S.A. ACOL Technologies S.A. ACOL Technologies S.A. ACOL Technologies S.A. ACOL Technologies S.A. ACOL Technologies S.A. ACOL Technologies S.A. ACOL Technologies S.A. , ACOL Technologies S.A. . .., . .., . .., . .., . .., . .., . .., , ACOL Technologies S.A. . .., . .., . .., ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ? Л. , "-" "-" "-" "-" "-" "-" "-" . .. , . - . . .. - ., .


Bondarenko Oksana Steimetz Elisabeth

, . , . , . - ... ? Л ?-Л, ? Л ?-Л, ? Л ?-Л, ? Л ?-Л, ? Л ?-Л, ? Л ?-Л, ? Л "" "" "" "" "" "" "" "" "" "" "" "" "" "" "" "" "" "" "" "" ?Л ?Л ?Л ?Л ?Л ?Л ?Л ?Л ?Л ? ?Л ? ?Л ? - Л , ?-Л ?-Л ?-Л ?-Л ?-Л ?-Л - () - () "", . . LayTec GmbH LayTec GmbH () " ", . " ", .


Kaeppeler Johannes Schulte Frank Gurary Alex Berry Mark Whitaker Tim

" " ?-Л ?-Л ?-Л " " " " ": , , " ": , , " "" "" " " " " " " , . , . AIXTRON AG AIXTRON AG VEECO Instruments - Europe VEECO Instruments - Europe LEDs Magazine